正常金属-d波超导隧道结中杂质和界面散射对微分电导的影响

考虑到正常金属区域的杂质散射和界面粗糙的散射,运用Bogoliubov-de Gennes (BdG)方程和Bolonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,计算正常金属-d波超导隧道结的微分电导.计算发现：隧道谱强烈地依赖电子的入射角和超导体晶轴方位,并能展示零偏压电导峰的存在;此外,杂质散射能使隧道谱的凹陷分裂出两个小凹陷,而界面粗糙能抹平和压低零偏压电导峰和能隙电导峰.这些结果都将很好地解释高T_c超导隧道谱的实验现象. 关键词：     

正常金属-铁磁绝缘层-dx2-y2+idxy混合波超导结中的磁散射对隧道谱的影响

在正常金属铁磁绝缘层dx2-y2 idxy混合波超导隧道结中,考虑到铁磁绝缘层的磁散射和界面的粗糙散射效应,运用BogoliubovdeGennes(BdG)方程和BlonderTinkhamKlapwijk(BTK)理论,计算了隧道结中的准粒子传输系数和微分电导.研究表明:(1)磁散射和界面粗糙散射均可以压低电导峰,其中磁散射能使电导峰滑移,而粗糙界面散射却能阻止这种滑移,且两散射的共同作用可抑制由混合波两序参数的幅值比不同所导致的电导峰滑移;(2)随铁磁层离超导表面距离的增加,隧道谱在零偏压处由凹陷变成了零偏压电导峰,继而又演化为凹陷中的中心峰;(3)当铁磁层离开超导表面有若干相干长度时,隧道谱中将呈现一些子能级谐振峰.     

正常金属d_(x~2-y~2)+id_(xy)混合波超导结中的隧道谱

在Blonder-Tinkham-Klapwijk散射理论框架下,通过求解Bogoliubov-deGennes方程,计算正常金属dx2-y2+idxy混合波超导结中的准粒子输运系数和隧道谱。研究表明:隧道谱中的电导峰位置强烈地依赖电子的入射角、超导的晶轴方位和dxy波分量的强度。     

d波超导体NIS结中的时间反演对称态的破缺与准粒子寿命效应

考虑到d波超导表面时间反演对称态的破缺与准粒子的有限寿命效应,在BlonderTinkhamKlapwijk(BTK)理论框架下,通过求解BogoliubovdeGennes(BdG)方程,计算正常金属d波超导隧道结中的准粒子输运系数与隧道谱.研究表明:1)d波超导表面时间反演对称态的破缺会导致零偏压电导峰位移,位移的程度取决于分解d波超导表面时间反演对称态中s波分量的强度;2)准粒子的寿命效应与粗糙界面散射效应都能压低零偏压电导峰,其中粗糙界面散射还会阻碍零偏压电导峰的位移.这些结果能较好地解释Tc氧化 关键词：     

正常金属—d波超导隧道结中杂质和界面散射对微分电导的影响

考虑到正常金属区域的杂质散射和界面粗糙的散射,运用Ｂｏｇｏｌｉｕｂｏｖ－ｄｅ Ｇｅｎｎｅｓ（ＢｄＧ）方程和Ｂｏｌｏｎｄｅｒ－Ｔｉｎｋｈａｍ－Ｋｌａｐｗｉｊｋ（ＢＴＫ）理论模型,计算正常金属－ｄ波超导隧道结的微分电导。计算发现：隧道谱强烈地依赖电子的入射角和超导体晶轴方位,并能展示零偏压电导峰的存在;此外,杂质散射能使隧道谱的凹陷分裂出两个小凹陷,而界面粗糙能抹平和压低零偏压电导峰和能隙电导峰。这些     

正常金属-铁磁绝缘层-d波超导结中的磁散射对量子输运的影响

在正常金属-铁磁绝缘层-d波超导隧道结中,考虑到铁磁绝缘层的粗糙界面散射和磁散射效应,运用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-klapwijk(BTk)理论模型,计算隧道结中的准粒子传输系数和微分电导.计算表明：1)粗糙界面散射和磁散射都能压低零偏压电导峰,其中磁散射能使零偏压峰滑移,而粗糙界面却能阻止零偏压峰的滑移,且随着两种散射强度的逐渐增大,又能使零偏压电导峰渐渐变为凹陷;(2)当铁磁层离开超导表面有若干相干长度时,隧道谱中将呈现一些子能隙谐振峰. 关键词：     

d(x2-y2)+idxy混合波正常金属/绝缘层/超导体结中的隧道谱

考虑界面粗糙散射,在Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论框架下,通过求解Bogoliubov-de-Gennes(BdG)方程,分别计算T=0K和有限温度下,d_(x²-y²)+id_xy混合波正常金属绝缘层超导体结中的准粒子输运系数和隧道谱.研究表明:隧道谱中的电导峰的劈裂程度强烈地依赖于d_xy波分量的强度、超导体的晶轴方位和界面粗糙强度,而温度的升高能压低电导峰. 关键词： NIS结 (x²-y²)+id_xy混合波超导体')" href="#">d_(x²-y²)+id_xy混合波超导体 隧道谱     

磁性半导体/磁性d波超导结中的自旋极化输运

通过求解磁性d波超导中的能隙与磁交换能的自恰方程,利用推广的Blonder-Tinkham-Klapwijk 理论研究磁性半导体/磁性d波超导结中自旋极化准粒子输运系数与微分电导. 计算表明： 1) 磁性d波超导结中的磁交换能h₀可导致零偏压电导峰与能隙电导峰劈裂,劈裂的宽度为2h₀;2) 磁性半导体中的磁交换能h_FS可使零偏压电导峰劈裂的峰值变低. 而由能隙电导峰劈裂的两个子峰,当两种磁性材料的磁 关键词： 磁性半导体 磁性d波超导体 自旋极化输运     

铁磁绝缘层对正常金属/铁磁绝缘层/正常金属/p波超导结隧道谱的影响

在正常金属/铁磁绝缘层/正常金属/自旋三重态p波超导隧道结中,考虑到铁磁绝缘层的磁散射和粗糙界面散射,运用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,研究了铁磁绝缘层对隧道结微分电导的影响.研究表明:(1)对于px波,粗糙界面散射和磁散射都能使零偏压电导峰变低,能隙处凹陷升高;随着磁散射的增强,谱线的尖锐峰消失,宽峰逐渐变为凹陷;(2)对于py波,粗糙界面散射和磁散射都能使零能凹陷上移,能隙峰变低,随着粗糙界面散射的增强,两能隙峰间距减小;随着中间正常金属层厚度的增加,能隙内电导随外加偏压呈现振荡行为,能隙外电导仅与普通势垒有关;(3)对于px+ipy波,随着粗糙界面散射的增强,零偏压电导峰被压低,双凹陷处的值逐渐增大为小的能隙峰,而磁散射并不改变谱线中各凹陷处的电导值.     

量子线/铁基超导隧道结中隧道谱的研究

考虑铁基超导中能带间的相互作用和界面对每一个能带的散射作用, 利用推广的Blonder-Tinkham-Klapwijk模型, 并通过求解Bogoliubov-de Gennes 方程研究了具有不同类型双能隙系统的量子线/铁基超导隧道结中准粒子的输运系数和隧道谱. 研究表明: 1)在弹道极限时, 随着带间相互作用的增大, s_± 波隧道谱中零偏压附近的平台演变成电导峰; s₊₊ 波的平台演变成凹陷; p波的零偏压电导峰被压低. 2)界面对两个能带的散射作用不为零时, 随着带间相互作用的增大, s_± 波和s₊₊ 波两能隙处的峰值将降低, 而两峰间的凹陷值将变大; p波的零偏压电导峰被压低, 非零偏压电导增大. 3)界面对每个能带的散射, 可使其产生的电导峰变得更加尖锐, 但可压低和抹平另一个带产生的电导峰值. 这些结果对于澄清铁基超导体的能隙结构和区别不同类型铁基超导体有所帮助.     

Numerical study of IP3-induced Ca2+ spiral pattern evolution

The effect of change in concentration of messenger molecule inositol 1,4,5-trisphosphate (IPspiral wave, Ca$^{2 + }$, IPspiral wave, Ca$^{2 + }$, IP$_{3}$Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos 10575041 and 10747005)0545The effect of change in concentration of messenger molecule inositol 1,4,5-trisphosphate (IP$_{3})$ on intracellular Ca$^{2 + }$spiral pattern evolution is studied numerically. The results indicate that when the IP$_{3}$ concentration decreases from 0.27\,$\mu $M, a physiologically reasonable value, to different values, the spiral centre drifts to the edge of the medium and disappears for a small enough IP$_{3}$ concentration. The instability of spiral pattern can be understood in terms of excitability-change controlled by the IP$_{3}$ concentration. On the other hand, when the IP$_{3}$ concentration increases from 0.27\,$\mu $M, a homogeneous area with a high Ca$^{2 + }$ concentration emerges and competes with the spiral pattern. A high enough IP$_{3}$ concentration can lead the homogeneous area to occupy the whole medium. The instability of spiral pattern is ascribed to the change in stability of a stationary state with a high Ca$^{2 + }$ concentration.     

Theoretical studies on [2 + 2 + 2] reaction mechanisms of three ethynes. More accurate estimation of activation energy

The mechanisms of the [2 + 2 + 2] cycloaddition reaction of three ethyne molecules were studied by ab initio molecular orbital and density functional methods. The transition states range from that of the concerted mechanism with D_3h symmetry to that of the stepwise mechanism with C₂ symmetry. The transition state structure and the activation energy depend on the basis set and computational method employed in the analysis. The activation energy barrier was determined to be in the range of 36–44 kcal/mol. The activation energy determined by various methods corresponds to the interaction energy, which is related to the electron correlation energy. The best estimation of the activation energy barrier is 41.6 kcal/mol, achieved from the relation between the interaction energy and the activation energy. Copyright © 2013 John Wiley & Sons, Ltd.     

硅基掺锰富硅氧化硅薄膜的电致发光

硅光子学中的关键问题是研制高效率的硅基光源,文章为此提出了一种实现硅基发光的方法。采用共溅射的方法在n＋型重掺杂硅衬底上制备了富硅氧化硅（SiO2∶Si）薄膜,然后用热扩散法进行了锰（Mn2＋）掺杂和光学活化。高分辨透射电镜观察表明薄膜中形成了3～5 nm的硅纳米晶体。该薄膜在紫外光照射下发射出明亮的绿光,光致发光谱峰位在524 nm（2.36 eV）,一般认为这是来自Mn2＋能级4T1 →6A1基态跃迁的绿光辐射;其荧光寿命为0.8 ms。将该掺锰富硅二氧化硅（SiO2∶Si∶Mn2＋）做成电致发光结构,在低反偏电压下观察到近乎白色的电致发光（EL）,光谱范围覆盖了400～800 nm。研究表明,该电致发光谱来源于薄膜中的Mn2＋以及氧化硅中的缺陷发光中心两者光谱的叠加;Mn2＋的发光是靠薄膜中的热电子来激发的;并由此探讨了薄膜中的硅纳米晶体在电致发光过程中的作用。     

Eu2+的掺杂浓度对BaAl2Si2O8:Eu2+荧光粉发光特性的影响

采用化学共沉淀法一次煅烧工艺合成了BaAl2Si2O8:Eu2+蓝色荧光粉.用X射线衍射仪和荧光分光光度计等对BaAl2Si2O8:Eu2+蓝色荧光粉的相结构、发光性能进行了测试.结果表明:化学共沉淀法一次煅烧工艺合成的BaAl2Si2O8:Eu2+蓝色荧光粉为单相;其激发光谱分布在240-410 nm的波长范围,峰值位于320 nm处,可以被InGaN管芯产生的350-410 nm辐射有效激发;在365 nm近紫外光的激发下,测得其发射光谱是位于465 nm附近的宽带峰.BaAl2Si2O8:Eu2+蓝色荧光粉的发光强度随Eu2+浓度的增大逐渐加强,当Eu2+掺杂的摩尔分数为3.5%时,发光强度达到最大值,而后随掺杂浓度的增加而减小,发生浓度猝灭;根据Dexter能量共振理论,该浓度猝灭是由于Eu2+的离子间交换相互作用引起的.     

Zn（Ⅱ）-槲皮素螯合机理的紫外分光光度法研究

采用紫外分光光度法研究Zn^2＋离子与槲皮素在乙醇溶液中形成螯合物量配比及螯合机理。通过定量的槲皮素、山萘酚、柚皮素乙醇溶液与Zn^2＋离子作用,在426nm处测其溶液的吸光度,从而确定Zn^2＋）离子与槲皮素的螯合比为2：1。且螯合位置发生在槲皮素分子3-羟基和4-羰基上与3′,4′-OH位置。     

紫外激发的LiCaPO_4:Eu~(2+)蓝色发光粉的发光特性

采用高温固相法合成了LiCaPO4:Eu2+蓝色发光粉,并对其发光特性进行了研究。该发光粉发射峰值位于470nm,属于Eu2+的4f65d1→4f的特征跃迁发射,与结构相似的LiSrPO4:Eu2+和NaBaPO4:Eu2+相比其峰值有明显红移。Eu2+在LiCaPO4晶体中可被250～440nm光有效激发,这与紫外发光二极管的发射光谱(350～410nm)匹配。考察了Eu2+的掺杂浓度对发光强度的影响,最佳掺杂摩尔分数为5%,摩尔分数超过5%后发生猝灭现象。浓度猝灭机理为电多极-电多极的交互作用。LiCaPO4:Eu2+是适合UV-LED管芯激发的白光发光二极管用高亮度蓝色发光粉。     

Ba_2B_2P_2O_(10):Eu~(3+)材料的光谱特性

采用高温固相法合成了Ba2B2P2O10:Eu3+材料,并研究了材料的光谱特性。在400nm近紫外光激发下,材料的发射光谱由4组线状峰组成,峰值分别为600,618,627和660nm,分别对应Eu3+的5D0→7F1,7F2,7F3和7F4跃迁。研究了Eu3+掺杂浓度及电荷补偿剂对材料发射强度的影响,结果显示,随Eu3+掺杂浓度的增大,材料的发射强度增大,并未出现浓度猝灭效应,同时,添加电荷补偿剂可增强材料的发射强度。     

硅烯/dx2-y2+idxy混合波超导隧道结隧道输运性质研究

运用Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论研究了硅烯/dx2-y2 +idxy 混合波超导隧道结的隧穿性质.研究发现:垂直施加的电场、超导配对势的方向角和两种混合波配对能隙的比值Δ1/Δ0 强烈地影响正常反射、Andreev反射和隧穿电导的值;当两种混合波的序参量比值较大时,隧道谱线在外加偏压E =Δ1 处出现谐振峰;系统的隧穿电导、正常反射幅和Andreev反射幅随超导方向角成周期性变化,变化周期为π/2;由于dxy-波的存在,通过改变外加电场可以对隧穿电流加以调控。     

绿色长余辉材料MgAl_2O_4∶Mn~(2+)的合成及其发光特性

采用高温固相法在1350℃下合成了Mn2+掺杂的MgAl2O4发光材料,利用X射线衍射对所合成样品的结构进行了表征。用209nm的紫外灯照射样品后,观察到来自Mn2+的4T1-6A1跃迁的绿色长余辉发光。发光的激发光谱表明:Mn2+-3d组态内存在一系列强的激发峰,分别在279,361,386,427,451nm,同时还有209nm处的Mn-O电荷迁移带,激发该吸收带会产生很强的绿色余辉。测量了余辉的衰减曲线及热释光谱,分析了Mn2+掺杂浓度对样品余辉性质的影响,给出了余辉产生的可能模型。     

The effect of composition on structural and electronic properties in polycrystalline CuGaSe2 thin film

Polycrystalline CuGaSe2 thin films on Mo-coated soda-lime glass substrates have been synthesized by coevaporation process from Cu, Ga and Se sources. Structural and electrical properties of the as-grown CuGaSe2 films strongly depend on the film composition. Stoichiometric CuGaSe2 is fabricated, as indicated by x-ray diffraction spectroscope （XRD） and x-ray fluorescence （XRF）. A two-phase region is composed of CuGaSe2 and Cu2-xSe phases for Cu-rich films, and CuGaSe2 and CuGa3Se5 phases for Ga-rich films, respectively. Morphological properties are detected by scanning electron microscope （SEM） for various compositional films, the grain sizes of the CuGaSe2films decrease with the extent of deviation from stoichiometric composition. Raman spectroscopy of Cu-rich samples shows that there exist large Cu-Se particles on the film surface. The results from Hall effect measurements for typical samples indicate that CuGaSe2 films are always of p-type semiconductor from Cu-rich to Ga-rich. Stoichiometric CuGaSe2 films exhibit relatively large mobility than any other compositional films. Finally, polycrystalline CuGaSe2 thin film solar cell with a best conversion efficiency of 6.02% has been achieved under the standard air mass （AM）1.5 spectrum for 100mW/cm^2 at room temperature （aperture area, 0.24cm^2）. The open circuit voltage of the CuGaSe2 solar cells is close to770 mV.