多模光纤耦合InGaAsP/InP单光子探测器模块

针对1 064 nm波段高灵敏激光测距应用,设计了一种由单光子雪崩光电二极管(SPAD)、微型热电制冷器(TEC)、主动淬灭主动恢复电路(AQAR)、温控单元、高压单元、FPGA等混合集成的高性能单光子探测器模块.SPAD芯片采用了分离吸收渐变电荷倍增(SAGCM)的InGaAsP/InP材料结构设计,内部电场分布经Matlab软件仿真,结果显示该结构具有良好的增益特性.SPAD芯片通过TEC制冷保持低温工作来降低暗计数以抑制器件的噪声.低延迟AQAR由高速比较器与宽带放大器构成,淬灭时间约为1.2 ns,有效减少了后脉冲效应.测试结果表明,在-30℃,探测效率为30.2％下,暗计数率仅为1.9 kHz,在死时间为0.8μs时,后脉冲为10.4％.通过集成化设计的单光子探测器模块具有探测效率高和暗计数率低的优势,能够满足小型化激光测距应用需求.     

InGaAsP/InP激光晶体管

日本松下电器制作出InGaAsP/InP激光晶体管,在室温附近已实现连续振荡。激光晶体管是具有半导体激光器和异质结双极晶体管(HBI)两种光功能的集成器件,该公司着眼于研制在饱和时发光的HBT。该器件的光电子集成度很高,光学器件和电学器件的外延结构相同。器件结构是:在n-InP衬底上用液相外延法依次生长集电极层、基极层、发射极层,顶层。基极层由p-InGaAsP构成,厚0.2μm,宽几μm,杂质浓度是1×10~(17)cm~(-3)。发射极层、集电极层是n-InP(5×10~(17)     

InGaAsP/InP光电晶体管

本文介绍在光通信和光一电子IC中使用的,用InGaAsP/InP四元材料制作的新的穿通肖特基·克莱克特光电晶体管(SCPT)和达林顿光电晶体管。图1是SCPT剖面图。从Au和p-In_(0.73)。Ga_(0.27)As_(0.63)P_(0.37)的功函数之差算得肖特基接触的内建电势差为0.77伏。Au/p-InGaAsP肖特基接触的Ⅴ-Ⅰ曲线与四元层表面的处理有很大关系,如图2所示。用Br CH_3OH腐蚀而用水冲洗收尾,其击穿电压最大。椭圆对称测量表明,用这一工艺形成了大约60(?)的氧化层,在白色光的照射下,所制作的     

高性能InP/InGaAs宽光谱红外探测器

InP/In0.53Ga0.47As短波红外探测器是一种高性能的近室温工作器件,从200K到室温下都能获得较好的器件性能,从而大大降低了对制冷的要求.为了充分利用目标在可见光和短波波段的光谱信息,通过特殊的材料结构设计和器件背减工艺,成功实现了320×256InP/InGaAs宽光谱红外探测器,能够同时对可见光和短波红外响应,并从77 K到263 K工作温度下实现了对人脸、计算机及室外2.3 km处的景物成像.测试样管平均峰值探测率为2×1012 cmHz1/2/W,光谱响应为0.6～1.7 μm,光谱响应测试和成像结果同时验证了InP/InGaAs宽光谱探测器对可见光信号的探测.相比标准的InP/In0.53Ga0.47As短波探测器,InP/InGaAs宽光谱探测器显示了可见/短波双波段探测的效果,大大丰富了探测目标的信息量,可显著提升对目标的识别率.     

可见光拓展InP/InGaAs宽光谱红外探测器

由于标准InP/In0.53Ga0.47As短波红外探测器的响应波段为0.87~1.7 m,在高性能夜视中具有重要的应用。为了进一步利用夜天光在可见光区间的辐射能量,需要将InP/In0.53Ga0.47As短波探测器的光谱响应拓展到可见光,从而实现包含可见光和短波波段的宽光谱探测。通过特殊的材料设计和背减薄工艺,成功研制了可见光拓展的320256 InP/InGaAs宽光谱红外探测器。采用增加滤光片的方法完成了器件在可见光、短波的成像演示,结果表明:目标在可见光、短波波段呈现出不同的特征信息,而不加滤光片的可见光拓展InP/InGaAs宽光谱红外探测器则探测到两个波段的信息,既包含目标的可见光信息同时也具有短波信息,从而实现了可见/短波双波段探测的效果,可显著提升对目标的探测能力。     

InP/InGaAs PIN红外探测器增透膜的研究

简单介绍了单层增透膜的基本工作原理,并理论计算了增透膜为SiO2和Si3N4时InP/InGaAs PIN探测器的透射率.计算结果表明Si3N4的增透效果要优于SiO2,通过测试淀积有Si3N4增透膜的探测器的响应度,并和理论计算的透射率进行比较,研究了不同的淀积工艺对响应度的影响和探测器在不同应用时膜厚的设计方法.     

InP/InGaAsP/InP DH结构的空间分辨光谱

本文主要报道我们对InGaAsp/Inp DH结构进行电注入的空间分辨光谱的测量,进一步证实1.3μmDH激光器的950nm光能发光带确实来自InP限制层。采用的样品是1.3μm包含有N-Inp/InGaAsP/P-InP(各层厚度分别为10μm/0.5μm/2μm)的DH激光器。激光器的出光方向通过显微镜物镜,在单色仪狭缝上成放大象,当沿垂直于DH结     

γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器性能的影响

对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器（SPADs）进行了总剂量为10 krad（Si）和20 krad（Si）的γ辐照,并进行了原位和移位测试。辐照后,暗电流和暗计数率有轻微的下降,而探测效率和后脉冲概率基本不变。经过一定时间的室温退火后,这些退化基本恢复,这表明瞬态电离损伤在γ辐照对InGaAsP/InP单光子雪崩探测器的损伤中占主导地位。     

InGaAsP/InP双波长BH Laser

<正> 日本公用电报电话公司武藏野电气通信实验室制造了一种发射波长为1.26和1.55μm的新型双波长BH Laser。两个有源层之间的间隔只有2～3μm,并且能对每个有源层独立地进     

InGaAsP/InP正方形微腔激光器

采用平面工艺制作的定向输出微腔半导体激光器是集成光学同路的理想光源.近十几年来,以微盘为代表的回音壁模式(whispering-gallery mode)微腔激光器引起人们很大的重视.但圆对称的微盘激光器缺乏定向的激光输出,人们往往利用输出波导与微盘实现消逝波耦合或通过改变微盘的对称性来实现定向输出.最近几年,多边形微腔如止三角形、正方形、长方形、六边形等多边形光学微腔也引起人们的重视.多边形光学微腔中也能有高Q值的类回音壁模式.而且由于不具有圆对称性,其模式特性有利于简单地实现定向光输出.     

InGaAsP/InP超辐射集成光源

为提高半导体超辐射器件的输出功率 ,采用直接耦合的方法 ,将超辐射发光管 (SL D)与半导体光放大器 (SOA)单片集成 ,制得了 1.3μm超辐射集成光源 ,其脉冲输出功率为 50 m W,光谱宽度 (FWHM)为 2 8.9nm。通过对放大器增益特性的讨论 ,得出了既能稳定器件性能 ,又可以提高输出功率的有效工作方案。     

高频大功率InGaAsP/InP SPB-BC激光器

在普通掩埋新月型激光器的基础上,提出了一种高频大功率的InGaAsP/InP激光器结构——选择性质子轰击掩埋新月型(SPB-BC),并对激光器结构模型进行了理论分析。采用p-InP衬底,最大输出功率为80mW。500μm腔长激光器,它的调制带宽可以达到6.0GHz。     

InGaAsP/InP DH激光器的可靠性

<正> 一、引言 1.3μm和1.55μm的InGaAsP/InP DH激光器是长距离、大容量光纤通信系统最有希望的光源,因为在这两个波长下石英光纤的传输损耗和材料色散最低。随着陆地长途和海底电缆实用化传输系统的进展,对激光器的长寿命和高可靠性能要求日益提高。近年来围绕InGaAsP/InP激光器的退化方式、应力影响、失效机理等方面开展了某些研究工作。初步的研究结果已经证实InGaAsP/InP DH激光器与GaAlAs/GaAs激光器相比,在长寿命器件性能方面具有更大的潜力。     

InGaAsP/InP激光晶体管的基本特性

我们论证了一种具有半导体激光器和异质结双极晶体管两种功能的新型异质结器件,该器件可适用于高度多功能光电集成电路.它能控制激射功率和输出电流.已首次完成InGaAsP/InP横向电流注入激光器在室温上下、左右的连续(CW)工作.     

InGaAsP/InP集成光电子器件的新进展

本文主要评述InGaAsp/InP集成光电子器件的几种结构设计和制造工艺以及典型结果。     

InGaAsP/InP双波长BH激光器阵列

<正> 日本公用电报电话公司武藏野电气通信实验室报导,他们已经制造出发射波长为1.26和1.55μm双波长BH激光器阵列。两个BH激光器之间的间隔是30μm,在室温下两个激光器能     

V形槽衬底InGaAsP/InP BH激光器

<正> 日本富士通实验室研制了一种发射波长为1.3μm的BH激光器:V形槽衬底BH激光器(VSB)。在这种结构中,有源层埋在衬底上的V形槽内。为了制作这种激光器,研制出一种腐蚀方法,用这种方法在<011>方向上形成V形槽。25℃时CW阈值电流范围在10～20mA。一直到20mW/端面的光功率均可获得稳定的基横模激射。CW激射的最高温度为100℃。纵模是多模,然而其包络半最大点的全宽(FWHW)典型值低于3nm。动态特性呈现出     

InGaAs/InP红外雪崩光电探测器的研究现状与进展

近年来,量子卫星通信、主动成像等先进技术的应用取得了较大的进展,InGaAs/InP雪崩光电探测器作为信息接收端的核心器件起到了至关重要的作用.本文系统介绍了InGaAs/InP雪崩光电探测器的工作原理,分析了器件结构设计对暗电流特性的影响,对盖格模式下多种单光子探测电路进行了综述,同时对新型金属-绝缘体-金属结构设计的研究进展进行了介绍和展望.     

InGaAsP/InP外延薄膜折射率与厚度测量

本文报道一种应用波导耦合光栅测量InGaAsP/InP外延薄膜折射率与厚度的方法。该法测量精度高,具有非破坏性与工艺实时性优点。外延薄膜折射率与厚度测量精度分别可达到±2×10~(-3)与±1×10~(-2)μm,这完全满足DFB与DBR等一类半导体激光器以及有源导波光学器件的设计需要。     

InGaAsP/InP双异质结激光器的研究

近年来,激光通讯技术在国内外迅速发展。作为长波长激光通讯光源的InGaAsP/InP激光器也在不断改进,目前国际上已开始进入实用化阶段。我们从1979年开始研制InGaAsP/InP双异质结激光器,同年实现室温脉冲激射,今年10月初做出18℃下连续激射的样品,11月份实现了室温以上连续激射。器件波长为1.1μ,连续工作温度最高可达40℃以上,室温连续激射阈值电流最低可低于200mA。目前正在进行加电工作试验,20～25℃下连续工作已超过500小时,未见失效,这一工作还在继续之中。本文分三个部分报告InGaAsP/InP双异质结激光器的研制情况。