Eu(DBM)_3Phen掺杂聚甲基丙烯酸甲酯静电纺丝荧光纤维

通过静电纺丝技术获得直径约为700 nm,均匀且随机取向的亚微米级Eu(DBM)3Phen/PMMA纤维。在紫外光辐射下,亚微米级荧光纤维发出明亮的红色荧光。其激发光谱表明,荧光纤维有效激发波长范围为200~400 nm。利用积分球配以CCD探测器,在367 nm长波紫外LED激发下对荧光纤维开展绝对光谱功率测试。当LED泵浦功率为535.76#W时,厚度80#m的Eu(DBM)3Phen/PMMA纤维薄层对紫外辐射的吸收率高达89%,350~850 nm范围内发射的总绝对光谱功率、总光子数和总荧光量子产率分别为36.56#W、11.46×10~(13)cps和12.94%。亚微米级Eu(DBM)_3Phen/PMMA纤维薄层中,Eu~(3+)较高的跃迁发射几率及较大的发射截面使得纤维可以高效吸收紫外辐射并转变为可见光,在提高太阳能电池光电转换效率方面具有潜在应用价值。     

稀土配合物Eu(DBM)_3 phen/聚丙烯复合薄膜的光学性质

制备了Eu(DBM)3phen掺杂的聚丙烯(PP)薄膜复合材料。利用发光光谱技术,分别展示了Eu(DBM)3phen和Eu(DBM)3phen/PP薄膜的稳态光致发光光谱,比较了这两种材料的发光寿命。与纯的Eu(DBM)3phen相比,该复合材料的发光稳定性有较大的提高;观察到了折射率边界对Eu3+自发辐射速率的影响。     

静电纺丝法制备聚丙烯腈/银纳米粒子复合纳米纤维及其SERS特性

利用静电纺丝技术制备了一种聚丙烯腈/银纳米粒子复合纳米纤维的表面增强拉曼光谱基底。通过调节聚丙烯腈溶液的浓度可得到不同直径、不同厚度的纤维薄膜,将聚丙烯腈的N,N-二甲基甲酰胺溶液与硝酸银溶液混合得到聚丙烯腈/Ag种子溶液,然后利用静电纺丝技术制备聚丙烯腈/Ag种子/AgNO₃复合纳米纤维;加入AgNO₃并利用水合肼二次还原后可制备适合拉曼检测的聚丙烯腈/Ag纳米粒子复合纤维膜,聚合物纤维表面和内部的金属纳米粒子的密度可调节。通过调节不同的纳米粒子的密集程度,可构筑出具有较高的电磁场增强效果的特殊的“热”结构(高局域强电磁场的亚波长区域)。而聚合物纤维内部的银纳米粒子可通过溶胀作用吸附更多的探针分子,提高拉曼检测的灵敏度。该基底有很好的SERS信号,并且可大规模制备。     

静电纺丝法制备TiO_2/ZnO复合纳米纤维

利用溶胶—凝胶的方法,将不同量的乙酸锌、钛酸丁酯溶剂及高分子材料混合搅拌,从而获得不同比例的前驱体溶液,然后经过静电纺丝及高温煅烧,获得一维TiO2/ZnO复合纳米纤维,通过扫描电子显微镜对其形貌进行观察,并用XRD确定其组分。     

静电纺Ag/WO3复合纳米纤维及其光催化性能

为了研究氧化钨(WO_3)和银/氧化钨(Ag/WO_3)纳米纤维光催化性能,利用静电纺丝技术制备了WO_3和Ag/WO_3复合纳米纤维。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis),对样品的物相结构、形貌大小和紫外-可见漫反射光谱等进行了表征。在可见光照射下,比较WO_3和Ag/WO_3纳米纤维光催化降解亚甲基蓝(MB)的性能,结果表明,在90 min时,Ag/WO_3复合纤维光催化降解MB效率比WO_3纤维高1.3倍,从能带结构角度分析了Ag/WO_3复合纤维光催化效率增强的原理。     

La6WO12：Eu3+纳米荧光粉的合成及荧光纳米纤维膜的制备

采用Pechini法合成了La6WO12:Eu3+纳米荧光粉.分别用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、热重分析(TG-DTG)、反射光谱,荧光光谱和发光衰减曲线对样品进行了表征.该荧光粉可以被395nm的近紫外光有效激发,进而得到峰值波长位于615 nm(电偶极跃迁5D0→7F2)左右的红光发射.将该...     

载体MCM-41对Tb(aspirin)3phen发光性能的影响

在室温下,乙二胺环境中合成了高度有序的介孔材料MCM-41,并将经热处理的发光客体Tb(aspi-rin)3phen组装进其孔道,通过激发发射光谱对其光致发光性能进行了研究。结果表明,Tb(aspirin)3phen240～375 nm区间的宽激发峰归属于配体aspirin羰基n→π*跃迁、苯环π→π*跃迁,和phen的杂菲基团吸收,Tb3 的特征发射是由于Antenna效应引起的。相对于纯Tb(aspirin)3phen,Tb(aspirin)3phen-MCM-41B和Tb(aspirin)3phen/MCM-41A的激发谱带出现了明显的分裂,而Tb(aspirin)3phen-MCM-41A只在353nm处剩下了相对较窄的单峰。Tb(aspirin)3phen-MCM-41B,Tb(aspirin)3phen/MCM-41A和Tb(aspirin)3phen-MCM-41A的短波段激发峰依次减弱消失,长波段激发峰逐渐增强,而405 nm发射峰强度IL和544 nm发射峰强度ILn的比值I(I=IL/ILn)依次减小。MCM-41骨架与Tb(aspirin)3phen成键后,不同程度降低了配体aspirin和phen单重态S1和三重态T1能级,且对phen的影响大于aspirin。不同的MCM-41表面晶格场对配体能级的影响顺序为:MCM-41B外表面>MCM-41A外表面>MCM-41A内表面。I值可定性表示MCM-41表面晶格场对配体能级影响程度和MCM-41表面Tb(aspirin)3phen的含量。     

CaZn2(PO4)2:Eu3+的制备及其发光性能

采用高温固相法合成了CaZn2( PO4)2:Eu3+橙红色荧光粉,研究了其发光特性.该荧光粉在350 ～410nm处有一个宽带激发,其激发主峰位于394 nm.在紫外激发下,发射峰分别由Eu3的5D0→7F1(585,595nm)、5D0→7F2(615、622 nm)、5Do→7F3 (645 nm)及5Do→7F...     

键合型PU/Eu(Cit)Phen荧光纳米纤维制备与表征

合成了含-OH(羟基)的Eu(Cit)Phen(铕-柠檬酸-邻菲咯啉)三元配合物与端-NCO(异氰酸酯)基PU(聚氨酯)预聚物,通过一OH与一NCO间加成反应及l,3.丙二醇扩链反应制备键合型PU/Complex稀土高分子材料,将其溶液经静电纺丝制得具有荧光性能的纳米纤维.采用FT-IR、SEM、XRD、DSC和PL对...     

Eu3+配合物掺杂聚合物的制备与光谱性能研究

以噻吩甲酰三氟丙酮(2-thenoyltrifluoroacetone , TTFA), 六氟乙酰丙酮(hexafluoro- acetylacetone, HFA)和甲基联苯甲酰(dibenzoylmethide, DBM) 分别为配体合成了Eu3+的三种β-二酮类配合物Eu(TTFA)3、Eu(HFA)3和 Eu(DBM)3,以及掺杂这三种配合物的聚合物（聚甲基丙烯酸甲酯,PMMA）,并用分光光度计对它们的荧光光谱特性进行了分析研究.结果表明,三种配合物中Eu(TTFA)3荧光强度最强,并分析了其原因,发现能级匹配、配体取代基、配体结构对称性等均对配合物发光效率有重要的影响.通过比对,证明了TTFA是Eu3+发红色荧光的优良配体.进一步研究还发现,Eu(TTFA)3掺杂PMMA中稀土离子的荧光强度和荧光寿命均随掺杂浓度（质量分数为0.08～0.5）的增加而增大.     

无机基质MCM-41掺杂Yb3+对组装体中客体Tb(aspirin)3phen发光性能的影响

在室温下,以掺Yb3+的MCM-41作为主体,"热处理"后的Tb(aspirin)3phen作为发光客体,将其进行组装,通过XRD和N2-吸附脱附和IR对组装体的结构和物理性质进行了研究.利用激发和发射光谱分析了组装体的光致发光性能和主客体关系.采用了一种新型的掺杂方法"直接焙烧法",用以避免在试样合成中掺杂离子的损失.在Yb/MCM-41和Tb(aspirin)3phen-Yb/MCM-41的XRD谱图中同时在20=2.6时出现了(100)晶面衍射峰,表明试样为规则有序,六方结构的MCM-41材料.Tb(aspirin)3phen进入Yb/MCM-41孔道后,无机骨架的有序性进一步增加.相对于MCM-41,Yb/MCM-41在IR谱图中波数963cm-1的谱带减弱,表明Yb3+已经进入无机骨架.另外,波数1 384 cm-1的吸收谱带也能提供组装体Tb(as-pirin)3phen-MCM-41中成键的特征信息.PL测试结果表明,Tb(aspirin)3phen在240～375 nm区间的宽激发吸收分别归属于配体aspirin羰基n→π跃迁,苯环,π→π跃迁和phen的杂菲基团吸收.对客体Tb(aspirin)3phen进行热处理,能增强Tb(aspirin)3phen在MCM-41孔道中的发光效率,并且当基质MCM-41硅骨架掺杂Yb3+后,组装体的发光强度进一步增强,当Yb/Si=7.579×10-3时,发光强度最高.     

共溅射和离子注入制备的SiO_2(Eu)薄膜中Eu~(3 )到Eu~(2 )的转变

采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO2 方法得到SiO2 (Eu)薄膜 ,Eu离子的浓度为 4%和 0 .5 % .对样品X射线吸收近边结构 (XANES)的研究和分析表明 ,在高温氮气中发生了Eu3 向Eu2 的转变 .SiO2 (Eu)薄膜高温氮气退火下蓝光的发射证明了这一结论     

沉积法自组装三维有序的Eu(DBM)3Phen/SiO2胶体球

采用修饰的St ber法合成了300 nm的Eu(DBM)3Phen/SiO2胶体杂化球,并通过沉积法将这种胶体杂化球组装成厚度为5 mm,面积为12 cm2的三维有序结构。通过扫描电子显微镜观察发现这些胶体球在垂直于烧杯底面的所有层面中都显示了立方密堆积的结构。元素分析进一步证实了荧光分子被包埋在SiO2胶体球中。在355 nm的激发下,这种三维有序结构具有铕离子的特征发射。     

含铕配合物荧光纳米纤维的制备及光学性质的研究

通过静电纺丝技术,将发光良好的稀土配合物Eu(DBM)₃·H₂O和Eu(DBM)₄·CPC纳米微粒复合到水溶性的聚乙烯基吡咯烷酮中,制备了具有稀土铕离子红色特性荧光的聚合物纳米纤维。通过对稀土配合物以及聚合物纳米纤维样品扫描电镜和透射电镜的测试,发现当稀土配合物复合到聚合物纳米纤维中后,由于与聚乙烯基吡咯烷酮乙醇溶解性良好,其微观结构发生了变化,得到了50～100 nm左右的比较均匀的线状结构。同时,通过对稀土配合物以及聚合物纳米纤维样品的荧光激发、发射光谱及荧光寿命进行研究,表明稀土配合物在聚合物纳米纤维中比其在粉末状有更高的发光强度及更长的荧光寿命,其原因在于高分子纳米纤维为稀土配合物提供了较稳定的化学环境。     

以Eu_2(CA)_3(phen)_2为掺杂剂的Eu~(3+)/TiO_2纳米粉体的制备及其谱学性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了分别以Eu(NO3)3和Eu2(CA)3(phen)2(CA:樟脑酸;phen:1,10-菲咯啉)为前驱体,掺杂量为1%(原子摩尔比)的Eu3+/TiO2纳米粉体,通过差热-热重(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、红外光谱(FTIR)、紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis)和荧光光谱等分析手段,对样品的结构和谱学性能进行了对比研究。研究表明,稀土Eu3+以有机配合物Eu2(CA)3(phen)2为前躯体掺杂时,能更有效抑制TiO2纳米粉体的颗粒度增长和晶相转变温度;且UV-Vis吸收峰有一定的红移现象。2种样品中均产生了Eu3+578nm(5D0→7F0),590nm(5D0→7F1)和612nm(5D0→7F2)处的特征发射光谱峰,612nm处最强发射峰为Eu3+特征红色发射峰。当稀土Eu3+含量相同时,以有机配合物Eu2(CA)3(phen)2为前躯体制备的纳米粉体发光强度更大。     

微乳液法合成的Eu3+掺杂La2（MoO4）3材料及其发光性能

在微乳体系(十六烷基三甲基溴化氨/水/戊烷/戊醇)协助下,采用钼酸钠和硝酸镧通过微乳反应制备了具有不同微结构的La2(MoO4)3。在表面活性剂CTAB浓度由0.2 mol/L增加到0.4 mol/L的过程中,La2-( MoO4)3的结构由蚕蛹状逐渐转变成近球形。经800℃煅烧处理4 h后的La2( MoO4)3∶Eu3+材料通过396 nm紫外光激发,发射出由5 D0→7 F2的受迫电偶极跃迁产生的波长为617 nm红光,且当Eu3+掺杂摩尔分数达到20%时,发光强度达到最大。     

Ba(Mg1/3Nb2/3)O3电子结构第一性原理计算及光学性能研究

Ba(Mg_1/3Nb_2/3)O₃ (BMN)复合钙钛矿陶瓷具有高介电常数和高品质因子等介电性能, 预示了其在光学领域的应用前景. 本文采用第一性原理方法计算了BMN的电子结构, 对其本征光学性能进行分析和预测. 对固相合成六方相BMN的XRD 测试结果进行Rietveld精修(加权方差因子R_wp=6.73%, 方差因子R_p=5.05%), 在此基础上建立晶体结构模型并对其进行几何优化. 运用基于密度泛函理论(DFT)的平面波赝势方法, 对六方相BMN晶体模型的能带、态密度和光学性质进行理论计算. 结果表明BMN的能带结构为间接带隙, 禁带宽度E_g=2.728 eV. Mg-O和Ba-O以离子键结合为主, Nb-O以共价键结合为主, 费米面附近的能带主要由O-2p和Nb-4d 态电子占据, 形成了d-p轨道杂化. 修正带隙后, 计算了BMN沿[100]和[001]方向上的复介电函数、吸收系数和反射率等光学性质. 结果表明, BMN近乎光学各向同性, 在可见光区, 其本征透过率为77%< T <83%, 折射率为1.91< n <2.14, 并伴随一定的色散现象. 实验测试结果与理论计算结果相吻合.     

Lu2O3∶Eu3+纳米粉末及透明陶瓷的制备及其发光性能

采用共沉淀法和溶剂热法制备了Lu2O3∶Eu3+纳米粉体,通过X射线衍射谱、傅里叶变换红外光谱和扫描电镜照片,比较了两种方法制备的Lu2O3∶Eu3+粉末的微观结构,测量和比较合成粉体的激发与发射光谱.将获得的Lu2O3∶Eu3+煅烧粉体在不使用任何添加剂的情况下,干压成型制成素坯,先在真空中1100℃煅烧5h,氮气氛...     

共溅射和离子注入制备的SiO2(Eu)薄膜中Eu3+到Eu2+的转变

采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO₂方法得到SiO₂(Eu)薄膜,Eu离子的浓度为4%和0.5%.对样品X射线吸收近边结构(XANES)的研究和分析表明,在高温氮气中发生了Eu³⁺向Eu²⁺的转变.SiO₂(Eu)薄膜高温氮气退火下蓝光的发射证明了这一结论 关键词： 2(Eu)薄膜')" href="#">SiO₂(Eu)薄膜 XANES