金属电极对有机分子非弹性电子隧穿谱的影响

利用第一性原理计算金属电极下1,6-己二硫醇和1,4-二巯基苯分子结的非弹性电子隧穿谱,发现非弹性电子隧穿谱对金属电极的变化十分灵敏,并且非弹性电子隧穿谱的振动峰位置和强度与硫原子和金属电极表面的距离密切相关.结果表明电极材料和分子与金属成键的情况是影响分子结的非弹性电子输运的重要因素.理论分析进一步表明不同金属电极和有机分子的耦合能不同导致了谱峰强弱的调整.     

电极接触构型对辛烷硫醇分子非弹性电子隧穿谱的影响

本文选取辛烷硫醇分子通过终端S原子化学吸附于一端的Au原子团簇,另一端由碳原子物理吸附于Au原子团簇形成分子结,利用从头计算方法和非弹性散射格林函数理论研究了在三种不同电极接触构型下的该分子的非弹性电子隧穿谱的影响.计算结果表明,电极接触构型对分子体系的非弹性电子隧穿谱有着明显的影响.该工作有利于确定实验中分子电子学器件的电极接触构型.     

高能电子弹性和非弹性散射的动力学理论—多片层法

本文综述了弹性多片层理论在反射电子显微镜中的应用。根据实验事实,提出了弹性理论的局限性。进而从量子力学推导出描述高能电子非弹性散射的新多片层理论,并把它应用到计算电子与等离激元和固体声子相互作用的非弹性过程中。该理论可以用来模拟非弹性电子所成的高分辨原子场。     

YBa_2Cu_3O_7外延薄膜可重复的电子隧道谱

我们用YBa_2Cu_3O_7(YBCO)外延薄膜和蒸发的 Pb 膜制备了隧道结.这些隧道结具有很好的和可重复的特性.在高于块状 YBCO_t 临界温度以上,结的电导 G_n(V,T)与电压 V 和温度 T 有关.在150K,电导曲线可用下列公式来拟合:G_n(V,T)=G_n(0,T)+(V/10mv)^(1.65).低于90K 时,可以看到与 YBCO 的高 T_c 超导电性相伴随的结构;低于 Pb 的 T_c 时,还可以看到 Pb 的能隙以及声子所感应的结构.这些结构在所有的隧道结上是重复的,并且在40多天的时间内可重复测量许多次.由漏电电流很小(小于1%)以及 G(O,T)曲线在90K 处斜率突然变化,我们确信这些结构是 YBCO 的本征性质.我们估计出 YBCO 的能隙参数△=19meV,由此得出2△/kT_c=5.0在1.2K;零偏压电导 G(0,1.2K)是有限值,近于40%G(100mV,1.2K).这说明,在 YBCO 的超导态,Fermi 能级处是有状态的.     

非弹性电子隧道谱(IETS)

本文介绍了非弹性电子隧道谱以及它在生物大分子的辨认,痕量物质检测和非弹性电子隧道发光(LElT)等方面的应用.     

扫描隧道显微术中的微分谱学及其应用

文章介绍了扫描隧道显微术中微分谱学的原理及其在实验中的诸多应用。微分谱（dI／dV谱）和dI／dV成像可用来研究电子局域态密度在能量和空间的分布，即微分谱固定空间一点，反映电子态密度以能量为变量的分布；而dI／dV图像则反映某给定能量的电子局域态密度以空间为变量的分布，二次微分谱（d^2I／dV^2谱）和二次微分成像可以用来反映分子的非弹性隧穿过程，从而研究分子的振动态。     

扫描隧道显微术中的微分谱学及其应用

文章介绍了扫描隧道显微术中微分谱学的原理及其在实验中的诸多应用.微分谱(dI/dV谱)和dI/dV成像可用来研究电子局域态密度在能量和空间的分布,即微分谱固定空间一点,反映电子态密度以能量为变量的分布;而dI/dV图像则反映某给定能量的电子局域态密度以空间为变量的分布.二次微分谱(d2I/dV2谱)和二次微分成像可以用来反映分子的非弹性隧穿过程,从而研究分子的振动态.     

电子能量损失谱学和电子动量谱学

电子能量损失谱学和电子动量谱学经过近３０年的发展已成为原子分子物理的一个重要研究领域，并在化学、聚变等离子体和凝聚态物理等方面获得重要应用．文章介绍了它们的基本原理、最新进展和应用．     

隧道效应的转移哈密顿理论及隧道谱

本文介绍了金属-绝缘体-金属结构中隧道效应的转移哈密顿理论，讨论了非弹性隧道效应和弹性共振隧道效应以及它们的某些实验应用。最后简要介绍了近几年发展起来的一种新型表面分析技术——扫描隧道显微镜（STM）及其转移哈密顿理论给出的一些重要结果。     

反质子与原子核的非弹性碰撞

在扭曲波冲量近似的框架下,本文讨论了A(p,p)A非弹性碰撞.并具体地计算了能量为46.8MeV和179.7MeV的¹²C(p,p)¹²C的 2⁺,3^－态微分截面.用严格的分波法处理扭曲波.计算表明,反质子非弹性过程用DWIA是一个好的近似.同时,讨论了束缚态行为的重要性.由于反质子受核的强吸收原因,要求具有准确的核外束缚态波函数.     

超导非平衡隧道结隧道特性的理论研究

本文利用动力学方程研究了超导非平衡隧道结的I(V)特性,理论计算结果与双隧道结实验的测量结果能够很好符合。通过理论与实验的比较,我们得到了Al膜中电声子相互作用下的准粒子特征时间和声子俘获因子,同时表明,对于Al膜,电子-电子直接相互作用对于准粒子的弛豫起重要作用,而声子的逃逸时间是随着声子能量增大而减小的。     

气体分子的非完全弹性碰撞

讨论气体分子间的非完全弹性碰撞。     

He原子电离能谱和He的ls电子动量谱测量

介绍利用作者最近研制成功的先进的多功能（ｅ，２ｅ）电子能谱仪实验装置研制量得到的Ｈｅ原子电离能谱和Ｈｅ的ｌｓ电子动量谱实验结果。     

全电流超导隧道结电子模拟器

本文描述的电子模拟器完整地模拟了超导隧道结中的各项隧道电流,它包含了频率、温度和超导能隙的影响,并考虑了非线性准粒子电阻和电抗项的作用.论文简述了电子模拟器的基本原理、电路,给出了恒压源与恒流源两种偏置条件下的直流与交流 I-V 特性,还得到了上述两种偏置条件下的约瑟夫逊台阶及光子辅助的准粒子隧道效应台阶等高频行为.     

MBE生长氮化镓薄膜的X光电子谱和俄歇电子谱分析

用X光电子谱和俄歇电子能谱的方法对射频等离子体辅助分子束外延(MBE)技术生长的氮化镓(GaN)薄膜进行了表面分析和深度剖析.发现薄膜实际表面存在O和C吸附层,C主要为表面污染,而O形成一定的深度分布,从而影响氮化镓薄膜的电学和光学性质.     

铁氧化物中电子隧道现象的扫描隧道显微术研究

报道了利用扫描隧道显微术(STM)对金属表面氧化物层进行电子隧道谱研究的结果。在对两类铁晶体表面氧化层进行的隧道谱和势垒高度测量结果进行分析后表明,常温条件下形成的氧化层(Ⅰ类)应主要是Fe₃O₄;而在高温氧化条件下形成的表面层(Ⅱ类)的主要成分则应是Fe₂O₃。从而表明(STM)可用于研究铁表面氧化过程的不同阶段,并且由Ⅰ类氧化层的低势垒特性说明STM还可以用于观测此类氧化层的内部结构。类似研究方法还可应用到对一系列 关键词：     

NO在可见区的电子—振动发射谱

本文通过直流放电离解NO_2,研究了NO电子-振动发射谱在可见区的六个带系。结果表明每个带系均形成带序列,共观察到19个带序列计205个带。我们对各个带进行了标识并测量了其相对强度,同时就各序列的谱带结构进行了讨论。     

电子动量谱仪的研制和He原子的电子动量谱学实验

此文概要描述了国内首台电子动量谱仪的研制，以及利用这台谱仪对Ｈｅ原子进行电子动量谱学实验所得的结果。     

粗糙界面对铁磁半导体/d-波超导隧道结隧道谱的影响

考虑到铁磁半导体和d-波超导体中空穴的有效质量和费米速度错配,运用推广了的Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,研究了粗糙界面散射对铁磁半导体/d-波超导(FS/DS)隧道结的隧道谱的影响.研究表明:(1)铁磁半导体和d-波超导体中空穴的有效质量和费米速度错配对系统的微分电导影响显著;(2)粗糙界面散射对Andreev反射有抑制作用.