共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
2.
3.
4.
5.
6.
7.
本文报道一种染料激光,它的泵浦阈值比用氮激光泵浦的染科激光低几十倍,调谐范围大于300A,且光束质量好。该染料激光是采用Rh6G和Coumarine120,并用我们新研制成的轴向放电激励小型XeCl准分子激光泵浦的。文中还对该纵向XeCl准分子激光的某些性能作了介绍。 相似文献
8.
友清 《激光与光电子学进展》1998,35(8):30-33
大多数激光材料加工应用都落在两个范畴内,即宏观和亚微米范畴。宏观加工应用指的是焊接、切削和钢板、纸张、尼龙材料的切割。在加工尺寸的另一端,对半导体的亚微米加工可制作现代大容量存储器和中央处理器(CPU)芯片。介于这两者之间的加工方式称做加工,它复盖1μm~1mm之间的范围。读者可能已在广告和文章中看到微加工的图形,如刻写在人头发丝和微型金刚石齿轮上的字符。虽然这种图形有力地说明准分子激光在微加工方面的潜力,但直至最近,这种潜力还没有得到真正实际应用。随着微加工正在成为工业激光市场中最快增长部门之一,以… 相似文献
9.
本文报道了用XeCl准分子激光泵浦Rh6G染料激光振荡放大系统。分别研究了一级、二级的染料激光放大系统,测量了一些参量特性,获得了线宽为0.01A,调谐范围为470A的激光输出。二级放大的转换效率约为9%。 相似文献
10.
11.
友清 《激光与光电子学进展》1997,34(12):29-31
30多年来,汞弧光一直是制造集成电路的主要光刻光源。由于某些原因,这种灯对制造下一代半导体芯片并不是最佳的。下一代半导体芯片要求的特征尺寸小于0.25μm。汞弧光发射的光谱很宽,降低了分辨率和限制了关键特征的效果。由于汞孤灯发射的光只有少部分在深紫外、并只有少量深紫外光输到晶片表面,因此需要较长曝光时间,降低了产量。另外,新折射工具上透镜数值孔径(NA)很大,使焦深受到限制,减小了汞孤灯所极供的允许带宽。目前,半导体制造正在配合下一代器件的生产。以汞孤灯为基础的光刻机已开始认真地转向以准分子激光为基础… 相似文献
12.
用远红外HCN激光干涉仪测量等离子体电子密度 总被引:2,自引:0,他引:2
在大多数托克马克上,远红外激光干涉仪是等离子体诊断中的一种重要的装置。本文介绍了用远红外HCN激光干涉仪测量等离子体电子密度的原理和激光干涉仪结构,并给了了首次在我国第一以大型超导托克马克HT-7装置上测到的中心弦等离子体电子平均密度。 相似文献
13.
14.
激光激发等离子体温度空间分布测量研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用了一种激光激发等离子体温度空间分布测量的新方法,使用面阵CCD探测等离子体二维光谱,应用玻耳兹曼分布式解析获得激光等离子体温度,以YAG激光为激发源,Cu作样本,当脉冲激光能量为0.1J,脉宽为10ns时,所测得的靶面温度分布在12000K到14000K之间,挖高斯分布。 相似文献
15.
准分子激光20年 总被引:1,自引:0,他引:1
姚永邦 《光电子技术与信息》1995,8(5):1-6,38
本文简要地评述了准分子激光问世20年来的研究、发展与应用概况,并指出准分子激光的发展前景。 相似文献
16.
17.
18.
20.
用308nm准分子激光改变二氧化钛陶瓷的电导率 总被引:2,自引:0,他引:2
用308nm准分子激光对二氧化钛的陶瓷辐照,当能量密度高于阈值时,使其导电发生了显著的变化,室温下从原来的绝缘体转变为半导体。利用X射线衍射,X射线光电子能谱及显微分析等多种测试方法进行了分析,比较,稳定了该过程是由于高峰功率短脉冲的准分子激光对TiO2的快速熔凝作用,导致了氧的缺位,引起了化学配比偏离。 相似文献