PZN—PNN——PZT体系压电陶瓷

对ＰＺＮ－ＰＮＮ－ＰＺＴ四元素统压电陶瓷组成与性能的关系进行了研究。通过Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等元素对部分Ｐｂ的转换以及用Ｌｉ２ＣＯ３、Ｓｂ２Ｏ３等适当掺杂改性，可获得相对介电常数ε３３／ε０约７０００，压电应变常数ｄ３３约８００ｐＣ／Ｎ，机电耦合系数ｋｐ约０．６５的一系列高性能压电陶瓷，是用于制作压电超声马达及各类高档压电电声器件的良好材料。     

常,热压燃结0.3PZN—0.7PZT压电陶瓷性能比较

分别采用传统燃结与热压燃结的方法制备出了Ｐｂ０．９５５Ｌａ０．０３（Ｚｎ１／３Ｔｉ０．３３Ｏ３（０．３ＰＺＮ－０．７ＰＺＴ）改性三均系压电陶瓷材料系统比较了二者的综合性能,并较为深入地探讨了其性能差异的原因,研究结果表明,热压燃结试样的综合性能明显高于传统燃结试样,而致密度高、钙钛矿相含量高是热压试样性能优越的主要原因。     

Sr取代量对PMNS-PZT压电陶瓷的影响

采用铌铁矿先驱体法制备了Pb1–xSrx(Zr0.505Ti0.495)0.95(Mn1/3Nb1/3Sb1/3)0.05O3(PMNS-PZT)四元系陶瓷,考察了Sr取代量对其结构和性能的影响。结果表明:所得PMNS-PZT陶瓷材料为完全的钙钛矿结构,且随着Sr取代量的增加,经历了从四方-三方相共存再到完全三方相的相变过程,其准同型相界区间位于x为0.01～0.03。Sr取代量的变化对样品的显微组织结构影响不大。当Sr2+的取代量x为3%时,kp为0.528,Qm为1587,d33为263pC/N,0Tε33/ε为1411,tanδ为0.35%,能满足大功率超声电机的要求。     

PMS对PBSZT压电陶瓷结构与性能的影响

采用传统固相合成法制备了Pb(Mn1/3Sb2/3)O3掺杂的(1–x)(Pb0.92Ba0.02Sr0.06)(Zr0.52Ti0.48)O3-xPb(Mn1/3Sb2/3)O3[xPMS-(1–x)PBSZT]压电陶瓷。通过XRD、SEM和准静态d33仪等手段探讨了PMS掺杂量对xPMS-(1–x)PBSZT陶瓷样品的相结构、显微结构和电性能的影响。结果表明:适量的PMS掺杂有助于降低陶瓷样品的烧结温度,x=0.01的样品在1 230℃烧结具有最大体积密度7.83 g/cm3。当x=0.02时,其具有最佳综合电性能,主要参数为:d33=349pC/N,kp=0.592,εr=1 587,tanδ=0.46%。     

压电陶瓷振子中的损耗及其对振子特性的影响

分析了压电材料中的损耗现象,并用复数表示有损压电振子的各种参数。文章从压电振子的阻抗（或导纳）方程出发,详细分析了纵效应振动及横效应振动模式振子的谐振（或反谐振）频率、频率偏移量与损耗大小、机电耦合系数大小的关系。     

压电马达用压电陶瓷的研究

采用传统的电子陶瓷工艺制备了高性能四元系压电陶瓷 (PZN- PMS- PZT- r Mn O2 )。考察了不同剂量的锰掺杂对压电陶瓷的介电性能和压电性能的影响 ,即室温介电常数 ε、介电损耗 tanδ、居里温度 Tc、机电耦合系数 kp、压电常数 d33和机械品质因数 Qm。随着 Mn含量的增加 ,ε和 tanδ均减小 ;由于内偏置场的影响 ,居里温度 Tc随锰含量的增加而增加。kp 和 d33随 Mn含量的增加而减小 ;而 Qm 表现出较复杂的变化规律 ,随 Mn含量的增加 Qm先增加 ,当 r=0 .2 %时 ,达到最大值 10 0 0 ,当 r>0 .2 %时 ,Qm 下降。实验结果表明 :当 r=0 .2 %的锰掺杂压电陶瓷比较适合制作压电马达 ,其压电性能为 ε=12 0 0、tanδ=0 .0 0 4、Tc=349°C、kp=0 .6 0、d33=380 p C/ N和 Qm=10 0 0     

PNW对PMS-PZT压电陶瓷结构和性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了PNW-PMS-PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;随着PNW含量的增加,陶瓷晶粒逐渐长大;研究了室温下PNW含量对介电性能和压电性能的影响,实验表明,随着PNW含量的增加,介电常数rε、机电耦合系数kp和压电常数d33先增加,PNW含量为0.02 mol时分别达到最大值,然后降低;随着PNW含量的增加,介电损耗tanδ一直增加,机械品质因数Qm和居里温度TC始终降低。PNW含量为0.02 mol的压电陶瓷适合制作大功率压电陶瓷变压器。其性能为:rε=2 138,tanδ=0.005 8,kp=0.61,Qm=1 275,d33=380 pC/N和TC=205℃。     

预烧温度对PZN-PZT压电陶瓷电性能的影响

采用传统固相法制备了化学计量比为0.3Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3-0.35PbZrO3的压电陶瓷,研究了所制陶瓷的预合成温度对其微观结构和压电介电性能的影响。结果显示,当预合成温度大于800℃时可以获得纯钙钛矿相,低于800℃钙钛矿主晶相不明显且有很多杂相产生。当预烧温度为775℃时,经1 125℃保温3 h烧结的陶瓷具有最佳综合性能:d33=431 pC/N、k31=0.36、Ec=9.98×103 V/mm、Pr=22.52×10–6 C/cm2、εr=1 874、tanδ=0.024、ρ=7.88 g/cm3。     

不同铅气氛对PZMN陶瓷压电性能的影响

摘要：采用二次合成法制备了XPMN-(0．2-x)PZN-0．8PZT(x=0．05～0．20)四元系压电陶瓷(PZMN)，系统研究了铅气氛和非铅气氛条件对陶瓷显微组织，介电性能及压电性能的影响规律并探讨了铅气氛作用机制。实验表明在富铅气氛的作用下，PZMN体系具有较优的性能，尤其是x=0．10时，能获得综合优良的压电性能，相对介电常数ε^T33/εo=1000，介电损耗tanδ-0．0050，机电耦合系数Kp=0．52，品质因数Qm=2528，Tc=325℃，可以满足压电变压器等大功率器件应用方面的要求。     

Zr/Ti比及Sr掺杂对PNN-PSN-PMN-PZT压电陶瓷性能的影响

采用固相烧结法制备了五元系PNN-PSN-PMN-PZT压电陶瓷,通过X线衍射(XRD)研究了组分不同Zr/Ti比的相结构,并研究不同Zr/Ti比和Sr掺杂量对组分介电、压电性能的影响。研究表明,组分的相结构均为单一的钙钛矿结构;随着Zr/Ti比的增加,组分的相结构由三方相向四方相转变,且组分的准同型相界位于r(Zr)/r(Ti)=0.98附近;在r(Zr)/r(Ti)=0.98的组分中掺杂Sr发现,随着Sr含量的逐渐增加,压电陶瓷的介电和压电性能先增加后减小,当x(Sr)=4.0%时,介电和压电性能出现极大值,即介电常数ε~T_(33)/ε_0=3 578,压电常数d_(33)=652pC/N,机电耦合系数k_p=0.81,品质因数Q_m=65,介电损耗tanδ=1.72%,居里温度T_C=191℃,且具有典型的介电弛豫特性。     

A位取代对PZN-PNN-PZT压电陶瓷性能的影响

以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT压电陶瓷在r(Zr)/r(Ti)=1.03下,进行Ba2+,La3+的A位复合取代后,即式子在Pb0.92Ba0.04La0.04(Ni1/3Nb2/3)y(Zn1/3Nb2/3)z Zrm Tin O3时压电性能最佳,其介电常数εT33/ε0=5 657,压电常数d33=709pC/N,机电耦合系数kp=0.69,品质因数Qm=45,居里温度TC=180.9℃。     

一种新型大功分比的T 型微带不等功分器

微带T 型功分器,是阵列天线馈电网络中最常见的微带功分器。它容易实现各种形式的复杂馈电网络,但是难以实现大功分比,主要原因在于其中一个支路的阻抗变换段是高阻抗线,现有加工水平很难实现。理论 分析了通过单枝节网络等效替换高阻抗线的方法,可以实现大功分比。推导了单枝节网络的计算公式,并进行了仿 真研究,最后利用该方法制作了一个功分器,实测结果和仿真数据吻合良好,证明了该设计方法的有效性和正确性。     

Influence of O2/Ar Ratio on Optical Properties of ZnO Films

Al-doped ZnO films were prepared from Zn and AI alloy target by RF magnetron sputtering to study the effects ofthe oxygen on the properties of ZAO films.The relation between the transmittance and the O2/Ar ratio and the rule of optical properties under the same O2/At ratio were investigated.The results show that the best transmittance is obtained with a O2/Ax ratio of 1：35 at 200℃,while at 250"C the ratio of 1：30 is the best to get good quality films,at 300"C the ratio is 1：15. Under the same ratio of 1：25 the best transmittance is obtained at 200℃.     

高升压比交错并联Boost电路的分析

文章分析了传统Boost电路在实际应用中存在的问题,提出了一种改进型的交错并联Boost电路。在电感电流连续模式下,根据占空比大于或小于0.5的情况,详细分析电路的工作过程,推导了稳态情况下输出输入电压关系式,最后通过仿真验证了理论分析的正确性。     

多波长全光网络中信号消光比对零差串扰的影响

提出了一种分析光波长路由网络中零差串扰信号影响的改进算法。将已有的高斯和Gram-Char-lier级数近似这种零差串扰拍噪声方法所得到的数据结果与改进算法的数值结果相比较，证明改进的算法是正确的。通过进一步计算分析，获得在单个零差串扰信号情况下，信号消光比的变化对系统零差串扰水平要求的影响呈非线性关系的结论。     

基于交流电路中功率因数的分析

在交流电路中,把电源所供给的有功功率与电源的视在功率之比称为功率因数即cosφ(电压电流相位差的余弦)。交流电路中的功率因数并非在任何情况下都是cosφ;以整流电路为例,列举几个电路实例,详细地推导出计算有功功率,视在功率及cosφ的正确表达式,并说明其物理意义。     

A Graphene‐Based Vacuum Transistor with a High ON/OFF Current Ratio

A graphene‐based vacuum transistor (GVT) with a high ON/OFF current ratio is proposed and experimentally realized by employing electrically biased graphene as the electron emitter. The states of a GVT are switched by tuning the bias voltage applied to the graphene emitter with an ON/OFF current ratio up to 10⁶, a subthreshold slope of 120 mV dec^?1 and low working voltages of <10 V, exhibiting switching performances superior to those of previously reported graphene‐based solid‐state transistors. GVTs are fabricated and integrated using silicon microfabrication technology. A perfectly symmetric ambipolar device is achieved by integrating two GVTs, implying the potential of realizing vacuum integrated circuits based on GVTs. GVTs are expected to find applications in extreme environments such as high temperature and intense irradiation.     

G/T值自动化测试

G/T值是卫星地面接收系统的一项重要指标,常规测试方法耗时、费力、计算量大。通过工程实践详细论述利用射电星法测量地面大型天线系统的G/T值的原理及计算方法,论证G/T值自动化测试的可行性,并对测试过程中引入的测量误差进行了分析,给出G/T值自动化测试的实现方法及测试结果。该方法具有自动化程度高、测试指标精度高、测试速度快等特点,可广泛应用于各种卫星地面接收、航天测控等设备。     

大电流高开关比非晶硅薄膜二极管研究

报道了采用PECVD薄膜沉积技术制备的大电流、高开关比非晶硅薄膜二极管,在制备工艺温度低于200℃下,获得正向电流密度大于50A/cm-2,±3V偏压时开关比接近105的优质非晶硅薄膜二极管,完全符合三维集成电路(3D IC)中三维只读存储器(3D ROM)的要求。文中介绍了pin型二极管的结构设计和制造条件,并讨论了本征层材料厚度和微结构、界面匹配、电极材料等因素对二极管正、反向电流特性的影响。     

高功率密度比机载雷达发射机的结构设计

论述了高功率密度比机载火控雷达发射机的结构设计，提出了一简洁的结构形式，使其功率密度比达到近30w/kg，而且便于生产制造。