K3C60取向相变的同步辐射光电子谱研究

在190K,220K和300K3个不同温度下测量了K₃C₆₀单晶薄膜沿[111]方向发射的同步辐射角分辨光电子谱.样品温度为190K时,能够观察到导带有规律的角散,并且带结构与已报道的温度为150K时的结果基本一样.而在220K附近,导带的许多子峰消失,色散不再存在.这两个温度的实验结果与K₃C₆₀在200K存在取向相变相符合,并且可在反铁磁Ising模型基础上得到理解.这种模型的定量分析结果还首次对K₃C₆₀在200K的相变机理作出了解释,即相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子(约占40%)的混合.室温光电子谱与低温下的结果显著不同,对应于C₆₀分子取向在室温附近的动态无序.     

K3C60在200K附近的取向相变机理

研究了K₃C₆₀单晶薄膜在200K附近的导带结构.样品温度为190K时,同步辐射角分辨光电子谱能够观察到[111]方向有规律的能带色散.而在220K附近色散不存在.这一实验结果与K₃C₆₀在200K存在取向相变相符合.用反铁磁Ising模型对实验结果进行了分析.结果表明,K₃C₆₀在200K的相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子(约占40 关键词： 3C₆₀')" href="#">K₃C₆₀ 取向相变机理     

K_3C_(60)在200K附近的取向相变机理

研究了K3C6 0 单晶薄膜在 2 0 0K附近的导带结构 .样品温度为 190K时 ,同步辐射角分辨光电子谱能够观察到[111]方向有规律的能带色散 .而在 2 2 0K附近色散不存在 .这一实验结果与K3C6 0 在 2 0 0K存在取向相变相符合 .用反铁磁Ising模型对实验结果进行了分析 .结果表明 ,K3C6 0 在 2 0 0K的相变是由低温下的一维无序取向结构转变为2 0 0K以上的双取向结构畴与无序分子 (约占 40 % )的混合     

C60分子在有序-无序和玻璃态相变间的取向概率与弛豫行为

用极限动力学模型研究了C60分子在有序-无序相变和玻璃态相变温度区间取向角为98°和38°的取向概率与温度的关系.计算结果在玻璃态相变点附近的85!K,90!K和有序-无序相变点的260!K分别与实验值相吻合,取向概率对实验值更精确的拟合及其对温度的二阶导数预言玻璃态相变点在84!K.导出了弛豫规律,其结果表明:双能级的C60分子从非平衡态到平衡态的弛豫行为与非指数因子β有关,其总的弛豫时间决定于其中一个较短的弛豫时间,展宽指数形式保持不变.讨论了KWW方程的非指数因子β与分子间协同作用的关系,发现与双取向态间的能级差有关,计算值与实验结果相同.     

C60分子在有序-无序和玻璃态相变间的取向概率与弛豫行为

用极限动力学模型研究了Ｃ₆₀分子在有序-无序相变和玻璃态相变温度区间取向 角为98°和38°的取向概率与温度的关系.计算结果在玻璃态相变点附近的85K,90K和有序- 无序相变点的260K分别与实验值相吻合,取向概率对实验值更精确的拟合及其对温度的二阶 导数预言玻璃态相变点在84K.导出了弛豫规律,其结果表明：双能级的Ｃ₆₀分子从非平衡态到平衡态的弛豫行为与非指数因子β有关,其总的弛豫时间决定于其中一个较 短的弛豫时间,展宽指数形式保持不变.讨论了KWW方程的非 关键词： 60')" href="#">Ｃ₆₀ 取向概率 非平衡态弛豫     

C60晶体在有序相的分子取向结构

以C60 晶体中分子两种取向排列形成的双能级系统为基础 ,通过探讨C60 晶体在有序相的热力学性质 ,得到了 38o 和 98o 两种取向排列的分子在晶体中均匀分布的结构稳定性结论 .根据已报道的C60 晶体在有序相两端点温度 85K和 2 6 0K取向分布的实验结果 ,将较高的分子取向 (38o)能级的概率转化成分数值 1/ 6和 3/ 8,得到了有序相两种取向分子在两温度端点的分布规律 .当概率的分数值为 1/ 4和 1/ 3时 ,C60 晶体将具有较大的结构稳定性和较小的介电损耗及内耗值 ,对应的温度分别为 12 2 .6和 194 .3K .因而解释了介电实验结果出现异常的现象是由 38o 取向分子均匀分布的“规则 无规 规则”变化所造成的 .     

一种新的C60二维畴拓扑结构

利用低温扫描隧道显微镜对吸附在硫醇膜表面的二维C60岛进行研究,首次观察到化学键分辨的C60分子结构,并发现一种新型的C60二维取向畴界,这种畴界仅仅由于两边C60分子的取向不同而存在,附近没有结构缺陷,畴界附近C60阵列的位置平移序和键取向序都得到了保持。     

C60的拉曼谱及其分子晶体的相变

C60 在 2 87K— 1 0 K的拉曼光谱 ,观测到 2 5 0 K及 1 0 0 K附近的拉曼谱线的位移及强度的突变。其中 Ag模的强度及其变化都较 Hg模的大 ,且不同振动模式谱线强度呈现不同的变化形式 ,由此探讨分子键极化率随温度的变化 ,推断 C60 晶体的相变特点     

Rb掺杂C60单晶的相衍变和电子态

在C60单晶超高真空解理面上制备C60的Rb填隙化合物薄膜.用同步辐射光电子能谱研究了相衍变过程.观察到对应于固溶相、Rb1C60和Rb3C60的电子态密度分布.当数纳米厚Rb3C60薄膜在C60单晶(111)解理面形成后,室温条件下进一步沉积Rb至样品表面不产生fcc到bct或bcc结构相变.C60分子的大尺寸提供了表面填隙位置使得样品表面形成Rb4C60和Rb5C60吸附相.价带电子能谱结果表明这两种表面相为金属性.Rb 3d芯态电子能谱测量进一步证实了表面Rb4C60和Rb5C60吸附相的存在.     

C60单晶价带色散的同步辐射光电子谱研究

测量了C₆₀单晶(111)解理面法向发射的角分辨光电子谱.利用同步辐射光源研究了对应于分子轨道HOMO及HOMO-1的能带的色散关系.实验观察到HOMO和HOMO-1能带在Γ—L方向存在明显的色散,最大色散分别为027eV和042eV.色散曲线与理论电子结构基本符合. 关键词：     

C60晶体中分子取向性的研究

本文用集团模型计算C₆₀晶体的结合能,考察晶体原胞中四个不等价分子之间的相对取向变化时晶体结合能的相应变化。认为低温下C₆₀晶体的有序化结构在能量上是不简并的,存在一个使能量最低的分子相对取向。 关键词：     

用溶胶-凝胶法掺杂的C60光荧光的温度行为

在甲苯溶液和薄膜材料中C60的光荧光研究已有许多报导,但对用溶胶-凝胶方法掺杂的C60的发光的温度行为研究尚未见报道。中子衍射研究表明,在不同温度下C60有不同的结构:温度高于260K以上,C60的结晶结构是面心立方,并且分子总是在自由旋转。C60分子间的相互作用很弱,由范德瓦尔斯力键合。它们之间不会有能量的转移,因而固态的C60发光基本上是单个分子发光;温度低于260K,是简立方结构,在一个原胞中有四个分子。由于绕<111>方向上的98°的旋转而导致取向的不均匀性。经过一较长滞留时间后,在这个方向上的一个非常快的60°跳跃,又形成一新的取向。低于90K时,C60分子开始冻结在简立方晶格上。可见,C60的结构对温度有相当显著的依赖关系。研究C60的光致发光的温度行为是有意义的。     

哈斯勒合金Ni50Mn35In15的马氏体相变及其磁热效应

利用电弧炉熔炼了Ni50Mn35In15多晶样品,根据磁性测量对其马氏体相变和磁热效应进行了系统研究.结果表明.随着温度的降低,样品在室温附近先后发生了二级磁相变与一级结构相变特征的马氏体相变,导致它的磁化强度产生突变.同时通过低温下的磁滞回线的测量发现样品存在交换偏置行为,表明低温下马氏体相中铁磁和反铁磁共存.此外,根据Maxwell方程,计算了样品在马氏体相变温度附近的磁熵变,当温度为309 K,磁场改变5 T时,样品的磁熵变可达22.3 J/kg K.     

一种新的C_(60)二维畴拓扑结构

利用低温扫描隧道显微镜对吸附在硫醇膜表面的二维C6 0 岛进行研究 ,首次观察到化学键分辨的C6 0 分子结构 ,并发现一种新型的C6 0 二维取向畴界 .这种畴界仅仅由于两边C6 0 分子的取向不同而存在 ,附近没有结构缺陷 ,畴界附近C6 0 阵列的位置平移序和键取向序都得到了保持 .     

K_3Ba_3C_(60)在不同温度下的Raman光谱研究

研究了K3Ba3C60 在不同温度下的Raman光谱 .发现Raman光谱随温度的变化发生有规律的变化 .随着温度的降低 ,所有模的线宽和强度的变化情况与纯的C60 的情况明显不同 .径向Ag(2 )模的频率在 2 0K到室温之间有一个反常大的向高频漂移 (9cm-1) ,这表明在C60 分子和掺杂离子之间存在着轨道杂化 .另外Raman光谱中Ag(1)模两个分量的相对强度随着温度的降低发生有规律的变化 .     

铌酸锂钠在低温时的介电铁电和热电性

在300—20K的温度范围内观测了用丘克拉斯基法生长的Li_0.025Na_0.975NbO₃晶体的介电、铁电和热电特性。介电常数,极化强度和热电性的反常表示该晶体在低温时发生相变。此相变有特别大的热滞(约80K),降温时发生于180K附近,升温时发生于260K附近。测量了晶体的室温结构,指出了可能的低温相点群。观测了热电电荷的时间响应,报道了热电电荷随时间改变符号的特异现象,认为其起因是相变过程中两相共存。 关键词：     

La0.7Ca0.3MnO3超大磁电阻材料正电子湮没研究

对La0.7Ca0.3MnO3材料样品在77K至室温范围的一系列温度, 测量了正电子寿命谱和多普勒展宽谱.结果表明在居里温度附近正电子平均寿命和多普勒线形参数S出现明显变化, 反映了此类化合物晶格结构的不稳定性.本文对此进行了讨论.     

骤冷的LiKSO_4多晶的核磁共振实验

一、前 言 作者已报道过 LiKSO4单晶在 190K附近,其7Li核磁共振(NMR)谱出现了明显的变化[1],如图1所示.当时提出有两种可能,一是发生了相变,二是7Li核可能存在着两个不等价晶位.本文所述的骤冷实验可证实NMR谱的变化是由相变引起的.最近也陆续见到用热膨胀系数[2]和喇曼光谱[3]确定LiKSO4晶体在该温度附近有相变的报道. 二、实验和讨论 我们可以设想,如果低温下7Li的NMR谱确实反映了LiKSO4晶体中7Li核具有不等价性,而高温下由于只能得到其平均结果而呈现为一条谱线,则NMR谱线的形状应同样品的冷却速度无关,而仅仅由样品所处的温…     

二维Rh-C60聚合相的制备和表征

 利用高压合成装置在6 GPa压力、700 ℃温度条件下合成了二维C₆₀聚合相,并用X射线衍射（XRD）和高分辨核磁共振（NMR）等方法对样品进行了表征。XRD分析结果表明,C₆₀分子在高温高压下发生了聚合反应,晶体结构由面心立方结构变为菱形结构,通过［2+2］加环反应在邻近分子间形成sp³杂化共价键。¹³C核磁共振魔角谱 （¹³C MAS NMR）在δ145和δ72处出现了两个共振峰,其中在δ145附近的峰展宽并有两个边带。δ145附近的峰的展宽与分裂主要是由于C₆₀分子上出现了不等价的sp²杂化碳和高温高压条件下产生的结构无序,边带的形成说明了其结构的各向异性;位置为δ72附近的峰证明了聚合物内C₆₀分子之间出现了sp³杂化键。     

超巨磁电阻材料Pr2/3Sr1/3MnO3薄膜输运性质的研究

对1/f噪声缺口的超巨磁电阻Pr2/3Sr1/3MnO3薄膜样品从10K到室温的热电势值进行了测量,热电势为负值,低温下随温度线性变化,表现为金属扩散热电势,在150K开始急剧减小,过渡到与温度T成反比的变化关系,与小极化子模型相符.结合在电阻极大温度附近对电阻和1/f噪声行为的讨论,对于发生在电阻极大温度附近的相变过程,结果支持源于相分离的渝渗模型.