中子辐照氢气氛生长硅的红外吸收

用傅里叶变换红外吸收光谱技术测量了中子辐照氢气氛生长区熔硅在1800—2300cm^-1和400—1200cm^-1频段的吸收光谱。给出了较强谱带的退火曲线。与质子注入硅的红外光谱及中子辐照氢气氛生长硅的深能级瞬态谱结果相比较,讨论了相应于一些谱带的硅氢中心的可能结构。 关键词：     

中子辐照含氢硅中的一种新EPR谱

氢气氛下生长的区熔硅(磷～10¹⁴/cm³)经镉比为10,总通量为(2.9—6.0)×10¹⁷n/cm²的中子辐照后,在77K,X波段观测到一种S=1/2的新EPR谱(标号为PK2)。g_eff值随(011)平面内磁场的角度关系呈三斜对称性。对应于缺陷在硅中一特定取向下的g张量主值及主轴相对于立方晶轴的方向余弦如下:g(±0.0004) n[100] n[010] n[001] g_{1关键词：}     

中子辐照含氢硅中的与氢有关的深能级缺陷

利用深能级瞬态谱(简称DLTS),恒温下瞬态电容技术及红外吸收光谱,研究了中子辐照氢气氛中生长的n型区熔硅。相应于间隙氢的红外吸收谱带中子辐照后强度减弱。首次观察到未经退火就出现了能级为E_c=0.20eV的一个新的缺陷——Z中心,由于该中心的能级很接近于A中心,而浓度又较A中心低得多,通过改变中子剂量使费密能级处于A中心以下几个kT处,才能精确地测定Z中心的DLTS峰所在的温度。根据实验判断Z中心很可能是氢与空位的复合物,讨论了它的可能电子结构。 关键词：     

蓝宝石中子辐照色心的研究

研究了中子辐照对蓝宝石(α-Al2O3)单晶体缺陷形成及光学性能的影响,对采用提拉法与温度梯度法生长的蓝宝石晶体进行中子辐照,通过对比辐照前后的吸收及荧光光谱变化,发现辐照使得蓝宝石晶体内形成F、F^ 和F2^ 色心缺陷,但不同方法生长的晶体样品中色心浓度差异明显。其中提拉法样品的F心浓度要高于温度梯度法样品,而温度梯度法样品中F^ 色心浓度要高于提拉法样品。分析表明,这与两种方法生长的晶体中杂质含量差异有关。通过研究辐照后晶体的热致发光谱发现提拉法与温度梯度法生长的蓝宝石晶体分别在145℃与150℃有明显的热致发光出现,采用初始上升法计算出两种方法生长的晶体的热致发光陷阱深度分别为1．15eV及1．05eV。     

BaF_2晶体中子辐照效应的研究

研究了ＢａＦ２ 晶体经中子辐照后的荧光发射谱及正电子湮没寿命谱。对它们的变化规律进行了解释。探讨了ＢａＦ２ 晶体经中子辐照后出现的现象和机理。     

a-SiC:H薄膜的中子辐照研究

用射频（13.56MHz）反应溅射法制备了a-SiC:H 薄膜,并将制得的薄膜采用高能中子（14MeV）进行辐照。采用电阻率、Raman谱及红外光谱对薄膜的结构与特性变化规律进行了表征。分析结果表明：所得a-SiC:H薄膜中存在多余的非晶态碳。随着中子辐照剂量的增加,a-SiC:H薄膜中SP-2C=C键增加,即其中的碳存在类石墨化的趋势。中子辐照后薄膜的电阻率的略微减小现象,可用缺陷对载流子的捕获模型进行解释。     

a-SiC:H薄膜的中子辐照研究

 用射频（13.56MHz）反应溅射法制备了a-SiC:H 薄膜，并将制得的薄膜采用高能中子（14MeV）进行辐照。采用电阻率、Raman谱及红外光谱对薄膜的结构与特性变化规律进行了表征。分析结果表明：所得a-SiC:H薄膜中存在多余的非晶态碳。随着中子辐照剂量的增加，a-SiC:H薄膜中SP-2C=C键增加，即其中的碳存在类石墨化的趋势。中子辐照后薄膜的电阻率的略微减小现象，可用缺陷对载流子的捕获模型进行解释。     

中子辐照诱导钨再结晶的模拟研究

钨作为未来聚变堆偏滤器靶板的候选材料,需要长期服役在高温且受到高能中子辐照的严峻环境,这将导致钨发生中子辐照诱导再结晶,从而提高钨发生沿晶脆断的可能性,威胁偏滤器的运行安全,因此研究中子辐照诱导钨再结晶的物理机制具有重要意义.然而,与最近高通量同位素反应(HFIR)堆高温下中子辐照实验观察到的结果相比,目前考虑辐照增强再结晶驱动力效应的模型低估了中子辐照对再结晶的影响,结果表明仍有其他效应影响再结晶过程.基于此,本文在假设晶界迁移率与自体扩散系数成正比的前提下,引入辐照增强晶界迁移因子(R),建立了新的辐照诱导再结晶动力学模型.模拟结果显示,在综合考虑辐照增强再结晶驱动力和晶界迁移效应后,模型计算出的850℃下达到一半再结晶分数所需要的时间(t_X=0.5)和HFIR堆中子辐照实验结果相符,这表明辐照增强晶界迁移效应是影响辐照诱导再结晶现象的重要因素之一.另外,模型研究了不同辐照温度下钨的t_X=0.5.结果表明辐照与未辐照的t_X=0.5差别随温度升高而逐渐下降.这是因为随着温度的升高,辐照缺陷复合加剧,辐照缺陷对再结晶驱动...     

原子氢、氘钝化以及质子注入掺杂硅的红外吸收

用FTIR研究了原子氢、原子氘钝化掺硼硅以及质子注入掺杂单晶硅,当原子氘钝化条件不同时分别产生了1360cm^-1和1263cm^-1的[BD]对局域振动模红外吸收带,这表明氘在单晶硅的硼受主邻近有两种可能的状态。质子注入掺杂硅的红外吸收光谱与不掺杂硅的明显不同,氢原子优先结合于硼的附近,注入氢仅约1%生成光效的缺陷,而绝大部份生成无光效的中心,它们可能是氢分子。 关键词：     

氢对铁中缺陷行为的影响

本文研究了铁中氢与辐照缺陷的相互作用。氢与这些缺陷结合,形成不同类型的氢与缺陷的复合体,在从低温到高温的时效过程中,可以清楚地观察到间隙型位错环(>300℃)、空位型位错环(>450℃)和空洞(520℃)的形成。研究表明,这三种缺陷分别是氢与间隙原子、氢与单个空位、氢与复数个空位等三种复合体聚集而成。 关键词：     

Ru1222体系的红外吸收光谱研究

我们详细研究了Ru1-xSbxSr2Gd1.4Ce0.6Cu2O10-δ(Ru1222Gd)和RuSr2Sm2-yCeyCu2O10-δ(Ru1222Sm)系列样品的红外吸收光谱.实验结果表明,样品在680 cm-1,600 cm-1,530 cm-1,400,380cm-1附近分别出现典型的红外吸收峰.通过与类似结构的高温超导体进行比较,对吸收峰进行了指认和分析.同时,我们还分析讨论了体系的晶格结构、声子振动和输运性质的相互关系.研究结果表明,Sb掺杂和Ce含量的变化对平面氧O(3)沿a轴的伸缩振动和顶点氧0(2)沿z轴的伸缩振动有着不同的影响.     

自旋波-声子耦合对反铁磁体红外吸收谱的影响

由于交换作用常数受到磁离子间距离变化的影响是不可忽略的,在磁有序物质中存在自旋波和声子的耦合作用。本文探讨了非金属反铁磁体中自旋波-声子耦合在红外吸收谱上可能有的表现,辐射场的电偶极矩作用在激发一个光频支声子的同时,通过自旋波-声子耦合又激发两个自旋波和一个声子,这就在晶格吸收谱的高频边缘以外形成附加吸收带。当反铁磁体的Néel点足够高,并且自施波态密度有尖锐的极大值时,附加吸收带就有超出晶格吸收边缘足够大的能量,且有明显的峯形,上述吸收峯就应在实验上观测到。把这一结果应用于NiO,解释了它的红外光谱中0.24电子伏的附加吸收峯,计算得到与实验相符合的吸收能量和吸收强度,并指出这一吸收机构只能在反铁磁体中而不能在铁磁体中发生。本文最后指出,Mizuno和Koide在企图解释同一现象的工作中,所探讨者相对于本文所考虑的跃迁机构,它只可能产生极其次要的贡献。     

中子辐照GaAs快速退火行为的低温光荧光研究

用低温（１０Ｋ）光荧光（ＰＬ）的方法对中子辐照砷化镓中的缺陷及及嬗变掺杂进行了研究，结果表明：低温ＰＬ实验可观察到中子掺杂效应，嬗变掺杂使近导带旋主增加从而使与ＣＡＳ有关的跃迁峰向低低能移动，辐照剂量较低时，嬗变原子Ｇｅ占居Ｇａ位；当辐照剂量较大时，部分嬗变原子Ｇｅ占居Ａｓ全，在高剂量辐照情况下，经８００℃（２０秒）退火，仍有反位缺陷ＧａＡＳ（Ｅｖ＋２００ｍｅＶ）和复合缺陷ＩＧａ－ＶＡｓ存在，在低     

掺钛的锰锌铁氧体的中子衍射

锰锌铁氧体广泛用于各种有线通讯设备中,其使用的频率为几百kHz到几十MHz。但纯的锰锌铁氧体的磁导率(μ)的温度系数(在—40℃至80℃范围内)较大,在应用中使频率发生漂移,给使用造成了困难。为了改善μ(T)曲线,而添加了少量的各种元素进行试验,其中发现Ti对改善μ(T)曲线的效果较好。为了弄清Ti的作用,对含Ti的(Mn-Zn)Fe₂O₄的结构进行了中子衍射分析,得到的结果是:Ti择优占据B位,Mn及Zn择优占据A位,并测定了分子磁矩。最后对结果进行了初步的讨 关键词：     

磁性蓄冷材料Er_3Ni的吸氢量研究

磁性蓄冷材料Er3Ni在液氦温区的回热式低温制冷机中已经被广泛应用,在以He-H2混合气体为工质的脉管制冷实验中发现Er3Ni与H2会发生反应,其产物在一定程度上提高了制冷机的性能,本文基于金属储氢过程的理论框架,分析了Er3Ni吸氢的机理,并推算了Er3Ni的理论吸氢量.对Er3Ni在室温条件下的吸氢量进行了实验测量...