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应用电子与光子非弹性碰撞模型,分析、计算了磁逆多光子非线性COmpton散射中电子与光子间的能量转换。结果表明:磁逆多光子非线性Compton散射前,做Landau运动的电子不是热电子,而是处于激发态的电子,该散射产生高γ射线的几率要比磁逆单光子Compton散射时的几率小;当磁逆多光子非线性Compton散射中的电子被光场俘获时,电子可以从激光场中获得巨大的加速能量,但比多光子非线性Compton散射时获得的能量低。 相似文献
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磁逆多光子非线性Compton散射的谱功率 总被引:3,自引:2,他引:3
相对论电子在强磁场中的磁逆Compton散射是一种重要的γ射线辐射机制。虽然对该问题的研究已有二十多年的历史,但对磁逆多光子非线性Compton散射谱功率的研究尚未见报道。本文采用电子与光子非弹性碰撞模型,首次给出了磁逆多光子非线性Compton散射的谱功率。 相似文献
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介绍在统计估计中有关光子Compton散射对有限探测器统计概率的MonteCarlo模拟过程以及对MCNP程序产光模及中子生光截面的修改,该方法应用于MCNP程序,计算分别给出了原级线光,连续光和Compton光。结果与原MCNP程序对双显示,两者结果基本一致,统计估计方法对深穿透问题是有效的。 相似文献
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讨论非常密集(占空比>0.4)随机分布球粒子的散射.用Monte Carlo方法和随机搅拌产生非常密集随机分布粒子,求解电场体积分方程的解,获得散射、吸收和消光系数及有效介电常数.与现有的准晶体近似、具有相干势的准晶体近似和Maxwell-Garnett混合方程等几种方法作了比较.非常密集随机分布粒子表现出群聚性产生的大粒子散射效应. 相似文献
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针对大气中紫外光散射通信的特点, 用Monte Carlo方法对紫外光非直视(NLOS) 通信三种工作方式的覆盖范围进行分析, 建立了基于Monte Carlo方法的NLOS紫外光传输模型.利用Monte Carlo模拟方法对三种NLOS散射方式的单次和多次散射路径损耗及覆盖范围进行模拟研究, 结果表明, 多次散射和单次散射的路径损耗基本一致, NLOS(a) 类全向发送全向接收通信方式覆盖范围最小但全方位性好, NLOS(b) 类定向发送全向接收通信方式的覆盖范围较大但有一定方向性, NLOS(c) 类定向发送定向接收通信方式的覆盖范围最大但有很强的方向性. 相似文献
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利用Compton散射对自由电子激光器的研究 总被引:7,自引:1,他引:7
通过坐标变换的方法,利用康普顿散射对自由电子激光器(FEL)的自发辐射进行了研究,精确地推导了FEL的自发辐射的波长公式,其近似式就是经典散射理论推导的自发辐射波长公式;对自发辐射的辐射功率也进行了近似推导,结果与经典散射理论公式一致。 相似文献
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依据实验参数,建立了14MeV快中子照相的物理模型,并利用Monte Carlo方法对照相过程进行了模拟. 分析了经聚乙烯样品散射的中子对快中子图像的影响随样品与探测器间距及样品参数的变化. 计算结果表明,样品与探测器的距离d<5cm时,样品中的散射中子对图像的影响强烈依赖于d,而当d>20cm时,样品散射中子对图像的影响可忽略;当样品密度为3—5g/cm3时散射中子对图像的影响相对最大;样品宽度越大,图像中的散射成分越多,当宽度在3cm以上时散射成分的强度趋于饱和.
关键词:
14MeV中子
快中子照相
散射中子
Monte Carlo模拟 相似文献
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介绍试验粒子Monte Carlo(test particle Monte Carlo,TPMC)方法,并采用该方法对4种航天器表面出气分子形成的环境散射返回流进行数值模拟.其中,圆球出气表面的计算结果与已有的DSMC(direct simulation Monte Carlo)结果一致,验证了方法的正确性.此外,对不同出气和来流条件下圆形平板、凸半球和凹半球3种航天器简化表面出气分子形成的环境散射返回流进行计算,结果表明:出气表面外形是影响返回通量比的一个重要因素;圆形平板和凹半球出气表面的返回通量比远大于凸半球表面的;凹半球表面的出气分子会直接和出气表面碰撞形成直接流污染,且其量级远大于返回流污染.因此,在航天器设计中尽可能使用凸形表面作为敏感的出气表面可以有效降低出气分子污染. 相似文献
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聚合物中多重光散射传导的Monte Carlo数值模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
基于米氏散射(Mie scattering)理论,建立填充分散粒子群的聚合物对光散射传导的Monte Carlo数学模型.在此基础上,编写了一套仿真模拟程序.通过模拟单个光子在聚合物中的多重散射运动过程,把问题扩展到以激光束或线状光为入射源,得到在聚合物板块内的光传导情况,并且在计算机上图像化地重现整个物理过程,对输出光强的分布情况进行模拟统计分析.模拟结果表明,利用体散射机制,可以将点光源和线光源转换为平面光输出,输出光的状态可以通过对比计算结果实施有效控制. 相似文献
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高温全电离等离子体的辐射输运问题中,光子与电子的Compton散射与逆Compton散射是其中重要的特性,光子与相对论麦克斯韦电子散射的描述及截面的计算非常复杂且费时.本文提出了一种用于模拟计算光子与相对论麦克斯韦速度分布电子散射截面的蒙特卡罗计算方法.给出了各步骤的具体实现办法,推导了对应的计算公式,研究了相对论电子速率抽样方法,编写了光子与相对论电子散射的微观截面的蒙特卡罗计算程序.开展了高温全电离等离子体中,不同能量光子与不同温度电子散射的微观散射截面计算和分析.模拟计算结果显示,在电子温度低于25 keV情况下,本文方法与多重数值积分方法的计算结果非常接近;但随着电子温度继续升高,二者差异逐渐增大并较明显,经分析,可能是本文方法目前的电子速率抽样偏差所致,希望将来能够找到更好的相对论电子速率抽样方法以克服此缺陷. 相似文献
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Monte Carlo Hamiltonian:Inverse Potential 总被引:2,自引:0,他引:2
The Monte Carlo Hamiltonian method developed recently
allows to investigate the ground
state and low-lying excited states of a quantum system, using Monte
Carlo (MC) algorithm
with importance sampling. However, conventional MC algorithm
has some difficulties
when applied to inverse potentials. We propose to use effective potential and
extrapolation method to solve the problem. We present examples from the hydrogen
system. 相似文献
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Jeffery D. Densmore James S. Warsa Robert B. Lowrie 《Journal of computational physics》2010,229(10):3691-3705
A Monte Carlo method for simulating Compton scattering in high energy density applications has been presented that models the photon–electron collision kinematics exactly [E. Canfield, W.M. Howard, E.P. Liang, Inverse Comptonization by one-dimensional relativistic electrons, Astrophys. J. 323 (1987) 565]. However, implementing this technique typically requires an explicit evaluation of the material temperature, which can lead to unstable and oscillatory solutions. In this paper, we perform a stability analysis of this Monte Carlo method and develop two time-step limits that avoid undesirable behavior. The first time-step limit prevents instabilities, while the second, more restrictive time-step limit avoids both instabilities and nonphysical oscillations. With a set of numerical examples, we demonstrate the efficacy of these time-step limits. 相似文献
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X射线与影像增强器作用过程的蒙特卡罗研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用蒙特卡罗方法研究了能量为(30~110)keV的单能X射线在铁中的吸收及散射特性,给出了散射光子的角人布及背向向射光子的能量分布,结果表明,在入射X光子能量较低的情况下,背向散射光子主要是铁的特征X射线光子,随着入射能量的升高,背向散射光了中高能量的散射光子数增多,特征X光子数目迅速减少。 相似文献
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应用单次碰撞的直接Monte Carlo方法计算能量范围从100 eV~10 keV的电子在固体Al,Si,Au表面的背散射系数,其中低能电子在固体中的弹性散射和非弹性散射截面分别应用Mott散射截面和Born近似下的广义振子强度计算模型得到.通过与压缩历史Monte Carlo方法的模拟计算结果及实验值的比较,结果表明,对于100 eV~10 keV范围的低能区电子,采用直接方法计算得到的电子背散射系数与实验值符合较好,直接方法比压缩历史方法更适合于能量在10 keV以下的电子输运计算. 相似文献
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将光学相干层析成像系统采样臂的光纤与聚焦系统和被测样品作为一个整体来模拟光学相干层析成像信号的形成机理.通过追迹采样光束中每一光子在聚焦系统和被测样品中的随机传输轨迹,来决定该光子对光学相干层析成像信号是否有贡献及贡献大小.对样品IntralipidTM的模拟结果与实验结果表明:1)高散射系数和弱前向散射是引起光学相干层析成像信号随测量深度增加迅速减弱的主要原因;2)对于确定的聚焦系统,光纤的数值孔径有一最佳取值范围.数值孔径太小,则光学相干层析成像信号很弱;数值孔径超出这一范围继续增大,光学相干层析成像信号变化很小.3)当光纤的光轴偏离聚焦系统的光轴h距离时,光学相干层析成像信号随h的增加而减弱. 相似文献