CsMgX3：V^2＋（X=Cl,Br）中配体SO耦合对EPR参量的贡献

用双自旋－轨道耦合系数模型研究了晶体ＣｓＭｇＣｌ３和ＣｓＭｇＢｒ３中掺杂Ｖ２＋离子的ＥＰＲｇ因子和零场分裂Ｄ。计算中，用半经验方法确定了分子轨道系数。研究表明，对Ｂｒ－这类有强共价性和大ＳＯ耦合系数的配体，其ＳＯ耦合作用对络合物ＥＰＲ参量的贡献不可忽略。     

CaS:Cu~+,Eu~(2+)的光致发光及其在农业生产中的应用

研究了Ｃｕ＋，Ｅｕ２＋共激活的ＣａＳ的发光性质及激活剂浓度与荧光性质的关系．Ｃｕ＋和Ｅｕ２＋的发射光谱分别在４３０ｎｍ附近及６３０ｎｍ附近，它们是由Ｃｕ，Ｃａ－Ｖｓ２＋中心的离子发射和Ｅｕ２＋的５ｄ－４ｆ跃迁发射产生的．实验结果表明，Ｃｕ＋对Ｅｕ２＋荧光发射有较强的敏化作用，Ｅｕ２＋对Ｃｕ＋发射峰值波长和强度也有显著影响；单掺Ｅｕ２＋或Ｃｕ＋的荧光粉是良好的农用薄膜红，蓝光转换剂，共掺Ｅｕ２＋和Ｃｕ＋的ＣａＳ荧光粉作光转换农膜添加剂可望人工模拟叶绿素的吸收光谱，使作物在植物最佳生长作用光谱环境中生长，促使作物早熟或提高作物产量     

ZnAl_2O_4∶Cr~(3 )晶体~4 A_2基态ZFS及其三角晶格畸变研究

用对角化哈密顿矩阵的方法,借助Ｎｅｗ ｍａｎ 晶场叠加模型,研究了ＺｎＡｌ２Ｏ４∶Ｃｒ３ ＋ 晶体的基态零场分裂（ＺＦＳ） 及其电子光谱,理论结果与实验一致．定量研究表明,掺杂晶体ＺｎＡｌ２Ｏ４∶Ｃｒ３ ＋ 中,络离子（ＣｒＯ６）９ － 局域结构应有压缩的三角畸变（Δθ＝ ３ ．０６°） ．同时指出,自旋二重态对４ Ａ２ 基态ＺＦＳ参量ｂ０２ 的贡献不可忽略,而对ｇ 因子的贡献甚微．     

Sol-Gel法和微波辐射法合成亚纳米级Zn_2SiO_4∶Mn~(2+),Er~(3+)高效绿色荧光体

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法和微波法合成了亚纳米级Ｚｎ２ＳｉＯ４∶Ｍｎ２＋ ， Ｅｒ３＋ 高效绿色荧光体， 考察了Ｍｎ２＋ 单掺和Ｅｒ３＋ 敏化的荧光体的发光， 探讨了掺杂浓度对发光性质的影响， 发现Ｅｒ３＋ 可有效敏化Ｍｎ２＋ 的发光． ＳＥＭ 表明Ｚｎ２ＳｉＯ４∶Ｍｎ２＋ ， Ｅｒ３＋ 的粒度约为１５０～３５０ｎｍ ．     

Ba^2＋对卤磷酸盐掺Eu^2＋荧光粉辐照特性的影响

在国家同步辐射实验室的时间分辨光谱站（Ｕ１０Ｂ光束线）研究掺杂Ｅｕ２＋的卤磷酸盐：（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）５（ＰＯ４）３ＣｌＥｕ２＋样品和（Ｃａ，Ｓｒ）５（ＰＯ４）３ＣｌＥｕ２＋的真空紫外辐照特性、反射光谱．前者在１８５ｎｍ光的激发下，６０分钟内没有观察到明显的发光强度下降；而后者在１８５ｎｍ光的激发下，１５分钟内就可以观察到其４５０ｎｍ发光的明显变化，从强到弱，直至完全消失．测量了两种样品的反射谱（１００ｎｍ至４００ｎｍ），并根据Ｋ－Ｋ关系计算得出的吸收谱，我们认为：由于Ｂａ２＋的加入，改变了晶格对称性，（Ｏ）－色心的能级发生变化，晶体对１８５ｎｍ附近紫外光的吸收明显降低，从而起到了耐１８５ｎｍ辐照的作用     

势垒高度对Cl+H2(D2)反应的影响

使用三维含时波包方法在两个势能面上研究了Cl+H2(D2)反应．所使用的两个势能面都是从CW(Capecchi和Wener)势能面得到的，第一个是CW势能面的基态面加自旋轨道耦合修正，第二个是CW势能面的基态面没有自旋轨道耦合修正．在这两个势能面上得到了碰撞能从0.1到1.4 eV的积分截面以及反应几率．对于Cl与D2反应，考虑自旋轨道耦合后由于势垒高度的增加反应截面向高能处有一个平移，但Cl与H2反应在低能处的反应活性反而增大了，原因是虽然自旋轨道耦合效应增加了势垒高度，同时减小了势垒宽度，隧道效应更加明显，而隧道效应在低能处起着比较重要的作用，所以反应活性比较大．当碰撞能大于0.7 eV时，没有考虑自旋轨道耦合时势垒高度较低，因而反应活性较大．     

纳米晶体ZnS∶Mn~(2 )发光寿命异常减缩机理的探讨

纳米晶体ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋中Ｍｎ２＋粒子４Ｔ１→６Ａ１的发光寿命比晶体减缩了５个量级，这颇令人费解，因为通常解除自旋禁戒的磁作用远无如此强的效应．假定基质态的自旋不为零，且考虑了Ｍｎ２＋的ｄ电子和基质之间的交换库仑作用．若基质存在比Ｍｎ２＋的４Ｔ１激发态能量略高的某种激发态，则这种交换库仑作用将导致这两种激发态之间的混合，从而可解除发光能级弛豫中的自旋禁戒．这种混合随基质颗粒尺寸的减小而加强．我们并对此机制进行粗略的数值估计，给出了和实验相容的结果．     

晶体Zn（antipyrine）2（NO3）2∶VO^2＋的EPR谱及光吸收谱的理论研究

由于硝酸钒锌二安替比林晶体[Zn(antipyrine)2(NO3)2∶VO2 ]中配体O2-的自旋-轨道耦合参量0pζ≈150cm-1与中心过渡族3d1离子V4 的ζ0d≈248 cm-1相差不太大,故配体的自旋-轨道耦合参量0pζ对电子顺磁共振(EPR)谱和光吸收谱的贡献必须考虑。采用双自旋-轨道耦合参量模型和相关的晶体场能级公式,计算了Zn(antipyrine)2(NO3)2∶VO2 晶体的EPR谱和光吸收谱,所得理论结果与实验发现很好符合;确定了该晶体的局域对称结构沿C4轴的四角畸变约为0.45 nm;计算发现,较大的κ值说明VO2 中未配对的s电子对超精细结构常数有较大的贡献。并对上述这些结果的合理性进行了讨论。     

电荷补偿对Sr_2SiO_4∶Dy~(3+)材料发射光谱的影响

采用高温固相反应方法在空气中制备了Sr2SiO4∶Dy^3＋发光材料。在365 nm紫外光激发下,测得Sr2SiO4∶Dy^3＋材料的发射光谱为一多峰宽谱,发射峰分别位于486,575和665 nm处。研究了电荷补偿剂Li^＋,Na^＋和K^＋对Sr2SiO4∶Dy^3＋材料发射光谱强度的影响,结果显示,不同电荷补偿剂下,随电荷补偿剂掺杂浓度的增大,Sr2SiO4∶Dy^3＋材料发射光谱强度的演化趋势相同,即,Sr2SiO4∶Dy^3＋材料发射峰强度先增大后减小,但不同电荷补偿剂下,材料发射峰强度最大处对应的补偿剂浓度不同,对应Li^＋,Na^＋和K^＋时,浓度分别为4 mol%,3 mol%和3 mol%。同时,对研究结果进行了理论分析。     

Ca_3SiO_5∶Eu~(2+)材料光谱特性研究

采用溶胶-凝胶法制备了Ca3SiO5∶Eu^2＋发光材料。测量了材料的激发与发射光谱,结果显示,材料的发射光谱为一峰值位于505 nm处的不对称的宽带谱;监测505 nm发射峰,所得材料的激发光谱为一双峰宽谱,峰值为374和397 nm。研究了合成条件对Ca3SiO5∶Eu^2＋材料发射光谱的影响,结果显示,随合成温度或合成时间或Eu^2＋浓度的增大,Ca3SiO5∶Eu^2＋材料发射光谱峰值强度均表现出先增大后减小的趋势,当合成温度为1 100℃、合成时间为4 h、Eu^2＋浓度为0.5 mol%时,Ca3SiO5∶Eu^2＋材料发射光谱峰值强度最大。     

含ZnS∶Mn~(2+)纳米晶玻璃中Mn~(2+)三种格位态的EPR研究

通过对ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋ 不同含量的钠硼硅玻璃发光和激发光谱测量， 发现Ｍｎ 离子可能占据替位（Ｍｎ２＋ ）Ｓｕｂ 和间隙（Ｍｎ２＋ ）ｉｎｔ两种格位． 进一步的电子顺磁共振（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐａｒａｍ ａｇｎｅｔｉｃＲｅｓｏｎａｎｃｅ， ＥＰＲ）实验证实了这一判断， 并从ＥＰＲ谱确认（Ｍｎ２＋ ）Ｓｕｂ， （Ｍｎ２＋ ）ｉｎｔ和Ｍｎ 团三种格位态的存在． 观测到ｇ 因子和超精细结构（ＨＦＳ）常数随纳米晶粒径的减小而增大． 这可能是由于量子限域效应下ＺｎＳ的ｓｐ３ 和Ｍｎ 的３ｄ５ 电子态杂化和表面态所引起的．     

非晶纳米发光材料(Y,Eu)_2O_3-SiO_2发射光谱的分析研究

ＥＸＡＦＳ测定表明ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备的纳米非晶（Ｙ，Ｅｕ）２Ｏ３－ＳｉＯ２发光材料中，发光中心Ｅｕ３＋的局域环境和晶态Ｘ２型Ｙ２ＳｉＯ５Ｅｕ中Ｅｕ３＋离子的局域环境相似．以此结构为依据，用Ｍ．Ｆ．Ｒｅｉｄ的方案计算了晶场迭加模型中的能级参数及光谱强度参数，并得到了与实验结果基本一致的理论光谱图     

KMgF_3∶Eu~(2+)晶体中Eu~(2+)的受激发射研究

二价铕离子(Eu2 )在KMgF3晶体中产生窄带线状发射,峰值位于360 nm。依据自身建立的激发态能量损耗模型,预测了4f7(6P7/2)→4f7(8S7/2)跃迁实现受激发射的可能性。采用ASE技术测得了KMgF3∶Eu2 晶体360 nm发射的光学增益,得到净光学增益系数g=(11.4±3.2)cm-1,实验证实了理论预测。晶体退火或掺杂敏化离子Gd3 或Ce3 可以改善Eu2 的增益效果。     

糖类研究 XXII．肿瘤相关寡糖前体的2DNMR研究

通过化学合成得到的乙酸基和苄基保护的四糖是合成肿瘤相关寡糖的重要中间体．本文利用１Ｈ－１ＨＣＯＳＹ、１３Ｃ－１ＨＣＯＳＹ、ＨＭＢＣ、ＴＯＣＳＹ和ＲＯＥＳＹ２ＤＮＭＲ技术对保护四糖的１Ｈ和１３ＣＮＭＲ谱进行了归属，并对该糖的结构进行了详细研究．     

CdCl2：V^2＋和CdI2：V^2＋的g因子和零场分裂研究

研究了ＣｄＣｌ２：Ｖ＾２＋和ＣｄＩ：Ｖ＾２＋的ＥＰＲｇ因子和零场分裂Ｄ。在计算中既考虑了中心过渡金属离子ＳＯ耦合作用，也考虑了配体ＳＯ耦合作用的贡献，结果表明，对某些共价性强和配体ＳＯ耦合系数大的络合物，在研究其ＥＰＲ性质时应考虑到双ＳＯ耦合作用的共同贡献。     

氙灯泵浦新型晶体Nd∶S－VAP调Q激光器腔内倍频研究

采用氙灯泵浦晶体Ｎｄ∶Ｓ－ＶＡＰ，ＫＴＰ晶体腔内倍频，实现了Ｎｄ∶Ｓ－ＶＡＰ晶体０．５３２５μｍ绿光激光ＢＤＮ染料片调Ｑ运转。测量了输出绿光激光的特性及不同腔长和染料片小信号透过率情况下的输出能量及脉冲宽度，给出了染料片调Ｑ腔内倍频的耦合波方程组，数值求解方程组，所得的理论数据与实验结果很好地相符     

ZnS∶Cu水溶胶的光致发光研究

研究了硫脲和硫代硫酸钠体系中ＺｎＳ∶Ｃｕ 纳米微粒的光致发光性能随Ｃｕ＋ 离子掺杂浓度及生长时间的变化． 在３２５ｎｍ 的紫外光激发下, ＺｎＳ∶Ｃｕ 纳米微粒产生位于５００～５４０ｎｍ 的宽带发射, Ｃｕ＋ 掺杂浓度为０．６％ 时发射达到最强． 该发射峰随掺杂浓度的提高和微粒生长时间的延长而红移; 当Ｃｕ＋ 掺杂浓度为０．２％ 时, ＺｎＳ∶Ｃｕ 纳米微粒还产生一个位于４５０ｎｍ 的蓝色发射带, 该发射在掺杂浓度更高时被猝灭． 硫脲和硫代硫酸钠体系中ＺｎＳ∶Ｃｕ 的发光性质较为相似, 但后者的发射强度明显高于前者．     

NaS和Na_2S分子解离能和生成热的从头算研究

使用分于轨道从头算方法，在ＭＰ２（ｆｕ）／６—３１Ｇ优化几何基础上，采用ＨＦ，ＭＰｎ（ｎ＝２，３，４）和ＱＣＩＳＤ（Ｔ）理论，使用６—３１Ｇ（ｄ，Ｐ），６—３１１Ｇ（ｄ，Ｐ），６—３１Ｇ（Ｚｄｆ，Ｐ）和６—３１１＋Ｇ（３ｄｆ，２ｐ）基组，计算了ＮａＳ和Ｎａ２Ｓ分子以及Ｎａ和Ｓ原子的总能量和各级电子关联修正能。在此基础上应用Ｇ１和Ｇ２理论估算ＴＮａＳ和Ｎａ２Ｓ分子的解离能和生成热。在Ｇ２理论框架下，理论估算的解离能和生成热（在室温）分别是６７．０７ｋｃａｌｍｏｌ－１和０．３５ｋｃａｌｍｏｌ－１（Ｎａ２Ｓ）以及５０．４８ｋｃａｌｍｏｌ－１和４１．５７ｋｃａｌｍｏｌ－１（ＮａＳ）。     

长余辉材料Sr_2MgSi_2O_7∶Eu~(2+),Dy~(3+)中稀土离子的发光特性

利用同步辐射光源(德国HASYLAB实验室的SUPERLUMI实验站)和真空紫外激光(157.6nm)对新型蓝光发射长余辉材料Sr2MgSi2O7∶Eu2 (0·2%),Dy3 (8%)进行了光谱研究。在170nm同步辐射光源激发下,观察到对应Eu2 :5d-4f跃迁的477nm发射带和对应Dy3 :4f-4f跃迁的两组线谱发射,其中只有来自Eu2 的5d-4f发射对长余辉光谱有贡献。在157.6nm激光激发下,除了上述发射外,还明显观察到对应Eu3 的红色线谱(590,614,626nm)。结合这些光谱特性,对Sr2MgSi2O7∶Eu2 ,Dy3 中稀土离子的发光特性以及长余辉发光机理进行了讨论,并提出了Eu2 充当空穴陷阱的可能性。     

KAlF_4∶ Ce,Tb磷光体的发光特性及Ce~(3+)对Tb~(3+)的敏化作用

采用溶液反应法和高温固相反应法合成了ＫＡ１Ｆ４基质化合物及ＫＡ１Ｆ４∶Ｃｅ，Ｔｂ磷光体，测定了磷光体的激发光谱和发射光谱，研究了在碱金属氟铝酸盐基质中Ｃｅ３＋对Ｔｂ３＋的能量传递，根据Ｃｅ３＋、Ｔｂ３＋在ＫＡｌＦ４中的能级关系，分析了其发光特性和Ｃｅ３＋对Ｔｂ３＋能量传递过程