用于蓝光存储的无机材料的研究及进展

光存储朝着高密度、大容量、高数据传输率方向发展。下一代的光盘记录将从目前广泛使用的红光波段向蓝光波段发展。本文综述了可用于蓝光记录的新一代超高密度光盘无机存储材料的研究现状和新进展。     

GeSbTe与AglnSbTe体系相变光盘的研究进展

自Ovshinsky把相变材料用于光存储以来，一大批具有可逆光存储性能的材料不断出现，其中研究较多的是GeSbTe和AgInSbTe两种体系．文章着重介绍了利用这两种材料制成的相变光盘记录介质的微观结构特点，阐述了其晶化机理；同时，较详细地概述了光盘的堆栈结构及掺杂其他元素对相变光盘性能的影响，并对比说明了GeSbTe和AgInSbTe两种体系在蓝光记录方面的各自特点．     

短波长相变光盘记录介质Ge2Sb2Te5薄膜的制备及静态性能研究

研究了６３２．８ｎｍ波长下适用的相变光盘介质Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性，发现该薄膜可在１００ｎｓ条件下实现直接重写，在优化膜层结构后，写擦循环次数高达１０＾６，反射率对比度在１５％以上。     

作为光存储记录材料的偶氮染料研究进展

文章综述了作为光存储记录材料的偶氮染料的研究与开发状况，讨论了将来的发展方向     

Sb掺和对TeOx薄膜光学和静态记录特性的影响

以真空蒸镀法在K9玻璃基底上制备了TeO_x:Sb单层薄膜,对薄膜的结构、光学和静态记录特性进行了研究.结果表明,Sb掺和后TeO_x薄膜的结构、反射光谱和光学常量均发生了明显变化.TeO_x:Sb薄膜具有良好的写入灵敏性并具有了一定的可擦除性能,该类薄膜有望作为可擦除光存储介质.     

近场光存储及其研究进展

本文从近场光学的超分辨原理出发详细介绍和分析了孔径探针型近场光存储技术，SIL透镜近场光存储技术和近场超分辨结构光盘存储技术等的基本原理、研究现状以及它们的优缺点及存在的问题。     

高密度光数据存储技术的发展

讨论了信息技术发展中信息数据存储的重要性,比较了磁存储和光存储的各自特点,介绍了光盘存储技术的发展趋势和高度光盘存储技术的关键问题,进一步讨论了超高密度光存储的发展可能。     

一类电子俘获型红外可激发材料的制备和光学性质

采用硫化助熔剂法(SFM)合成了具有红外上转换及光存储特性的稀土激活光子学材料CaS:Eu,Sm和CaS:Ce,Sm.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等测试了合成材料的物相结构和微观形貌,结果表明,合成材料具有单一相,相纯度在98.5%以上;采用CaCO₃制备的合成材料晶化程度更好,生成的晶粒更大.利用荧光光谱仪和分光光度计测量了合成材料的光学性质,结果表明,这类电子俘获材料在紫外线或短波长可见光有效激发下,能通过电子俘获实现光存储,并对近红外光有上转换作用.通过对合成材料及有关稀土元素原子结构分析,提出了两种新的稀土激活剂.     

TeOx薄膜结构及短波长静态记录特性的研究

以真空蒸镀法在K9玻璃基底上制备了TeO_x单层薄膜.使用X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的结构进行了分析.实验结果表明,薄膜是由晶态Te分散在非晶态TeO₂基体中形成的混合体系,TeO₂基体的存在增强了Te的抗氧化性能;薄膜具有精细粒状结构和粗糙的表面;退火后薄膜的反射率增加和Te向表面的偏析、重聚集及表面粗糙度的降低有关.采用波长为514.4nm的短波长静态记录仪对薄膜静态记录性能的测试结果表明:薄膜具有良好的记录灵敏性,在记录功率1.5mW、脉宽50ns时就可产生较高的反射率衬比(度).研究结果为选择合适掺和物使TeO_x薄膜实际用作高密度光存储介质有重要意义.     

手性介质的光学物理性质及其研究进展

文章总结了手性介质的概念、分类及其光学物理性质，综述了近年来手性介质在非线光学领域以及其他方面的研究进展。     

输出绿光的上转换材料及紫外、可见图象存储和图象减法

研究了一种输出绿光的上转换材料,它能存储紫外和可见光(图象),并能将红外光学图象转换为可见光图象.用200μm厚的薄膜做了图象存储和图象减法的实验.实验结果表明,这种材料对光存储和光学信息处理应用具有很多有吸引力的优点,如:可擦除、可重写、高分辨、高速度、大的响应线性特性以及模拟和并行操作等.     

功能梯度材料研究的现状与将来发展

功能梯度材料是近年来材料科学的研究热点之一,文章评述了ＦＧＭ的基本概念、制备技术、理论研究和应用情况等发展现状,同时对可能的发展进行了讨论,强调了对电磁性能研究的重要性。