940 nm无铝双量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器极限输出功率的因素。利用MOCVD研制了无铝双量子阱列阵半导体激光器。无铝列阵激光器的峰值波长为 940 2nm ,半峰宽为 2nm ,连续输出功率为 10W ,斜率效率为 1 0 9W A。     

基于无铝单量子阱的大功率半导体激光器

在改进的带有多槽石墨舟的液相外延(LPE)设备上,采用水平快速生长法获得了分别限制单量子阱结构(SCH-SQW),制作了条宽为100μm、腔长为1 mm的激光器,其阈值电流为0.70 A,最高连续输出功率达4 W,斜率效率为1.32 W/A,串联电阻为0.1 Ω,中心波长为808.8 nm.     

高功率GaAs／GaAlAs单量子阱远结激光器及退化

通过对研制的50余只808nm的GaAs/GaAlAs大功率单量子阱远结半导体激光器老化实验观测,在老化初期（前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,通过大于1000h的恒流电老化,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后表现出按指数规律缓慢下降的行为。实验结果表明器件具有长寿命的潜力。     

量子阱半导体激光器概述

本文主要从量子理论中的电子波函数所满足的薛定锷方程出发,讨论了量子阱理论。进而介绍多量手阱激光器(MQWL)的重要特征之一——阈值电流密度随量子阱的数目变化的情况。     

量子线和量子箱激光器—下一代高性能半导体激光器

本文讨论了量子线和量子箱激光器的特性,如呈现非常低的阈值电流、展宽的调制带宽和窄的谱线宽度。还介绍了量子尺寸结构的制造工艺、尺寸起伏和非线性增益对激射特性的影响。最后给出量子微腔激光器的新概念。     

大功率半导体量子阱激光器及其应用

本文综述了量子阱应变层异质结构的大功率半导体激光器的优化特性，阐述了大功率激光器的一些重要应用，比如用８０８ｎｍ波长的大功率激光器可作为泵浦光源代替庞大的氙灯泵浦系统，还可以用作激光核反应的前级大功率激光漂；大功率半导体激光器发射的波长可以精确地控制在９８０ｎｍ，并能高效率地耗合到光纤中去，有很高的泵浦效率，从而半导体激光泵浦的光纤放大器为光通信技术的发展作了突破性贡献，大功率半导体激光器还在军工     

高功率半导体激光器

现在,人们希望把半导体激光器应用在加工领域中,要求其波长达到800nm,以往在民用范畴内应用激光二极管,它是一种应用在小型光盘上的光源,它的光输出功率大约为5mW,但是,光盘读出信号则需较高的输出功率,今后,光盘要求同样波长范围的输出功率为30mW,而且用组合激光器能获得5000W(脉冲)输出功率。     

量子阱半导体激光器发展动态

综述了近几年来国外在量子阱半导体激光器方面的开发现状，着重阐述了在提高器件性能方面获得低阈值电流，降低α参数和线宽的重要性。     

光纤通信用半导体激光器及其进展

本文以所收集的１９９６年国外半导体激光器方面的研究成果为基础，介绍国外光通信用半导激光器器件研制的最新进展，具体介绍几种型半导体激光器，特别是量子材料激光器的结构和特点，希望能对国内半导体激光器的研制与应用提供有益的能者。     

高功率GaAlAs／GaAs量子阱SCH半导体激光器

利用分子束外延生长装置生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱结构材料。样品的测试结果表明,样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管,室温连续工作,功率为１Ｗ,斜率效率达到１．０４Ｗ／Ａ。     

高效率大功率连续半导体激光器

从大功率半导体激光器的工作机理出发,对影响激光器电光转换效率的主要因素,如激光器的斜率效率ηd、阈值电流Ith、开启电压V0、串联电阻Rs以及工作电流I等进行了分析,进而讨论了提高电光转换效率的主要技术途径。通过对应变量子阱大光腔激光器外延材料开启特性的优化、大功率激光器芯片横向限制工艺的改进以及对大功率微通道热沉制作等技术的研究,制作了808nm连续半导体激光器阵列。在工作电流140A时,阵列工作电压为1.83V,输出功率145W,电光转换效率达到56.6%。     

高功率半导体激光器的寿命评价研究进展

介绍了国内外主要高功率半导体激光器研制机构和用户寿命评价新的实验和测量方法、寿命数据,分析了开展寿命评价的一些研究思路和方法.     

飞速发展的半导体激光器

评述半导体激光器的发展动态, 包括应变量子阱激光器、垂直腔面发射激光器、可见光激光器、增益耦台型分布反馈激光器及高功率激光器列阵等。     

高功率半导体激光器电压饱和特性与器件质量

为实现对高功率半导体激光器快速,有效、无损的质量检测和可靠性筛选,对器件进行了电导数和光导数测试及分析.结果表明高功率半导体激光器的结电压饱和特性与其质量和可靠性紧密柏关.结电压饱和特性不好的器件一般都存在某种缺陷,结电压饱和特性的差异超出一定范围的同种类器件一定是质量和可靠性差的器件.因此,阈值处电导数曲线的下沉高度h值可作为器件筛选的一个判据.用模拟测馈的方法,对阵列器件和组成它的单元器件的电压饱和特性的相关性进行了研究,阵列器件的电压饱和特性与组成它的单元器件的一致性(均匀性)紧密相关.均匀性小好的器件的电压饱和特性也不好.     

大功率半导体激光器最新研究进展

大功率半导体激光器在军事领域和工业领域有着广泛的应用.综述了大功率半导体激光器最新研究进展,着重于在提高可靠性、提高功率转换效率、波长稳定、拓展波长范围等方面所取得的进步,并对目前大功率半导体激光器在材料加工领域中的直接应用进行了介绍,并展望了其发展趋势.     

高占空比大功率激光器阵列

设计并研制了1cm长折射率渐变分别限制单量子阱(GRIN—SCH—SQW)单条激光器阵列。占空比为20％，在70A工作电流下，输出功率达到61．8W，阈值电流密度为220A／cm^2，斜率效率为1．1W／A，激射波长为808．2nm。     

AlGaInP大功率半导体激光器的漏电分析

对于GaInP/AlGaInP量子阱激光器，在大电流注入或高温工作时有源区中注入的电子会越过势垒进入p型限制层成为漏电流，严重影响器件的正常工作. 本文通过测试AlGaInP大功率压应变量子阱激光器的阈值电流和外微分量子效率随温度的变化，拟合出有源区电子的有效势垒高度，并与理论模拟结果进行了比较，讨论了p型限制层掺杂浓度的分布对势垒高度的影响.