半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性

研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性 .当触发光能量和偏置电场不同时 ,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也不同 ,分别表现为完全击穿、不完全击穿和可恢复击穿三种类型 .通过对击穿实验结果的分析认为 ,电子俘获击穿机制是导致半绝缘GaAs光电导开关击穿损坏的主要原因 .偏置电场和陷阱电荷所产生热电子的数量和动能决定了Ga—As键的断裂程度 ,Ga—As键的断裂程度则反映半绝缘GaAs光电导开关的击穿类型     

半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性

研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性.当触发光能量和偏置电场不同时,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也不同,分别表现为完全击穿、不完全击穿和可恢复击穿三种类型.通过对击穿实验结果的分析认为,电子俘获击穿机制是导致半绝缘GaAs光电导开关击穿损坏的主要原因.偏置电场和陷阱电荷所产生热电子的数量和动能决定了Ga-As键的断裂程度,Ga-As键的断裂程度则反映半绝缘GaAs光电导开关的击穿类型.     

GaAs光电导探测器的双束质子改性

介绍了未改性的砷化镓光电导探测器以及经过两束不同能量的质子改性后的砷化镓探测器对X射线的响应,并对它们的输出波形与经过电子改性后的探测器的输出波形进行了比较,结果表明,经过双束质子辐照后的探测器的性能有较大的改善,双束质子改性较电子改性后的探测器有较好的性能.     

GaAs光电导探测器

研究了一种双微带结构的GaAs光电导探测器的性能,测量了本征GaAs探测器和经过1．6MeV电子辐照的探测器的x脉冲响应,并对其响应时间,后沿下降时间,半高宽（FWHM）进行对比研究,结果显示经电子辐照后的探测器的性能得到了明显的提高。     

非线性GaAs光电导开关的瞬态特性分析

基于能量守恒原理推导出非线性GaAs光电导开关电路的差分公式,代入实验数据计算出开关的瞬态电压、电阻、功率.该方法解决了长期以来非线性GaAs光电导开关的瞬态特性难于测量的问题.通过GaAs光电导开关的瞬态电压曲线知,在锁定期间开关平均电场强度总是大于耿氏阈值,并随时间单调递增.通过对比开关与其电路电源的瞬态功率曲线,证明了电源功率不足是导致GaAs光电导开关从锁定状态进入自关断状态的根本原因,因此提出了在锁定期间通过改变电路的功率分布使开关可控关断的思想.     

激光触发GaAs光电导开关非线性现象的实验研究

实验研究了光电导开关的非线性现象,结果表明用半导体激光脉冲串触发光电导开关,在保持激光触发GaAs光电导开关实验条件不变的情况下,产生非线性的电阚值会不断降低.测量和比较试验前后光电导开关暗电阻,初步表明产生非线性的电阈值降低,是光电导开关因光照和产生非线性引起内部材料物理机制发生变化所致.     

非线性GaAs光电导开关的瞬态特性分析

基于能量守恒原理推导出非线性GaAs光电导开关电路的差分公式,代入实验数据计算出开关的瞬态电压、电阻、功率.该方法解决了长期以来非线性GaAs光电导开关的瞬态特性难于测量的问题.通过GaAs光电导开关的瞬态电压曲线知,在锁定期间开关平均电场强度总是大于耿氏阈值,并随时间单调递增.通过对比开关与其电路电源的瞬态功率曲线,证明了电源功率不足是导致GaAs光电导开关从锁定状态进入自关断状态的根本原因,因此提出了在锁定期间通过改变电路的功率分布使开关可控关断的思想.     

红外猝灭非线性砷化镓光电导开关产生太赫兹的实验研究

在实验上对光激发电荷畴进行有效的猝灭,是利用具有雪崩倍增效应的非线性砷化镓光电导开关作为太赫兹辐射源的关键问题之一。提出了基于双光束红外激光来猝灭砷化镓光电导开关的非线性模式的初步实验方法,两束激光时延为100 ps,其中第二束为猝灭光。实验中,12 mm间隙的砷化镓光电导开关偏置电压可达到32 kV,输出电流为900 A。同时,14 mm间隙开关在20 kV偏置、毫焦光能触发条件下,可连续工作230次,输出波形具有较好的重复性。结果表明,双光束红外激光能够猝灭非线性模式,重复工作性能稳定,对高重复频率触发下光电导方法产生高功率太赫兹辐射的研究奠定了前期实验基础。     

高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象

本文首次报道了在临界触发条件下观察到的高倍增ＧａＡｓ光电导开关中的光激发畴现象．分析了畴的产生与辐射发光在Ｌｏｃｋ－ｏｎ效应中的作用．指出正是光激发畴的性质与行为决定了ＧａＡｓ光电导开关高倍增工作模式的典型现象和特性．     

CdS半导体非线性吸收中的电场作用

在CdS的室温光学非线性吸收过程中,再外加直流电场,观察到光学非线性吸收随外场增大而增大,非线性出现的光强阈值随外场增大而减小.通过实验判断这一现象来源于电子激子散射.     

厚光学非线性介质非线性吸收的理论分析

通过将非线性光学厚介质进行切片,对厚介质的非线性吸收进行了理论分析,所得解析结果同样适用于强的非线性区域．对近场情况进行了系统和全面的分析,获得了对于光限制器设计以及Z-Scan理论分析和实验有价值的结果．     

用光电导研究不同厚度未掺杂MOCVD GaAs外延层自由激子

用光电导测定厚度为４￣３０μｍ的未掺杂ＧａＡｓ ＭＣＶＤ外延层中自由激子跃迁特性，发现当外延层厚度增加时，结合能Ｒｘ增大，ｎ＝１自由激子峰位略向低能区漂移，而激子的高激子态强度的寿命τ都减小，这些效应主要归因子外延层表面的缺陷和电场的作用，最后，讨论了光致发光和测量温度对它的影响。     

Hg0.6Cd0.4Te的激子光电导谱

报道了Ｈｇ０．６Ｃｄ０．４Ｔｅ红外光电导谱，在本征吸收边的低能侧观察到束缚激子引起的分立光电导响应     

CdS晶体非线性吸收电场效应的时间过程

建立了一套光泵浦探针法测量CdS晶体光学非线性快过程的实验,同时测定外加电场对激子-电子相互作用时间的影响,以揭示光学非线性的特性和起源.通过计算机数值计算模拟得出:在没有外加电场作用下,激子-电子相互作用的衰减时间为60ps.由实验结果可以看出外加电场使衰减时间略有延长.     

半导体双光子吸收的阈值光强研究

研究非共振条件下光脉冲在半导体中传输引起的非线性吸收动力学过程，在薄样品近似下推导了描术双光子吸收及其诱导自由载流子吸收相对强弱的阈值光强公式，分析了样品厚度对阈值光强的影响，解释ＧａＡｓ双光子吸收系数的测量值在很大范围内变化的主要原因。     

InGaAs／GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收

利用分子束外延技术，生长了３０周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子点超晶格，透射电镜表明各层量子点沿生长方向呈现很好的垂直对准，红外吸收测试观察以明显的垂直入射红外吸收，吸收范围为８．５～１０．４μｍ之间，峰值波长为９．９μｍ第一次实现了响应８～１２μｍ大气窗口的量子点的垂直入射红外吸收，这一结果预示了量子点超晶格结构在红外探测领域的潜在应用。     

红外吸收微区测量技术在半导体材料中的应用

本文采用微孔遮挡近红外吸收法，对厚度为０．５ｍｍ左右薄片半绝缘（ＳＩ）－ＧａＡｓ中深施主ＥＬ＿２进行了直接测量，使用微机控制自动测量系统对ＳＩ－ＧａＡｓ晶片中的ＥＬ＿２浓度进行了微区分布测量，利用显微傅里叶变换红外光谱测量技术对硅外延层厚度，硅中间隙氧、替位砍含量，硼、磷、硅玻璃中的硼磷含量及薄片ＳＩ－ＧａＡＳ中替位碳含量进行了ＦＴ－ＩＲ显微测量。实验结果为研究半导体材料的微区特性和均匀性提供了可靠的依据。     

稀土元素在氟铝酸盐玻璃中吸收损耗

测量了各种稀土元素在氟铝酸盐中的透射光谱,计算了它们在0.3～8μm之间的吸收系数α(cm~(-1))及吸收损耗L(dB/km/ppm)。结果表明稀土元素Ce、Pr、Nd、Sm、Eu和Dy除了在紫外区有吸收峰外,在2～5μm红外区也有尖锐的吸收峰,它们的吸收损耗为1.5～60dB/km/ppm。为获得2.5μm波长处损耗低于1dB/km的氟铝酸盐玻璃光纤,Nd浓度必须低于10ppb,Pr、Sm、Eu和Dy浓度必须低于100ppb。     

带隙态对辉光放电a—SiNx：H光电导的作用

研究了a-SiN_x:H中带隙态和带尾态对光电导的影响。实验结果表明:退火引起光电导响应增加,光电流谱中的肩峰在200℃退火时消失,光生载流子的复合随退火温度的变化由双分子型变为单、双分子混合型,取决于光电导的带隙随退火温度的提高而略有增加。并从光电导测量定量地给出了悬键态密度。     

MOCVD生长GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱子带间红外吸收特性

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０）／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（３００）多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收．用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ－１（１０．１μｍ）带宽为２３７ｃｍ－１（９～１１．５μｍ）的强吸收峰，该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致．