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用正电子寿命技术研究了高温超导外延薄膜YBa2Cu3O7-x中空位型缺陷的性质.结果表明,空位缺陷的类型与沉积条件无关,缺陷浓度随空气分压的增加或衬底温度的降低而增加.正电子平均寿命的温度依赖关系测量结果指出,当温度在室温以上时,几乎所有的正电子都逃逸出浅捕获中心;当温度高于375K时,必须考虑其退火效应. 相似文献
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高临界温度氧化物超导体的发现,对超导电性研究领域、凝聚态物理、以至整个物理学和其它相关学科、高新技术的发展,已经并正在继续产生着深远的影响。高温超导体中元素替代研究有着其特殊的意义。例如,通过元素替代,已发现了多种结构类型的几十种新的高温氧化物超导 相似文献
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本文以实验为基础,简要而系统地介绍了氧化物高温超TBCO体系中超导体YBa2Cu3o7-δ材料的实验室生产过程。 相似文献
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对磁性金属钴掺杂的YBa2(Cu1-yCoy)3O7-δ超导体进行了中子衍射研究。研究表明:钴原子择优占据Cu(1)晶位;随着钴一的增加,单胞中平均氧含量增加;晶胞的晶格常数α增大,b减小,至y=0.038时,a=b,而c是先增大再减小。 相似文献
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YBa2Cu3O7-δ高温超导织构体中含Sn氧化物的稳定相 总被引:1,自引:0,他引:1
通过在YBa2Cu3O7-δ超导体中加入各种含Sn氧化物,如SnO2和Y2Sn2O7等,生长织构样品,并通过粉末X射线衍射,电子探针等手段分析其相组成,研究织构体中含Sn氧化物的稳定相。发现φ相(Ba2Sn[Sn1/3-xCuxY2/3]O6)可能是其中的一个稳定相,这与参考文献[3]的报道相符。但我们仍不能排除BaSnO3和Ba2SnO4作为稳定相存在的可能性。结果有利于帮助分析含Sn氧化物在织 相似文献
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我们采用电子束曝光和氩离子刻蚀技术制备了YBC纳米桥,在此基础上得到高温rfSQUID,器件的磁通噪声为4×10^-4Φ/√Hz,磁场分辨率为2.0pT/√Hz,对没有三角波的器件,经过EDTA后腐蚀技术对纳米进行弱化处理,部分器件出现了三角波。 相似文献
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本文报道的在Zr(Y)O2和LaAIO3两种衬底上制备的YBa2Cu3O7-δ单晶膜的荧光光谱。样品用原位中空柱状阴极直流磁控溅射法制备。结果表明,随衬底材料的不同呈现不同的荧光光谱分布。沉积在Ar(Y)O2上的YBa2Cu3O7-δ膜的主峰位于2.85eV,而沉积在单晶LaAIO3衬底上YBa2Cu3O7-δ膜的主峰位于2.12eV处,前者由3.0eV和2.80eV两个峰组成,改变激发能可以使它们分离;升高衬底温度出现低能峰,后者为单峰,峰值位置不胡激发能的变化而改变,地结果进行了讨论。 相似文献
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测量了c轴高度定向的YBa2Cu3O7-δ高Tc超导薄膜经300~750℃退火后的红外反射光谱和不同掺Zn量的YBa2Cu3-xZnxO7-δ块状材料的红外吸收光谱。根据这些光谱中Cu-O吸收峰的变化,证实了在YBa2Cu3O7-δ体系的红外光谱中,630cm^-1、590cm^-1、和550cm^-1三个吸收峰分别对应的Cu-O伸缩振动膜,以及与氧缺位的关系。并讨论了二维电子气屏蔽对吸收峰的影响 相似文献
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YBa2Cu3O7—δ外延薄膜的电流—电压特性 总被引:1,自引:0,他引:1
分别测量了不同磁场及其位形下I-V曲线随温度的变化关系。实验结果表明,在磁通玻璃转变温度以下,logI-logV曲线具有正曲率,在磁通玻璃转变温度以下,logI-logV曲线具有负英率;不同温度下的I-V曲线能够很好地被标度到两条曲线上,表明样品中存在磁通液态到玻璃态的转变。 相似文献
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为探索高浊国氧化物直发导膜在加速腔中的应用,我们以金属银为技术衬底,在非平板型及足够大的表面积上电泳沉积YBa2Cu3O7-δ导膜。文中给出YBa2CCu3O7-δ超导膜的微结构,及其表面电阻,共振频率位移,Rs的频率关系和高场行为等波性能。 相似文献
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利用电学测量方法结合二次离子质谱(SIMS)技术对金属Ag与Al与YBa2Cu3O7-x(YBCO)超导薄膜接触界面电学性质和扩散特征进行了测试分析,分析结果显示由于Ag和Al具有不同的化学性质,二与YBCO界面的互扩散特性有明显不同,这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下YBCO超导性能,在Ag/YBCO样品中,在高于350℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ag和O的界面互扩散,但对YBC 相似文献
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建立了一套测量样品电压涨落噪声的频谱分析系统,用此系统观察到超导YBa2Cu3O7取向模在正常态下反常大的1/f噪声,并发现不同结构形貌的样品噪声水平有明显差异。 相似文献