微波FET混频器的分析与设计

本文讨论了微波单栅FET的等效电路模型、本振大信号分析的谐波平衡法以及RF小信号分析的多频变换矩阵法。建立了一套完整的FET混频器的分析设计方法。试验设计表明,本方法是简便而有效的。     

X频段FET混频器的仿真设计

主要研究X频段下变频场效应管(FET)混频器的设计与仿真,利用谐波平衡法和变换矩阵法对FET漏极混频器的工作原理进行分析,根据设计要求选取合适的FET管,运用先进设计系统(ADS)软件对电路进行设计、仿真优化和加工测试。测试结果表明,在射频频率为12.3 GHz~13.2 GHz,中频频率为1.6 GHz~2.5 GHz时,变频损耗小于5 dB。     

毫米波单片有源混频器的研制

采用OMMIC 0.18μm GaAs pHEMT工艺,研制了毫米波单片有源混频器.该混频器选用单栅极单端FET混频结构.在中频输出端设计了低通滤波器,以提高LO-IF、RF-IF的隔离度.芯片的尺寸仅为0.95mm×1.85mm.在射频频率为39GHz、输出中频频率为3GHz时,该混频器的变频增益为0.6dB,LO-IF隔离度大于55dB,RF-IF的隔离度大于30dB.     

三毫米波亚谐波混频器研制

采用鳍线结构研制出三毫米波亚谐波混频器.混频的核心元件是反向并联的GaAs梁式引线肖特基势垒二极管对.根据亚谐波混频器对本振、射频和中频网络的要求,先用谐波平衡法分析出反向并联二极管对在本振信号单独激励下的大信号阻抗,由此设计出本振网络.然后模拟出该器件在大信号本振激励下的小信号射频输入阻抗,并由此设计出射频网络.中频网络采用微带线结构实现.该混频器工作在射频92～96GHz,中频8～12GHz,实测带内变频损耗小于19.1dB.     

3mm波段四次谐波混频器阵的研究

采用微带结构研制出3毫米波段8路四次谐波混频器阵。该混频器核心器件采用型号为MS8251的GaAs梁式引线肖特基势垒二极管对。设计了一种便于组阵结构的四次谐波混频器,把混频器分解为反向二极管对模块和双工器模块。反向二极管对模块和双工器模块电路分别设计和安装在厚度为0.127mm和0.254mm的RT/Duriod 5880基片上。实测混频器的最低变频损耗为17dB。     

高Tc氧化物颗粒超导体的B型电流注入型三端器件实验研究

本文用实验方法研究了B型高T_c氧化物颗拉超导体电流注入三端器件(B-HOGSCITTD)及其颈缩型(NB-HOGSCITTD)的特性,预示了以此构成开关器件和放大器件的可能性。实验表明,B-HOGSCITTD和NB-HOGSCITTD具有类似特性,进一步说明该氧化物超导体的颗粒性和弱连接网络性。     

三极结构场致发射显示器件的制作

利用钙钠玻璃作为阴极和阳极面板,并采用低熔点玻璃粉进行高温烧结,制作了三极管型的碳纳米管阴极场致发射平板显示器件样品。高效的烧结排气工艺提高了器件的制作成功率,避免了碳纳米管阴极和阳极荧光粉的损伤。改进的消气剂装配确保了器件的良好密封性能。整体显示器件具有高的显示亮度和低的制作成本。     

毫米波GaN基HEMT器件材料结构发展的研究

由于GaN材料的高的饱和电子速度和击穿场强,GaN基HEMT已经成为实现毫米波器件的重要选择。回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程,就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的短沟道效应和源漏间较大的导通电阻两个主要问题进行了机理分析,并对GaN基HEMT器件的毫米波应用未来发展方向进行了分析。同时从GaN基HEMT器件材料结构设计入手对解决方案进行了探讨性研究。针对面向毫米波应用的GaN基HEMT材料结构,为有效的抑制短沟道效应,可以采用栅凹槽结构加背势垒结构、采用InAlN等新材料,可以有效降低源漏导通电阻。     

常规XRD对超薄PtSi/Si膜的表征技术的研究

由于超薄金属半导体薄膜在微电子领域具有广泛应用前景，因而对它的研究也越来越深入。针对超薄铂硅膜的超薄性和半导体基底给表征分析带来的困难，通过实验，用常规 Ｘ Ｒ Ｄ， Ｘ Ｐ Ｓ 研究了单晶硅基片上生长超薄铂硅膜表征技术，测出厚度约为３ ｎｍ 的铂硅膜的物相成分为 Ｐｔ Ｓｉ， Ｐｔ２ Ｓｉ。