碳在钼(100)和钼(111)表面上的超结构

用一定能量的氩离子束轰击含碳、氧的钼(100)和(111)表面,不能除去表面上的碳。而用能量为1千电子伏,束流为6微安的氮离子轰击10—15分钟,氮在表面的吸附达到饱和值。加热到400—600℃之间碳、氧从表面上基本消失,600—650℃之间吸附在表面上的氮大量脱附,即氮峰陡降到较低值,碳又偏析到表面上。加热到730℃和775℃氮从表面消失,分别得到碳在钼(100)表面上的p(2×2)和c(6×2)结构。而若将大量脱附氮的钼(111)表面,冷却到室温,氧又偏析到表面上。重新加热到650℃以上碳先从表面消失 关键词：     

CdTe(111)表面电子结构

利用Muffin-Tin轨道线性组合法(LMTO),采用Slab模型,计算了CdTe(111)表面的电子结构,给出总体、局域及分波态密度,该结果与同步辐射光电子谱实验结果符合. 关键词：     

第一性原理研究氧在Ni(111)表面上的吸附能及功函数

采用基于密度泛函理论（DFT）广义梯度近似（GGA）下的第一性原理方法系统地研究了不同覆盖度下O在Ni（111）表面的吸附特性.计算结果表明,O在Ni（111）表面的稳定吸附位为三重面心立方（fcc）洞位,吸附能随着覆盖度的增加而减小,O诱导Ni（111）表面功函数的变化量与覆盖度成近线性关系,并随着覆盖度的增加而增大.同时,通过对电子密度和分波态密度的分析发现：O在Ni（111）表面的吸附使得Ni表面电子向O原子转移,形成表面偶极矩,导致功函数增加;表面Ni原子的3d轨道和O的2p轨道通过耦合、杂化作用形成成键态和反键态,而反键态几乎不被占据,因而O—Ni键相互作用比较强,吸附能较大. 关键词： 表面吸附 密度泛函理论 吸附能 功函数     

ZnS(111)表面电子结构研究

利用Ｍｕｆｉｎ-Ｔｉｎ轨道线性组合（ＬＭＴＯ）法，采用ｓｌａｂ模型计算了半导体ＺｎＳ（１１１）表面的电子结构，给出了总体、局域及分波态密度，分析了两种ｓｌａｂ模型的表面稳定性和表面态．理论态密度曲线与ＺｎＳ（１１１）表面同步辐射光电子能谱相符合     

Ⅶ族元素在Si(111)和Ge(111)表面上的吸附

本文用原子集团模型和电荷自洽的EHT方法研究了Ⅶ族元素在Si(111)和Ge(111)表面上的化学吸附。利用能量极小的原则确定了各元素的化学吸附构型。对于Cl,在这两个表面均是顶位吸附。对于Ⅰ,都呈三度空位吸附。对Br,顶位及三度空位吸附均能发生,但是在Si(111)表面顶位吸附要优于三度空位,而在Ge(111)表面则三度空位吸附优于顶位。最后对Ⅶ族元素原子在这两种表面的吸附行为作了讨论,并与实验作了比较。 关键词：     

硫偏析在钼(111)表面上的有序结构

用AES和LEFD在700—800℃温度范围内研究了硫在钼(111)表面上的偏析动力学和表面结构。样品加热到800℃硫迅速地偏析到表面上并逐步地取代了表面上的碳。加热到700℃硫没有明显的表面偏析。硫的偏析主要受它的体扩散速率的控制,表面碳的存在也抑制了硫的表面偏析。不同温度下的偏析动力学实验后,分别进行了低能电子衍射实验,观察到钼(111)(3^1/2×3^1/2)R30°-硫和1/3(⁴⁴_-99)-硫两种表面结构的低能 关键词：     

石墨烯在Ni(111)表面生长机理的紧束缚计算研究

本文采用SCC-DFTB方法,研究了石墨烯在Ni金属(111)表面上的生长机理及在台阶面生长情况.结果分析表明,苯环在Ni表面吸附时以界面fcc构型总能最低,结构最为稳定.边缘生长时,附着在衬底表面上的石墨烯层中C原子活性从边缘向中间逐渐降低.在由(111)晶面和(1-11)晶面相交形成的台阶面上,石墨烯片层可连续生长,同时相对衬底表面发生一定偏转,在较大面积时将出现缺陷.改善石墨烯与衬底台阶处的界面不匹配情况将有利于其大面积高质量生长.     

石墨烯在Ni(111)表面生长机理的紧束缚计算研究

本文采用SCC-DFTB方法,研究了石墨烯在Ni金属(111)表面上的生长机理及在台阶面生长情况.结果分析表明,苯环在Ni表面吸附时以界面fcc构型总能最低,结构最为稳定.边缘生长时,附着在衬底表面上的石墨烯层中C原子活性从边缘向中间逐渐降低.在由(111)晶面和(111)晶面相交形成的台阶面上,石墨烯片层可连续生长,同时相对衬底表面发生一定偏转,在较大面积时将出现缺陷.改善石墨烯与衬底台阶处的界面不匹配情况将有利于其大面积高质量生长.     

Ni(111)表面C原子吸附的密度泛函研究

基于密度泛函理论的第一性原理计算,对过渡金属Ni晶体与Ni (111)表面的结构和电子性质进行了研究, 并探讨了单个C原子在过渡金属Ni (111)表面的吸附以及两个C原子在Ni(111)表面的共吸附. 能带和态密度计算表明, Ni晶体及Ni (111)表面在费米面处均存在显著的电子自旋极化. 通过比较Ni (111)表面各位点的吸附能,发现单个C原子在该表面最稳定的吸附位置为第二层Ni原子上方所在的六角密排洞位, 吸附的第二个C原子与它形成碳二聚物时最稳定吸附位为第三层Ni原子上方所在的面心立方洞位. 电荷分析表明,共吸附时从每个C原子上各有1.566e电荷转移至相邻的Ni原子, 与单个C原子吸附时C与Ni原子间的电荷转移量(1.68e)相当. 计算发现两个C原子共吸附时在六角密排洞位和面心立方洞位的磁矩分别为0.059μ_B和 0.060μ_B,其值略大于单个C原子吸附时所具有的磁矩(0.017μ_B).     

岩盐结构SrC(111)表面和(111)界面的d~0半金属性

利用第一性原理方法,本文研究了岩盐结构的SrC块材、(111)表面和(111)界面的电子结构和磁性.块材的SrC被证实是一个良好的d~0半金属铁磁体.计算结果显示(111)方向的C表面和Sr表面都保持了块材的半金属性.对于(111)方向四个可能的界面,态密度的计算显示C-Pb界面呈现半金属特性.本文对岩盐结构SrC块材、(111)表面和(111)界面半金属性的研究结果,将为高性能自旋电子器件的实际应用提供一定的理论指导.     

Si(111)表面原子弛豫研究

本文用原子集团模型和推广的Hueker方法研究Si(111)面的表面弛豫,得到表面Si原子向体内弛豫0.10?的结论,改进了已有的经验估计和理论计算结果,与LEED的分析结果符合较好。 关键词：     

氮吸附在镍(001)表面上的P(2×2)结构

在总压为5×10^-5托并含有少量氮的氩气中,用能量为500伏、束流为5微安的氩离子轰击镍(001)表面,获得了一个吸附着氮的镍表面。低能电子衍射观察表明,吸附在镍(001)表面上的氮形成了类似于氧和碳吸附(偏析)在镍(001)表面上所产生的P(2×2)结构。对氮吸附在镍面上的键的本质进行了初步的探讨。 关键词：     

碳和氧在钼(110)表面上形成的有序结构

使用LEED和AES研究了钼(110)表面上的碳和氧,用能最为1千电子伏束流为6微安的氩离子轰击含碳和氧的钼(110)表面,发现碳的峰形和强度发生了变化,深度剖面分析指出,碳层是来源于体内,加热样品到700℃和750℃以上分别观察到碳的c(4×4)-碳和-碳两种有序结构. 关键词：     

氮离子轰击钼(111)表面及退火后形成的有序结构

用能量为一千电子伏,束流为6微安的氮离子轰击钼(111)表面15分钟,在俄歇能谱中出现很强的氮的俄歇峰。从室温至450℃退火低能电子衍射观察表明,表面是无序层。样品加热到562℃左右观察到正方的低能衍射图,可以解释为氮、氧在钼(433)小面的c(3×1)结构。 关键词：     

用ARUPS和HREELS研究GaP(111)面的表面态

本文利用角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)和高分辨率电子能量损失谱(HREELS)研究Ar⁺刻蚀退火处理的GaP(111)面表面态。发现与P原子悬挂键有关的本征满表面态在Г点位于价带顶下0.6eV处,而缺陷引入的空表面态位于价带顶上1.1eV处(Г点)。空表面态引起n型样品表面能带发生1.36eV弯曲。     

石墨上纳米尺度金岛的形成

用扫描隧道显微镜研究了真空蒸镀在高定向热解石墨上金岛的形成和形状．随着蒸镀量的增加及时间的推移，金原子在表面通过扩散而逐渐合并成越来越大的原子团，以至岛，甚至岛群．虽然几个纳米大小的原子团仍十分可动，但在蒸镀量大于20单层时的岛或岛群已十分稳定．研究发现，同一蒸镀量下，各个金岛具有非常接近的宽度和高度，用薄膜成核的圆柱状模型计算岛的宽度与高度之比表明，金岛非常接近热力学平衡状态．这些形状各异的通过生长而自组装形成的纳米尺度金岛可用来进行介观物理的研究 关键词：     

Ni(100)面上吸附原子的间接相互作用能

本文用紧束缚模型和单电子理论研究吸附原子间的间接相互作用能。讨论杂质的影响,发现掺杂Cu使相互作用能的峰值增大,峰的位置向耦合强度较大的方向移动;而掺杂Co情况则正好相反。利用相互作用能随吸附原子相对位置的变化,很好地解释了H和O在Ni(100)面上吸附时的层结构。还发现相互作用随耦合强度的减少呈现振荡衰减的趋势。 关键词：     

化学汽相沉积金刚石生长表面氢原子覆盖率的研究

化学汽相沉积金刚石生长表面的悬挂键是其赖以成核和生长的表面活性格点。但是两个以上悬挂键聚集在一起时,局部表面能量比较高,悬挂键之间容易发生重构,形成π键或者dimer键,成为石墨结构的生长基样点。因此,金刚石的生长主要依赖于表面上的单个悬挂键集团和气相中的碳氢活性基团。石墨则主要依赖于表面上的多个悬挂键组成的集团,石墨的生长可以被表面附近活性氢原子的刻蚀作用所抑制。对表面悬挂键的微观分布状态的统计计算结果表明,(111)和(100)生长表面的氢原子覆盖率分别为0.86单层(ML)和0.80ML时,单位表面