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1.
以石墨管为基体,十六烷基三甲基溴化铵为电活性物质,制备了带有内参比电极(Ag/AgC l)的管状流通式阴离子表面活性剂选择性电极,对其性能进行了测试。实验结果表明,其线性响应范围为1.6×10-7~5.1×10-3mol/L,斜率为52.0 mV/dec,检出限为2.0×10-8mol/L。利用该电极进行测试时,常用的无机阴离子C l-、SO42-、NO3-、PO43-等不会对其产生干扰;该电极适宜的pH值范围为2.50~10.50。对水样测定,回收率为95%~104%。电极可连续使用50 d左右。 相似文献
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采用循环伏安法考察了所制备的聚氯乙烯(PVC)膜修饰电极的稳定性,结果表明,该修饰电极性能稳定,电极反应过程为扩散控制的过程。以循环伏安法、计时库仑法、稳态极化曲线法和交流阻抗法分别考察了阳离子(十六烷基三甲基溴化铵,CTMAB)、阴离子(十二烷基硫酸钠,SDS)和非离子(脂肪醇聚氧乙烯醚,AEO9)3种不同类型的表面活性剂对PVC膜-Ag[B(ph)4]修饰电极反应过程的影响。结果表明:加入CT-MAB或SDS后,PVC膜中Ag[B(ph)4]氧化态和还原态的扩散系数分别比电极在0.1mol/LKOH支持电解质中的扩散系数小,PVC膜修饰电极的反应过程受扩散控制的特征变得更明显,表明在此条件下膜中的电子转移速度加快,CTMAB或SDS对PVC膜修饰电极的电极反应过程有增敏作用。而加入AEO9后,PVC膜中的Ag[B(ph)4]氧化态和还原态的扩散系数比电极在0.1mol/LKOH支持电解质中的扩散系数大,并使电极反应的控制步骤从扩散控制转向含电子转移控制的扩散控制,表明在此条件下膜中的电子转移速度变慢,AEO9对PVC膜修饰电极的电极反应过程有抑制作用。 相似文献
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当一针尖电极靠近一导电基底表面至间距与超微盘电直径相当时,针尖电极上的电化学反应产物能够有交地扩散到基底表面,并可能在其上发生电极反应使之复原为原反应物或生成其他有关物种,从而增大针尖电极上的电化学反应电流(对应于反应物种浓度)或影响该电极过程。本文将报道归扫描电化学显微技术中的这一正反馈作用对Au/HCl体系的电化学振荡行为的影响。Au电极的阳极过程一般认为由下列两步构成。 相似文献
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穿孔电极对电化学发光强度的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
电化学发光 (ECL)作为一种灵敏度高、选择性好的分析方法 ,越来越受到人们的关注。这种方法已用于多种无机物、有机物、生物大分子和生物活性物质的测定及多种抗原、抗体和半抗原的免疫分析等[1~ 4] 。电化学发光的反应是在工作电极表面进行的氧化还原反应[1 ] ,工作电极提供电子的能力与效率直接影响发光强度 ,所以研究电极的形状与发光强度及其效率的关系是一个非常有意义的工作。对于不同形状的工作电极的特性的研究早有报道[5~8] ,包括圆片状 ,圆环状 ,球形 ,半球形和带状。但是这些研究都是从电特性和化学特性的方面进行的 ,而直接… 相似文献
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对半导体电极表面进行修饰,使它能吸收与太阳.光谱相匹配波长范围的光和具有良好电化学活性是光电化学研究领域中的一个课题. 相似文献
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在N-Si和P-Si半导体上用化学沉积法制备了内场致发射电极并研究了它们的电化学行为。从分解电势Ⅰ~Ⅴ曲线可知,这种电极可在低于1.23V下分解水;对Fe~(3+)/Fe~(2+)体系的循环伏安图,其峰电流为铂电极的8倍多。 相似文献
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膜电阻对自组装膜修饰电极电化学行为的影响 总被引:3,自引:1,他引:3
应用循环伏安和交流阻抗技术研究了 16烷基硫醇自组装膜修饰的金电极在Fe(CN) 63 - /Fe(CN) 64 - 溶液中的电化学行为 .无“针孔”缺陷的自组装膜对溶液与基底间的界面电子转移具有强烈的阻碍作用 ,当过电位较大时 ,In(I/ η)对 η1/2 之间具有良好的线性关系 .通过对Au/SAM /Hg模拟体系的电流———电压曲线进行测定 ,得到了自组装膜膜电阻的特征 .指出由于膜电阻的存在 ,自组装膜修饰电极在Fe(CN) 63 - /Fe(CN) 64 - 溶液中的行为实质上反映了膜自身的电阻特征 相似文献
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比较研究氰基钴胺素在光滑和粗糙化银电极上的电化学行为,发现在光滑银电极上氰基钴胺素的还原为一个二电子过程,而在粗糙化银电极上则为两个一电子过程,其原因是由于粗糙化银电极对氰根的强吸附作用。 相似文献
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两种二茂铁巯基化合物的合成表征及其修饰金电极电化学性质的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过二茂铁甲醛与两种胺在无水乙醇中缩合,合成了两种新型的含有巯基的二茂铁基的Schiff碱,同时研究了两种新型二茂铁巯基化合物修饰金电极的电化学性质. 相似文献
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脱氧核糖核酸在汞膜电极上的电化学行为 总被引:6,自引:0,他引:6
首次在汞膜电极上利用循环安,微分脉冲和交流伏安法研究脱氧核糖核酸(DNA)的电化学行为,结果表明汞膜电极作为一类固体电极可应用于负电位区DNA电化学行为的研究。同时结合凝胶电泳和UV光谱法,研究了用纯高氯酸处理的DNA的氧化还原特性,结果表明纯高氯酸可经起DNA的变性和降解,纯高氯酸不适宜DNA的变性处理。 相似文献
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异咯嗪蒙脱石修饰电极的电化学行为 总被引:1,自引:0,他引:1
应用十六烷基三甲基溴化铵对蒙脱石进行改性,成功地制备稳定性良好的异咯嗪蒙脱石修饰电采,用循环伏安法对此修饰电极的电化学行为进行了研究。测定了异咯嗪在蒙脱石膜内的化学扩散系数,对异咯嗪在改性蒙脱石中电极反应机制进行了探讨。 相似文献
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用硬模板法合成了有序介孔碳(OMC),并以壳聚糖(Chitosan)作为分散剂制备了有序介孔碳-壳聚糖复合膜(OMC-Chitosan)修饰电极.应用该电极研究了尿酸(UA)的电化学行为以及实际样品的分析检测.在0.1 mol/L(pH 6.5)的磷酸盐(PBS)缓冲溶液中,UA在OMC-Chitosan修饰电极上于0.334 V处产生一灵敏的不可逆氧化峰,氧化峰电流(ipa)与UA的浓度在4.0×10-6~2.0×10-4 mol/L范围内呈良好的线性关系,相关系数为0.9997,检出限为2.0×10-6 mol/L.对0.2 mmol/L UA平行测定10次,相对标准偏差为3.8%,表明该电极重现性和稳定性良好. 相似文献
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对硫磷在纳米氧化铝薄膜修饰电极上的电化学行为及其测定 总被引:2,自引:0,他引:2
制备了纳米氧化铝修饰玻碳电极(nano-Al2O3/GCE/CME),用循环伏安法(CV)、线性扫描伏安法(LSV)研究了对硫磷(TP)在nano-Al2O3/GCE/CME上的电化学行为.实验表明,该修饰电极与裸电极相比能显著提高TP的氧化还原峰电流并降低其氧化峰电位.在0.1 mol/L HAc-NaAc缓冲溶液(pH =5)中,TP在该修饰电极上产生1个不可逆的还原峰( Epc1=-0.567 V)和1对可逆氧化还原峰( Epa2=0.018 V和Epc2=-0.008 V) ,氧化峰电流与TP的浓度在2.5×10-9~1.0×10-7 mol/L和1.0×10-7~1.0×10-5 mol/L范围内具有良好的线性关系,回归方程分别为: ip(μA)=0.2529+4.201C(μmol/L), r=0.9984和ip(μA)=0.6752+0.3181C(μmol/L), r=0.9946.开路富集30 s后,检出限为1.0 ×10-9 mol/L(S/N=3).在1.0×10-5 mol/L TP试液中连续测定10次,其RSD为3.8%.用此方法测定了蔬菜中TP的含量,回收率为95. 6%~100.5% ,结果满意. 相似文献
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研究了S2-在乙酰二茂铁(AFc)修饰碳糊电极(AFc/CPE)上的电催化氧化行为及其电化学分析方法。实验结果表明,AFc/CPE对S2-的电化学氧化具有良好的催化作用。用计时电流法(CA)测定了S2-在AFc/CPE上的电催化氧化反应速率常数k为(2.60±0.05)×105 L.mol-1.s-1。用方波伏安法(SWV)测得催化氧化峰电流与S2-的浓度在5.0×10-5~1.0×10-3 mol.L-1范围内呈良好线性关系,检出限(S/N=3)为1.3×10-7 mol.L-1,同时运用SWV法对造纸废水水样中S2-的含量进行了电化学定量测定。 相似文献
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聚乙烯吡咯烷酮修饰碳糊电极上酪氨酸的电化学研究及其测定 总被引:4,自引:1,他引:4
研究了酪氨酸在聚乙烯吡咯烷酮修饰碳糊电极的伏安行为,优化了测定条件,在此基础上建立了一种直接测定酪氨酸的电分析方法。氧化峰电流与酪氨酸的浓度在2×10-7~5×10-5mol·L-1之间有良好的线性关系,开路富集3min,检出限为1×10-7mol·L-1。用此方法测定了酒样和人尿中酪氨酸的含量,结果满意。 相似文献