用于光电子器件的低成本、高反射率SOR衬底

报道了一种包含一薄层单晶硅和隐埋Si／SiO2布拉格反射器的SOR衬底．这种可用于光电子器件的衬底是由硅基乳胶粘接和智能剥离技术研制而成的．在垂直光照条件下,这种SOR衬底在1.3μm处的反射率接近100%。     

自由空间光通信中光电子器件的现状分析

对自由空间光通信中的光电子器件包括激光器、光电探测器、光学滤波器的现状做了系统分析，结果表明：CO2激光器、半导体激光器和LD泵浦的YAG固体激光器成为目前和未来自由空间光通信系统的重要光源；PIN和APD光电二极管成为自由空间光通信系统探测器的最佳选择；干涉滤波器和原子滤波器成为自由空间光通信系统滤光器的发展重点。     

光电子技术与器件

~~光电子技术与器件     

军用光电子器件的标准化

简述光电子技术在军事应用中的作用和地位，介绍了国内军用光电子器件标准化现状，并对今后工作开展提出若干建议。     

自由空间光通信中光电子器件的现状分析

对自由空间光通信中的光电子器件包括激光器、光电探测器、光学滤波器的现状做了系统分析,结果表明:CO2激光器、半导体激光器和LD泵浦的YAG固体激光器成为目前和未来自由空间光通信系统的重要光源;PIN和APD光电二极管成为自由空间光通信系统探测器的最佳选择;干涉滤波器和原子滤波器成为自由空间光通信系统滤光器的发展重点。     

用于光电子器件封装的耦合对准技术

在光电子器件封装工艺中，光器件的对准是个关键问题，它直接关系到光电子器件的性能和实用化。本叙述了光电子器件封装中的有源对准技术、无源对准技术、自对准技术和自动化的对准封装技术。     

光电子器件的物理性质与模拟

一、采用分布反馈技术和分配式布拉格反射器的激光器 1.采用分配式布拉格反射器(DBR)并包含线性调频光纤光栅的混成激光器的动态与性能(G.H.Duan等,法国阿尔萨斯原子、电子及长途通信器材制造公司) 2.用于Gbit以太网的非致冷高速分布反馈激光器(R.Paoletti等,意大利Agilent技术公司)     

硅基集成光电子器件的新进展

综述了硅基微纳激光器、调制器、探测器及光传输控制器件的最新研究进展.重点阐述了表面等离子体、量子阱、光子晶体及纳米光栅等新型结构在提高器件综合性能和降低器件尺寸方面的重大作用.同时,还展示了用标准互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,实现硅基光子器件和电子器件在同一基片上微纳集成的巨大前景.     

原子层沉积法制备高反射率的分布式布拉格反射镜

为提高GaN基发光二极管(LED)的发光强度,制备TiO₂/Al₂O₃分布式布拉格反射器(DBR)来提高其外量子效率是一种有效的方法。原子层沉积(ALD)法所制备的薄膜具有良好的均匀性,适合用来制备反射器材料。同时,TiN薄膜具有良好的类金属性质,且与TiO₂之间具有良好的粘附性,因此在DBR基础上再采用TiN反射层可以将反射率进一步提高。Matlab软件模拟结果表明,3~6周期厚的DBR,其反射率随厚度增加而提高。其中6周期DBR的反射率为95%,加上TiN薄膜后反射率可以得到进一步提高。实验结果与模拟结果吻合,6周期DBR+TiN结构的反射率达到99%。给带有该结构的LED注入50mA电流时,LED光输出功率(LOP)相对没有该结构的器件提升了约68.3%。     

半导体光电子器件的课程教学设计

阐述半导体光电子器件课程的教学内容与目标、教学方法和考核方式,探讨“非平衡PN结能带结构与载流子分布”基本概念和清晰物理图像的建立。     

射频溅射SiO2在制造Si/SiGeHBT中的应用

介绍了射频溅射ＳｉＯ２的原理与工艺,对制造出的Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ作了分析。     

开管扩镓改善器件电参数性能的机理分析

叙述了SiO2/Si系开管扩镓工艺和镓掺杂原理,研究了镓掺杂与器件电参数的关系,并分析了改善器件性能的机理.实验证明,采用SiO2/Si系开管扩镓工艺,扩镓硅片表面状况、均匀性和重复性良好,镓杂质浓度分布理想,并能明显改善器件电参数性能,提高电参数一致性,增加成品率等,优于闭管扩镓、裸Si系开管扩镓和硼扩散.     

等离子体氧化nc-Si/SiO_2多层膜的蓝光发射

报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出现了蓝移。在晶化的 a-Si∶ H/ Si O2 多层膜中不仅观察到室温下的红光带 (80 0nm)的发光峰 ,而且还观察到蓝光发射 (4 2 5 nm) ,结合 Raman,TEM和 PL测试 ,对其原因作了简单的分析     

CuInP2S6-Based Electronic/Optoelectronic Synapse for Artificial Visual System Application

With the development of information processing, various neuromorphic synaptic devices have been proposed, including novel devices mimicking multiple sensory systems in the biosome, in which vision is a vital source of information. Due to the pressing issue of high energy consumption and the ever-increasing complexity of practical application scenarios, there is an urgent need to investigate optoelectronic synapses with simple structure but multifunctional capabilities, thereby broadening their application scope. Here, remarkable performances in both electrical and optical operation modes are achieved in multilayer graphene/CuInP₂S₆/Au electronic/optoelectronic device. By modulating the electrical and optical pulses, both short-term and long-term memory can be emulated in the same device, while visual perception, processing, and memorizing functions are demonstrated in this single cell with relatively low energy consumption. In addition, light adaptive behavior can also be simulated through optical–electrical cooperative modulation in the device, further providing a novel and promising strategy for future applications in artificial visual systems.     

小天线主面电加热除冰雪装置的设计及应用

在比较国内外常见除冰雪装置的基础上,结合工程实践,介绍了一种适合小口径天线主面的电加热除冰雪装置。当天线表面被冰、雪覆盖时,通过在天线主反射面安装除霜装置提高天线系统的效率,同时降低噪声温度的影响,以此为主导通过相关的设计、分析、应用和市场调研阐述了除冰雪装置的必要性和可行性。     

碳纳米管场效应型DMMP气敏传感器研究

基于单壁碳纳米管(SWCNT)的场效应气体传感器由于具有传感性能好、体积小、室温操作和加偏压自我解吸附等优良性能,有着广泛的应用前景。利用单壁碳纳米管自组装技术在SiO2/Si基底上制备均匀分布的SWCNT薄膜,将其作为沟道制作了具有灵敏开关特性的场效应晶体管(FET),该FET器件的开关比达到105。将此FET器件作为气体传感芯片用于甲基膦酸二甲酯(DMMP)气体分子的检测。结果显示,当通入DMMP气体时,器件的阈值电压向负栅电压方向移动。当DMMP体积分数为5×10-6,栅压为-10 V时,器件的灵敏度达到32%,响应时间为300 s。在15 V的栅压下器件能够很快地实现气体解吸附。     

Efficiency (>15%) for thin‐film epitaxial silicon solar cells on 70 cm2 area offspec silicon substrate using porous silicon segmented mirrors

We report on the beneficial use of embedded segmented porous silicon broad‐band optical reflectors for thin‐film epitaxial silicon solar cells. These reflectors are formed by gradual increase of the spatial period between the layer segments, allowing for an enhanced absorption of low energy photons in the epitaxial layer. By combining these reflectors with well‐established solar cell processing by photolithography, a conversion efficiency of 15·2% was reached on 73 cm² area, highly doped offspec multicrystalline silicon substrates. The corresponding photogenerated current densities (J_sc) were well above 31 mA/cm² for an active layer of only 20 µm. Copyright © 2010 John Wiley & Sons, Ltd.     

低剂量SIMOX圆片研究

用二次离子质谱、剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法表征了低剂量 SIMOX圆片的结构特征 .结果显示 ,选择恰当的剂量能量窗口 ,低剂量 SIMOX圆片表层 Si单晶质量好、线缺陷密度低埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低且硅 /二氧化硅界面陡峭 .这些研究表明 ,低剂量 SIMOX圆片制备是很有前途的 SOI制备工艺     

沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺

深硅刻蚀工艺是制造沟槽肖特基器件的关键技术.Si深槽的深度影响肖特基反向击穿电压,深槽的垂直度影响多晶Si回填效果,侧壁平滑度及深槽底部长草现象对器件的耐压性能影响显著.采用SF6/O2常温刻蚀工艺刻蚀Si深槽.研究了工艺压力、线圈功率、SF6/O2比例以及下电极功率等参数对沟槽深度均匀性和垂直度的影响.得到了使Si深槽形貌为槽口宽度略大于槽底,侧壁光滑,且沟槽深度均匀性为2.3％左右的工艺条件.利用该刻蚀工艺可实现沟槽多晶Si无缝回填.该工艺条件成功应用于沟槽肖特基器件制作中,反向击穿电压达到58 V,反向电压通48 V,漏电流为11.2 μA,良率达到97.55％.