逆向热蒸发制备望远镜主镜银反射膜（英文）

以自上向下热蒸发大型镀膜机为实验平台,开展了逆向蒸发制备大口径银反射镜研究.通过设计特殊蒸发舟及优化相关工艺参数,实现了金属银膜稳定、高速向下蒸发.根据逆向热蒸发工艺特点,选取熔点低、升华型材料Cr和SiO及特殊设计的蒸发舟,以Cr或CrN_x为粘结层,SiO_x或SiO_xN_y为保护层,制备了三种具有四层结构的介质保护性银反射膜,并对所制备反射镜样品的反射率、断面形貌和环境稳定性进行了表征.实验结果表明:膜系结构为3nmCr/120nmAg/0.6nmCrNx/150nmSiO_xN_y的银反射膜具有较好的环境稳定性和光谱特性;通过了24小时湿热实验(50℃/相对湿度98%)和盐雾实验,在400~1 800nm波段光谱范围内,银反射膜的平均反射率达到97.8%.     

真空紫外波段铝反射膜制备

为制备出在130～210nm波段具有良好光谱性能的铝反射膜,优化设计了铝反射镜中铝层和保护层氟化镁的厚度,理论确定铝层和氟化镁保护层最佳厚度分别为80nm和33nm。采用热舟蒸发工艺,在BK7基片上制备了Al反射膜样品,获得了130～210nm波长范围内反射率均大于80%的金属铝膜。研究了铝层沉积速率和紫外辐照处理对薄膜性能的影响,并考察了铝膜光谱性能的时效性。结果表明铝层沉积速率越快,制备的铝膜反射率越高;合理地存放铝膜元件,可以长时间内保持铝膜的光谱性能。适当的紫外辐照处理能进一步提高铝膜在真空紫外波段的反射率。     

电子束蒸发沉积Ir膜真空紫外反射特性

Ir是一种重要的真空紫外反射材料,在太阳物理、宇宙物理、生命科学、大气物理、同步辐射等方面有着十分重要的应用.对电子束蒸发沉积Ir膜在真空紫外波段的反射特性进行了系统的理论和实验研究.根据吸收材料基底上单层金属膜数学计算模型,对不同基片上各种厚度的Ir膜真空紫外反射率进行了优化计算.根据计算和前期实验结果,采用电子束蒸发方法,在石英、K9玻璃基片上沉积了不同厚度的Ir膜,在入射波长120 nm处获得了近30%正入射反射率,对应的Ir膜厚度为12 nm.过厚或过薄均不利于Ir膜反射率的提高.经退火处理后,Ir膜中张应力有所释放但并未消除,同时晶粒平均尺寸显著增大,反射率下降.     

用电子束热蒸发技术制备ZnO薄膜

本文报道了用电子束热蒸发技术制备ZnO薄膜,薄膜具有（002）取向,通过电子扫描显微镜确认晶粒大小在150nm左右,现有的薄膜在525nm处有强的光致发光。     

电阻热蒸发镀膜与电子束蒸发镀膜对纳米球刻蚀方法制备二维银纳米阵列结构的影响

在使用纳米球刻蚀法制备二维银纳米点阵的过程中,使用不同的镀膜方法在同样的模板上得到了不同形貌的银纳米阵列结构.使用电阻热蒸发镀膜方法获得了六角排列的银纳米三角形阵列结构,使用电子束蒸发镀膜方法则获得了六角排列的银纳米环阵列结构.研究表明,沉积纳米粒子的粒径、表面纳米曲率效应和热能是形成不同结构形貌的纳米阵列结构的关键因素. 关键词： 银纳米阵列 电阻热蒸发 电子束蒸发 纳米球刻蚀     

抗反射膜SiN的热退火特性

本文研究了PECVD抗反射膜SiN的热退火特性。测量结果表明,经过制备GaAs透射光阴极的热压粘结工艺的热退火处理SiN薄膜的折射率增加了约0.1,薄膜厚度减少了约15%.IR透射谱分析表明,这是由于退火后膜中H的释放而引起化学键比例变化所致。此项工作为透射式GaAs光阴极抗反射膜的设计和制备提供了依据。     

银纳米膜的电化学制备方法及性能表征

采用电沉积方法在表面活性剂与电解液的界面上制备了银纳米膜。通过对甲磺酸银体系和硝酸银体系中纳米银膜的电沉积速率及纳米银膜颗粒进行比较发现，相同条件下硝酸银体系得到的纳米膜晶粒粒径比较小，膜的生长速率较快。选定硝酸银体系为电沉积体系。考察了槽压、电解液的浓度和温度及溶液的pH值对制备银纳米膜的影响，确立了制备银纳米膜的最佳工艺条件为硝酸银浓度5mmol/L，槽压4V，pH3.0,硬脂酸的质量浓度0.2g/L。实验表明，最佳工艺条件下制备的银纳米膜晶粒粒径均匀，平均粒径在20nm左右，近似球形。本方法制备的银纳米膜将在非线性光学材料方面得到应用。     

电子束蒸发法在多孔氧化铝膜上制备银纳米点阵列

采用二步阳极氧化法在草酸溶液中制备了高度有序的多孔阳极氧化铝(Porous Anodic Alumina,PAA)薄膜。以多孔氧化铝薄膜为模板,采用真空电子束蒸发的方法在多孔氧化铝模板上制备出了高度有序的金属银纳米点阵列体系。扫描电镜(SEM)测试结果表明,所制备的金属银纳米点阵列与多孔阳极氧化铝膜的多孔阵列具有完全相同的有序结构,阵列中银纳米颗粒的形状接近球形,其直径大约为70nm,与氧化铝模板的孔径基本一致。研究了高度有序银纳米点阵列的形成过程。     

热蒸发与离子束溅射制备LaF3薄膜的光学特性

研究了钼舟热蒸发工艺和离子束溅射方法制备的单层LaF₃薄膜的特性。首先,采用分光光度计测量了LaF₃薄膜的透射率和反射率光谱,使用不同模型拟合得出薄膜的折射率和消光系数。然后,采用应力仪测量了加热和降温过程中LaF₃薄膜的应力-温度曲线。最后,采用X射线衍射仪测试了薄膜的晶体结构。实验结果表明,热蒸发制备的LaF₃（RH LaF₃）存在折射率的不均匀性,在193 nm,其折射率和消光系数分别为1.687和5×10^-4,而离子束溅射制备的LaF₃（IBS LaF₃）折射率和消光系数分别为1.714和9×10^-4。两种薄膜表现出相反的应力状态,RH LaF₃薄膜具有张应力,而IBS LaF₃具有压应力,退火之后其压应力减小。热蒸发制备的MgF₂/LaF₃减反膜在193 nm透过率为99.4%,反射率为0.04%,离子束溅射制备的AlF₃/LaF₃减反膜透过率为99.2%,反射率为0.1%。     

COIL用变形反射镜介质反射膜

 报道COIL激光用变形反射镜的介质反射多层膜实验。在真空镀膜机内制备了膜系Sub/Ag(SiO₂/HfO₂)⁴/air和Sub/Ag(YbF₃/ZnS)³/air, 反射率分别为99.90%和99.87%。在经历109次循环后变形镜物理特性无变化。研究了COIL激光辐射下热畸变和损伤特性。分别在功率密度为1.52kW/cm²和1.18kW/cm²的COIL激光辐照下,这两种膜系的变形镜波前变化为0.37l 和0.54l 。因此对于变形镜1kW/cm²激光功率密度是安全可靠的。     

热蒸发法Zn／ZnO叶状微米结构自组装生长及其发光特性

采用热蒸发法在ZnO缓冲层覆盖着Si衬底上合成了2D叶状的Zn晶枝结构,Zn的晶枝长度约为几十微米,厚度约为200nm,随后Zn晶枝在O2的气氛下热处理,在晶枝表面获得纤细、均匀的ZnO纳米线。晶枝按照无催化、自组装、汽相生长模式生长,晶枝最快生长方向是沿着载气气流的方向释放凝固潜热,XRD分析结果结果显示了Zn纳米线具有六角纤锌矿结构,Zn/ZnO的发光谱显示,在380nm处有一弱的UV近带边发射和中心在505nm处的强绿光发射,绿光发射归因于施主/受主对之间的辐射跃迁。     

Study of the Thermal Diffusivity of Optical Coating by Photo－thermal Deformation Technique

ＳｔｕｄｙｏｆｔｈｅＴｈｅｒｍａｌＤｉｆｆｕｓｉｖｉｔｙｏｆＯｐｔｉｃａｌＣｏａｔｉｎｇｂｙＰｈｏｔｏ－ｔｈｅｒｍａｌＤｅｆｏｒｍａｔｉｏｎＴｅｃｈｎｉｑｕｅ￥ＺＨＯＵＤｏｎｇｐｉｎｇ；ＦＡＮＺｈｅｎｇｘｉｕ（ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＯ...     

Processing of poly(1,3-bis-(p-carboxyphenoxy propane)-co-(sebacic anhydride)) 20:80 (P(CPP:SA)20:80) by matrix-assisted pulsed laser evaporation for drug delivery systems

We have demonstrated successful thin film growth of poly(1,3-bis-(p-carboxyphenoxy, propane)-co-(sebacic anhydride)) (20:80) by matrix-assisted pulsed laser evaporation using a KrF* excimer laser (λ = 248 nm, τ = 25 ns, ν = 10 Hz). The deposited thin films have been investigated by Fourier transform infrared spectroscopy, and atomic force microscopy. We have demonstrated that the main functional groups of poly(1,3-bis-(p-carboxyphenoxy, propane)-co-(sebacic anhydride)) (20:80) are present in the deposited film. The effect of matrix on both thin film structure and surface morphology was also examined. The goal of this work is to explore laser processing of this material to create suitable constructs for drug delivery applications.     

用热应力法研究二氧化碲晶体表面连接层材料的特性

以声光晶体TeO_2为衬底,设计并研制了1 300~3 400nm波段超宽带减反射膜.从薄膜热应力理论出发,建立膜层热应力受力示意图,结合TeO_2晶体的特性和力矩判定方法,采用解析法逆向计算分析薄膜材料的热膨胀系数及杨氏模量.实验验证表明:所制备的膜层附着力在1300~3400nm波段平均透过率为96.8%;在相同工艺条件下,采用连接层所制备的薄膜附着力更好,可以解决脱膜问题,满足相应的附着力检测要求.     

缓冲层对LBO晶体上1 064 nm,532 nm二倍频增透膜的激光损伤阈值的影响

采用电子束蒸发方法在LBO晶体上制备了无缓冲层和具有不同缓冲层的1 064 nm,532 nm二倍频增透膜.利用Lambda900分光光度计和调Q脉冲激光装置对样品的光学性能和抗激光损伤性能进行了测试分析.结果表明,所有样品在1 064 nm和532 nm波长的剩余反射率都分别小于0.1%和0.2%.与无缓冲层样品相比,采用SiO2和MgF2缓冲层薄膜的激光损伤阈值分别提高了23.1%和25.8%,而Al2O3缓冲层的插入却导致薄膜的激光损伤阈值降低.通过观察薄膜的激光损伤形貌,分析破斑的深度信息和电场分布,表明LBO晶体上1 064 nm,532 nm二倍频增透膜的激光损伤破坏主要表现为膜层剥落,激光产生的热冲击应力使薄膜应力发生很大变化,超过膜层之间的结合而引起膜层之间的分离.采用SiO2或MgF2缓冲层可改进Al2O3膜层的质量,从而有利于提高薄膜的激光损伤阈值.     

Achieving desired quality of ZnS buffer layer by optimization using air annealing for solar cell applications

The possibility of maximum transmittance at lower thickness of light transmitting ZnS layer and its optimization by air-annealing as an alternative to hazardous and expensive CdS is reported in this communication in order to achieve better buffer layer for solar cells. Thin films of ZnS were deposited using e-beam evaporation on glass and ITO substrates and subjected to air-annealing followed by characterizations for physical properties. XRD patterns revealed amorphous behavior which transformed into cubic (111) plane with change of substrate and annealing whereas surface topography reveals hill and deep valley like structures. Optimal transmittance of maximum 95% in visible region, direct band gap of 3.38 eV and maximum electrical conductivity were observed for 200 °C annealed films. The study refers that films annealed at 200 °C are claimed to be suitable for buffer layer applications.