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InAs/GaSb II类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器,其优越性表现在高量子效率和高工作温度,以及良好的均匀性和较低的暗电流密度,因而受到广泛关注。报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长和器件性能。通过优化分子束外延生长工艺,包括生长温度和快门顺序等,获得了具原子级表面平整的中波InAs/GaSb超晶格材料,X射线衍射零级峰的双晶半峰宽为28.8,晶格失配a/a=1.510-4。研制的p?鄄i?鄄n单元探测器在77 K温度下电流响应率达到0.48 A/W,黑体探测率为4.541010 cmHz1/2W,峰值探测率达到1.751011 cmHz1/2W。 相似文献
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报道了320×256元InAs/GaSb II类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的初步结果.探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用顺序读出方式.运用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收区的超晶格周期结构分别为7 ML InAs/7 ML GaSb和10 ML InAs/10 ML GaSb.焦平面阵列像元中心距为30μm.在77 K时测试,器件双色波段的50%响应截止波长分别为4.2μm和5.5μm,其中N-on-P器件平均峰值探测率达到6.0×10~(10) cmHz~(1/2)W~(-1),盲元率为8.6%;P-on-N器件平均峰值探测率达到2.3×10~9 cmHz~(1/2)W~(-1),盲元率为9.8%.红外焦平面偏压调节成像测试得到较为清晰的双波段成像. 相似文献
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在用步进扫描傅里叶变换红外(Fourier Transform Infrared, FTIR)调制光致发光(Photoluminescence, PL)光谱仪进行测试时,基于FTIR的优势,并结合PL无损、灵敏度高、简单的优点,通过减弱背景干扰来提高信号强度。研究了背景噪声、杂质能级和温度对InAs/GaSb应变超晶格材料的发射峰强度及位置的影响,并通过改变测试参数,总结出了针对不同材料的测试方法。这项研究结果对InAs/GaSb应变超晶格材料的外延生长及后续加工具有参考价值。 相似文献
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郭杰 《红外与毫米波学报》2009,28(3):165-167
采用分子束外延(MBE)方法,在(001)GaAs衬底上生长了短周期Ⅱ型超晶格(SLs):InAs/GaSb (2ML/8ML)和InAs/GaSb (8ML/8ML).从X射线衍射(HRXRD)中计算出超晶格周期分别为31.2和57.3.室温红外透射光谱表明两种超晶格结构在短波2.1μm和中波5μm处有明显吸收.通过腐蚀、光刻和欧姆接触,制备了短波和中波的单元光导探测器.在室温和低温下进行光谱响应测试和黑体测试,77K下,50%截止波长分别为2.1μm和5.0μm,黑体探测率D·bb均超过2×108cmHz1/2/W.室温下短波探测器D·bb超过108cmHz1/2/W. 相似文献
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报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度下测试了单元器件的电流-电压(I-v)特性,响应光谱和黑体响应.在该温度下,光敏元大小为100μm×100μm的单元探测器RmaxA为2.5Ωcm2,器件的电流响应率为1.29A/W,黑体响应率为2.1×109cmHz12/W,11μm处量子效率为14.3%.采用四种暗电流机制对器件反向偏压下的暗电流密度曲线进行了拟合分析,结果表明起主导作用的暗电流机制为产生复合电流. 相似文献
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J. Schmitz J. Wagner M. Maier H. Obloh P. Koidl J. D. Ralston 《Journal of Electronic Materials》1994,23(11):1203-1207
We investigate unintentional arsenic incorporation during the molecular-beam epitaxial growth of AlSb/InAs/GaSb heterostructures,
using both a standard As4 evaporation cell and a valved arsenic cracker. When a standard As4 cell is used, unintentional arsenic concentrations as large as 10–20% can be incorporated into the AlSb and GaSb layers from
the background As ambient in the growth chamber, both during growth and on stationary surfaces. This incorporation can be
controlled and suppressed with the use of a valved As cracker. Suppression of the As background substantially improves the
electrical transport properties of AlSb/InAs/AlSb quantum well structures. 相似文献
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Xiujun Hao Yan Teng He Zhu Jiafeng Liu Hong Zhu Yunlong Huai Meng Li Baile Chen Yong Huang Hui Yang 《半导体学报》2022,43(1):012303-012303-4
We demonstrate a high-operating-temperature(HOT)mid-wavelength InAs/GaSb superlattice heterojunction in-frared photodetector grown by metal-organic chemical vapor deposition.High crystalline quality and the near-zero lattice mis-match of a InAs/GaSb superlattice on an InAs substrate were evidenced by high-resolution X-ray diffraction.At a bias voltage of-0.1 V and an operating temperature of 200 K,the device exhibited a 50%cutoff wavelength of~4.9μm,a dark current dens-ity of 0.012 A/cm2,and a peak specific detectivity of 2.3×109 cm·Hz1/2/W. 相似文献
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Molecular beam epitaxy growth of a bilayer stacked InAs/GaAs quantum dot structure on a pure GaAs matrix has been systemically investigated.The influence of growth temperature and the InAs deposition of both layers on the optical properties and morphologies of the bilayer quantum dot(BQD) structures is discussed.By optimizing the growth parameters,InAs BQD emission at 1.436μm at room temperature with a narrower FWHM of 27 meV was demonstrated.The density of QDs in the second layer is around 9×109 to 1.4×1010 cm-2. The BQD structure provides a useful way to extend the emission wavelength of GaAs-based material for quantum functional devices. 相似文献
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研究了不同腐蚀溶液体系下铟砷镓锑(InAs/GaSb)二类超晶格材料的湿法腐蚀工艺。根据腐蚀效果选择了由柠檬酸(C6H8O7)、磷酸(H3PO4)、过氧化氢(H2O2)构成的混合腐蚀液。这种腐蚀液对InAs/GaSb材料腐蚀速率稳定,腐蚀后表面光滑,且下切效应小。同时,研究了该成分腐蚀液不同腐蚀液温度、浓度和各成分配比等条件对InAs/GaSb材料腐蚀速率,形貌和钻蚀情况的影响。根据实验结果配制了体积比为1∶1∶1∶40的柠檬酸(50%):磷酸(85%):过氧化氢(31%):水的腐蚀溶液,室温(20 ℃)下腐蚀速率约为9.48 nm/s。 相似文献