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介绍了全密封硅电容式加速度计的结构,阐述了高平面度平行度的不粘片研磨抛光方法,硅的各向异性刻蚀工艺和静电静接技术,并对测试结果进行了分析讨论。 相似文献
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设计了一种Z轴完全差分电容式加速度传感器,交错梳齿、两组对称可动梳齿通过挠性梁连接在固定衬底上,对称布局使结构稳定并解决了X和Y轴向对Z轴向加速度检测的耦合干扰。对传感器在敏感方向加速度作用下的偏转特性进行分析,给出了相关理论模型并对其求解。对传感器在非敏感方向加速度作用下的扭转变形进行分析,计算该扭转对Z轴检测产生的干扰与结构之间的关系。通过结构的优化设计,使传感器在设计的量程范围内达到最佳检测效果。利用ANSYS进行模拟分析,得到该传感器的灵敏度为0.31 fF/g,验证了本设计分析的合理性、可行性和精确性。 相似文献
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提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅四层键合高对称电容式加速度传感器.采用硅/硅直接键合技术实现中间对称梁质量块结构的制作,然后采用硼硅玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合.在完成整体结构圆片级真空封装的同时,通过引线腔结构方便地实现了中间电极的引线.传感器芯片大小为6.8mm×5.6mm×1.68mm,其中敏感质量块尺寸为3.2mm×3.2mm×0.84mm.对封装的传感器性能进行了初步测试,结果表明制作的传感器漏率小于0.1×10-9cm3/s,灵敏度约为6pF/g,品质因子为35,谐振频率为489Hz. 相似文献
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一种硅四层键合的高对称电容式加速度传感器 总被引:5,自引:0,他引:5
提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅四层键合高对称电容式加速度传感器.采用硅/硅直接键合技术实现中间对称梁质量块结构的制作,然后采用硼硅玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合.在完成整体结构圆片级真空封装的同时,通过引线腔结构方便地实现了中间电极的引线.传感器芯片大小为6.8mm×5.6mm×1.68mm,其中敏感质量块尺寸为3.2mm×3.2mm×0.84mm.对封装的传感器性能进行了初步测试,结果表明制作的传感器漏率小于0.1×10-9cm3/s,灵敏度约为6pF/g,品质因子为35,谐振频率为489Hz. 相似文献
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介绍了用于差动电容式加速度计的脉宽调制电路原理 ,针对该方案设计信号调理电路 ,并提出了降低杂散信号的规则。实际使用验证该电路具有较高的灵敏度和抗干扰能力 相似文献
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对比典型的差动电容结构,设计了一种新的折叠梁电容式MEMS低g(g=9.8m/s~2,当地重力加速度)值加速度计,指标为量程0~±2g,横向灵敏度<3%。利用有限元分析软件对模型进行了静态应力分析和模态分析,并给出了接口电路和自检测功能原理。最后设计了一套可行的加工工艺。 相似文献
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一种电容间隙精确可控的高对称加速度传感器 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种高对称电容式微加速度传感器,该传感器为硅四层键合三明治结构,在完成传感器整体结构制作的同时,实现了圆片级真空封装。利用多次氧化的方法,既精确控制了加速度传感器的初始电容间距,又实现了限位凸点的制作。该加速度传感器的谐振频率为657Hz,品质因子为198,灵敏度为0.59V/g。 相似文献