基于电吸收调制器的40Gb/s光学3R再生器模型设计及性能分析

提出了一种结构简单而且性能稳定的40Gb/s光学3R再生器,它由基于电吸收调制的两个波长转换器与基于行波电吸收调制器的光时钟恢复器构成。     

4×25Gb/s电吸收调制器与DFB激光器集成光源阵列封装方案研究

对应用于4×25 Gb/s电吸收调制器与DFB激光器集成光源阵列的微波传输线进行了设计.通过有限元法仿真,确定其最优结构.经优化后,采用引脚封装的多路传输线在30 GHz以内的传输损耗低于0.5 dB,反射系数低于-13 dB,并有效抑制了相邻信道间的串扰.对集成光源阵列的封装方案进行了研究,提出了一种合理高效的封装方案.     

基于电吸收调制器的非相干可调谐微波光子滤波器

提出一种新的基于电吸收调制器(EAM)的非相干可调谐光子滤波器。首先通过带通滤波器滤除EAM输出的一个边带,获得单边带调制;再通过调谐EAM的偏置端,使得边带所引入的相移随着偏置电压的改变而改变,这样就可以实现一个真相移(TPS)结构;然后引入另一个非相干光源和Mach-Zender调制器(MZM),利用两路信号的延时不同实现一个基本的滤波器;最后通过调谐偏置所引入的TPS实现滤波器的宽带可调谐,而滤波器的形状可以保持不变,其中滤波器的调谐范围由偏置所引入相移的变化范围来决定。     

用于光网的采用电吸收调制器的40Gb/s光学3R重生器

报导40Gb/s的重定时、重成形、重发送（3R）的光学重生器。它采用以电吸收(EA)调制器为基础的波长转换器．在光网上执行40Gb/s或更高比特率波分复用(WDM)。该光学3R重生器结构简单，它由两个波长转换器、一个时钟还原部件及—个光学时钟发生器构成。实验演示了该3R光学重生器的稳定性以及对偏振的不敏感性，其最佳运转条件的调整亦十分简易。为探究该光学3R重生器在光网中的可用性，将它插在两段500km长的传输线之间进行评估。与未插入重生器的情况相比，传输1000km之后Q值改善约为1．5dB，在更高速、可升级的全光网中此类3R重生器极具应用价值。     

2.5Gb/s1.55μm InGaAsP/InP分布反馈激光器/电吸收调制器单片集成器件

本文在已经报道的采用直接集成方法制作的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部分增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性进行了改进,并采用标准１４脚碟型管壳对集成器件进行了封装。封装后的发射模块阈值电流约为２０￣３０ｍＡ,边模抑制比大于４０ｄＢ,耦合输出光功率大于２ｍＶ,在３Ｖ的反向调制民压下消光比约为１７ｄＢ。我们还在２．５Ｇｂ／ｓ波分复用系统上对集成器件进行了传输     

高消光比偏振不灵敏电吸收调制器

用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器 ,应用应变 In Ga As/In Al As材料做多量子阱 ,实验测量的调制器调制性能显示出器件的偏振不相关性 ,以及其高消光比 (>40 d B)和低电容 (<0 .5 p F) ,保证了器件可以应用于高速率的传输系统 (>10 GHz)     

10Gb/s TSC-HBT光调制器驱动电路设计

将TSC－HBT应用于HBT光调制器驱动电路的设计中。SPICE模拟结果显示，眼图张开形状良好，可以满足10Gbit/s光发射模块应用的要求。     

InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器

用国产ＭＢＥ设备生长出与ＩｎＰ衬底晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多量子阱材料，并对材料的量子限制Ｓｔａｒｋ效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性进行研究．用该种材料制作的脊波导结构电吸收调制器在２．４Ｖ驱动电压下实现了２０ｄＢ以上消光比，光３ｄＢ带宽达３ＧＨｚ     

电吸收调制器特性研究

针对电吸收调制器在光纤无线通信系统中的重要作用,分析了电吸收调制器的插入损耗和由电吸收调制器组成的光纤无线通信系统的误码率和噪声系数。发现在波长从1530~1570nm范围内插入损耗都比较小;在工作波长为1550nm的通信系统内实现了速率为2.5Gb/s信号在200km长度的标准光纤内传输。系统功率衰减很小,在选择合适的匹配阻抗下,通信系统噪声系数能够达到12dB左右。     

应用于40Gb／s电吸收调制器的Al2O3高速热沉研究

设计制作了面向40Gb/s电吸收调制器(EAM)的高速微波过渡热沉,并进行了EAM管芯级封装测试的验证.这种基于氧化铝(A l2O3)的热沉采用共面波导(CPW)传输线以实现低损耗微波传送,以及Ta2N薄膜电阻用于EAM的阻抗匹配.采用Ti/Cu/N i/Au金属材料作为CPW传输线电极材料,从而保证CPW传输线与Ta2N电阻材料之间良好的电接触,使热沉的典型反射系数在0~40 GHz范围内均达到优于-21 dB的水平.作为验证,采用该种热沉用于高速EAM的管芯级封装,测试得到小信号调制响应带宽超过40 GHz.     

基于同一外延层结构的10Gb/s单片集成光发射模块

利用同一外延层集成工艺方法制作了10Gb/s电吸收调制器/分布反馈(DFB)半导体激光器单片集成光发射模块.在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率,并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容.集成器件阈值电流为12mA,在-2V偏置时的消光比为15dB,器件的小信号调制带宽超过10GHz.在10Gb/s调制速率下经过35km单模光纤传输后,误码率为10-12时的功率代价小于1dB.     

10Gb/s EML Module Based on Identical Epitaxial Layer Scheme

A 10Gb/s transmitter module containing an electroabsorption modulator monolithically integrated with a distributed feedback (DFB) semiconductor laser is fabricated using the identical epitaxial layer scheme.Gain-coupling mechanism is employed to improve the single mode yield of the DFB laser,while inductively coupled plasma dry etching technique is utilized to reduce the modulator capacitance.The integrated device exhibits a threshold current as low as 12mA and an extinction ratio over 15dB at －2V bias.The small signal modulation bandwidth is measured to be over 10GHz.The transmission experiment at 10Gb/s indicates a power penalty less than 1dB at a bit-error-rate of 1e－12 after transmission through 35km single mode fiber.     

10Gb/s光收发模块封装技术

本文介绍了10Gb/s光收发模块的封装技术。准平面封装技术非常适合于大规模制造的老器件,已广泛应用于各类激光器和接收器中。     

LTCC微波一体化封装

文章介绍了采用LTCC技术制作微波一体化封装,重点研究了X波段LTCC一体化封装的微带穿墙结构及其微波特性。同时对封装的散热结构进行了研究,根据不同的散热要求采用不同的散热结构。采用导热孔散热的方式,其热导率与导热孔的排列方式(孔径和间距)有关,热导率可达50W(m·K)-1。封装的气密性与导热孔的结构有密切关系,热沉的焊接可大大提高封装的气密性。     

2.5—10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数

对高速调制器驱动电路 HEMT IC中器件参数进行了研究 ,着重讨论了 HEMT器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响 ,给出了满足电路性能要求的器件参数范围 ;对 2 .5— 10 Gb/ s PHEMT IC光驱动电路进行了计算机仿真 ,眼图模拟结果表明满足 2 .5— 10 Gb/ s高速光纤通信系统需要     

微波等离子清洗在封装工艺中的应用

微电子封装过程中产生的沾污严重影响了电子元器件的可靠性和使用寿命。文中研究了用微波等离子清洗封装过程中产生的沾污。研究结果表明,微波等离子清洗能有效增强基板的浸润性,降低芯片和基板共晶焊界面的孔隙率,同时也能清除元件表面的氧化物薄膜和有机物沾污,经过等离子清洗,其键合焊接强度和合金熔封密封性都得到提高。     

High‐Frequency Modeling and Optimization of E/O Response and Reflection Characteristics of 40 Gb/s EML Module for Optical Transmitters

A complete high‐frequency small‐signal circuit model of a 40 Gb/s butterfly electroabsorption modulator integrated laser module is presented for the first time to analyze and optimize its electro‐optic (E/O) response and reflection characteristics. An agreement between measured and simulated results demonstrates the accuracy and validity of the procedures. By optimizing the bonding wire length and the impedance of the coplanar waveguide transmission lines, the E/O response increases approximately 5% to 15% from 20 GHz to 33 GHz, while the signal injection efficiency increases from approximately 15% to 25% over 18 GHz to 35 GHz.     

10MHz?4GHz 超宽带微波光电子系统设计

为了改善高频微波进行长距离传输时具有很大的损耗,频率向高频扩展受限的特性。本文基于微波信号光纤 传输 （RoF）技术,采用波长为1550nm 的多量子阱分布式反馈激光器和数据速率高达10Gbps 的数字式PIN 光电探测 器,设计了一款工作频率为10MHz~4GHz 的超宽带微波光电子系统。在整个频率范围内满足了8dB 增益,增益平坦度 ? 1.5dB 及输入/输出驻波比＜2 的指标要求,符合工程需要,实现了数字式光电子器件在模拟通信中的应用,具有广泛 的应用范围。     

半导体激光器组件封装中光纤的固定方法

激光器件组件封装中发光设备与光纤之间的耦合要达到微米级甚至亚微米级精度,光纤的固定技术成为光电子封装中的关键.综述了激光器件组件封装中光纤的各种固定方法,其中包括激光熔焊、环氧树脂粘接、钎焊、机械固定以及电铸等,并对各种方法的优缺点进行了评价.     

用于10Gb/s光接收机的BiCMOS放大电路

设计了一种用于SDH系统STM-64(10Gb/s)速率级光接收机中的BiCMOS放大电路,包括NMOS共栅-共源前置放大器和差分式BiCMOS主放大器;各个放大器中都引入了负反馈;并精选了元器件参数,采取了提速措施,以保证放大电路在低功耗下工作在10Gb/s或更高速率上.实验结果表明,所设计的放大电路在10Gb/s速率上,主放大器输入动态范围为42dB(3.2～500mV),50Ω负载电阻上的输出限幅约为250mV,小信号输入时的最高工作速率达到12Gb/s,放大电路可采用1.8～5.6V电源供电,平均功耗约为230mW,从而满足了光纤通信系统中的高性能要求.