化学镀铜工艺

概述了两步法化学镀铜工艺,可以实现高速化学镀铜,适用于加成法印制板或陶瓷印制板的化学镀铜。     

陶瓷基上化学镀铜

为提高化学镀铜液的稳定性在化学镀铜液中加入亚铁氰化钾和a,a'－联吡啶作为添加剂。研究了温度与陶瓷基体上化学镀铜沉积速度的关系,计算出铜沉积的活化能,当镀液中含有亚铁氰化钾或a,a'－联吡啶时,铜沉积活化能提高,铜沉积速度降低,镀铜层外观及镀液稳定性均得到改善。此外,镀液中同时含有亚铁氰化钾和a,a'-联吡定时,镀液、镀层性能得到进一步提高。     

印制板高速化学镀铜工艺

为提高化学镀铜的沉积速度和镀层质量,采用三烷醇胺兼作Cu~(2+)络合剂和沉铜加速剂,并利用铁离子化合物释放出的Fe~(2+)或Fe~(3+),可以有效地引发镀液的化学镀反应。     

化学镀铜工艺中内层铜的可靠性

文章作者Crystal Li是罗门-哈斯电子材料亚洲有限公司（香港）电路板技术集团的研究技师。文章主要介绍化学镀铜过程中-目前做通孔或盲孔金属化最常用的制程,可能会影响PcB互联缺陷的一些因素。印制电路板的绝缘材料,其热膨胀系数高于铜材料。因此当焊接使温度升高时,介质的延展大大超过铜的延展。因此,导致增加的应力加到了内层互连的各个表面上。镀铜的通孔和内层铜之间必须要有非常强的结合力,才能使PCB成功地发挥其作用。如果化学镀铜和铜之间或内层化学镀铜和电解铜之间的结合力非常差,热应力就会导致互连缺陷（ICD）发生。     

小孔径印制电路板化学镀铜电镀铜的工艺控制

本综述了小孔径印制电路板在化学镀铜及电镀铜过程中应注意的问题和工艺保障。     

化学镀多功能铜镀层在电子工业中的应用

论述了多功能铜镀层化学镀液成分的作用及对镀层的影响。多功能铜镀层的组成，镀层的表面形态以及多功能铜镀层在电子工业中的应用。     

半导体硅上激光诱导选择性化学镀铜

利用YAG脉冲激光在n型硅基底上制备出了铜化学镀薄层,由激光剥离形成的微型图元通过化学镀铜工艺在硅基底上形成铜的微型结构。在化学镀工艺过程中为了使得化学镀铜沉积能够连续进行,要对基底表面先进行活化。实验表明,预处理及其后的清洗工艺对选择性镀膜质量影响很大;采用丙酮或硝酸水清洗,有助于获得清晰的微型图元结构。     

聚酰亚胺表面化学沉铜前处理的微观分析

讨论了聚酰亚胺(PI)沉铜前处理过程对孔内沉铜空洞的可能影响,利用扫描电子显微镜分析了每道前处理后PI的微观表面状态。实验表明,只有当PI表面被PI调整剂粗化后方可以提高沉铜层与PI之间的结合力,而且沉铜层与PI间的结合力还与沉铜时间相关。     

环保型化学镀铜新技术

化学镀铜在工业上的应用范围日益扩大,最主要的应用领域是电子工业,如印制线路板的通孔金属化。目前化学镀铜工艺使用的还原剂为甲醛,由于甲醛对人体和环境有害,寻找替代甲醛的新型还原剂已迫在眉睫。本文综述了国内外几种甲醛替代还原剂(次磷酸盐、二甲氨基硼烷(DMAB)、乙醛酸、甲醛-氨基酸、甲醛加成物及Co(Ⅱ)-乙二胺等)的化学镀铜方法,同时简要介绍东硕公司在次磷酸盐作为还原剂化学镀铜方面所作的研究。     

化学镀铜用前处理工艺——Alkatpe工艺

概述了化学镀Cu用的前处理工艺-Alkatpe工艺,适用于制造高密度PCB。     

环保型乙醛酸为还原剂的化学镀铜液的研究进展

介绍了环保型乙醛酸为还原剂的化学镀铜镀液的组成、各组分的作用和镀液中主要副产物的影响及处理方法,并介绍本公司近期的研究进展。     

次亚磷酸钠还原化学镀铜工艺研究及展望

化学镀铜是印制电路制作中重要工序,开发新的非甲醛体系化学镀铜工艺是当前化学镀铜领域中的热点。文章根据化学镀铜的基本原理,分析了以次亚磷酸钠为还原剂的化学镀铜工艺的特点、以及该技术的研究情况,并提出了该工艺未来的研究方向。     

浅析孔金属化和图形电镀生产线的管理

随着印制板朝着高密度、多层次的方向发展,对应着设备自动化程度的提高,作为印制板制造过程中的关键工序,孔金属化和图形电镀的管理也面临挑战。本文从工艺规范、工艺操作、人员团结精神和责任心的培养、工序衔接工作、工艺质量检验五方面给出建议,希望能给同行以借鉴。     

PCB化学镀镍漏镀现象分析

文章阐述了不同尺寸铜盘连接状况、掩蔽作用等对漏洞的影响,发现孤立的小铜盘（0．1mm）比大尺寸的铜盘（〉0．1mm）更易发生漏镀,即漏镀易发生在小尺寸铜盘上,主要的原因与置换钯的速率不同相关。至于因掩蔽引发的漏镀现象,主要与平衡电化学势作用相关。在活化过程中,电子转移主要决定了漏镀发生与否。     

CS-38新型印制电路板铜基上化学镀银工艺

介绍了一种在印制电路板铜基上化学镀银的新工艺CS-38,它是一种既可焊接又能键合（Bonding）并能有效取代热风整平（HASL）的新工艺。讨论了各组分及操作条件对镀银液及镀银层的影响,确定了最佳配方和操作工艺。结果表明：该工艺镀银液稳定．防变色能力强,特适合规模化生产。     

用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺

开发了单晶硅上的选择性无电镀铜、镀镍工艺,形成了较为优化的施镀流程,实现了保形性、均镀性较好的铜、镍及其复合镀层.其中针对单晶硅表面的特点,采取了浓酸处理和氧等离子轰击两种表面预处理方法,优化了氯化钯对表面的激活时间,使得镀层质量得到提高.提出了以镍作为中间层以减小镀层应力的方法,施镀后获得的铜镀层的电阻率为2. 1μΩ·cm,铜/镍复合镀层的方块电阻为0. 19Ω/□.在单晶硅MEMS电感结构上实现了较好的无电镀铜,使得该元件的品质因数超过25.