用于光学位移传感器的新型数字编码光栅尺的制作（英文）

介绍了数字编码光栅尺的结构设计并提出一种制作方法.采用紫外对准光刻、全息光刻及湿法腐蚀结合在(100)硅片上制作母光栅尺,并以具有紫外固化特性的聚氨酯丙烯酸酯为材料,将母光栅尺复制到硬基底上.实验表明,该工艺可重复性高,复制光栅尺的衍射效率高于母光栅尺的90%,并能承受航空环境-55℃~70℃的高低温冲击.光栅尺的制作准确度满足传感器的要求,信号响应准确率100%.该方法可对具有准确度高、图形复杂、工作环境恶劣等特点的微纳米结构的制作提供借鉴.     

双光路成像干涉定心系统设计

在光刻投影物镜镜片加工和装配时,为了满足磨边定心和装配定心阶段对镜片测量的量程、灵敏度和准确度不同的需求,本文提出了一种双光路准直成像复合干涉的定心方法,采用同一光路实现准直和干涉两种不同的测量方法,分别针对磨边定心和装配定心的测量需要.根据实际需要设计了测量系统的参量,根据该参量对系统的测量范围、灵敏度和准确度进行了理论分析.结果表明:该系统在准直测量阶段的测量范围从1μm到500μm,测量灵敏度最高为0.2％,测量准确度为1.02 μm;在干涉测量阶段的测量范围从0.01 μm到1.9 μm,测量灵敏度最低为0.1％,测量准确度达到0.2 μm,可以满足在磨边定心阶段大量程、低灵敏度、低准确度以及装配定心阶段小量程、高灵敏度、高准确度的定心要求.采用双光路成像干涉原理的定心系统满足了设计需求,可指导光刻投影物镜等高准确度物镜的生产和装调.     

应用于光刻领域中的固态紫外激光源的制作

以半导体侧泵钇铝石榴石激光器为泵浦源,采用腔内泵浦两块三硼酸铯晶体,产生满足高功率与高光束质量要求的三倍频355 nm紫外激光.通过使用法拉第旋转器谐振腔优化设计与热效应补偿提高输出光的光束质量,并且使用体光栅作为输出镜,在实现线宽窄化同时保持准相位匹配的高效性能.该光刻用紫外激光源成功地替代准分子激光器,使用在一套大面积亚纳米级投影式光刻系统上,工作时紫外光输出功率为4.37 W,光束质量因子为2.27.     

应用于光刻领域中的固态紫外激光源的制作

以半导体侧泵钇铝石榴石激光器为泵浦源,采用腔内泵浦两块三硼酸铯晶体,产生满足高功率与高光束质量要求的三倍频355 nm紫外激光.通过使用法拉第旋转器谐振腔优化设计与热效应补偿提高输出光的光束质量,并且使用体光栅作为输出镜,在实现线宽窄化同时保持准相位匹配的高效性能.该光刻用紫外激光源成功地替代准分子激光器,使用在一套大面积亚纳米级投影式光刻系统上,工作时紫外光输出功率为4.37W,光束质量因子为2.27.     

小型激光等离子体软X线－真空紫外辐射的研究

设计了一种小型激光等离子体软Ｘ线－真空紫外光源。该光源辐射强度高、波段覆盖宽、光谱连续平滑，其重复性、稳定性均优于±４．５％。适合在非同步辐射的一般实验室中使用。在亚微米光刻、软Ｘ射线显微术、真空紫外光谱学、薄膜光学常数测试等研究及应用技术领域具有广泛的实用价值。本文探讨了光源的辐射机制，给出了较理想的光谱测试结果。     

直角坐标和极坐标系一体的激光直写设备

介绍了具有直角坐标和极坐标写入系统的激光直写设备,给出了该设备制作衍射光学元件的光刻特点.     

基于蓝宝石晶片的光纤法布里-珀罗高温传感器

提出并研制了一种基于蓝宝石晶片的光纤法布里-珀罗(法珀)高温传感器.该传感器采用斜端面蓝宝石光纤作传输波导,蓝宝石晶片作法珀干涉仪,"陶瓷插芯-陶瓷套管"结构做为传感器的固定结构.通过傅里叶变换-最小均方差联合算法解调传感器的反射光谱,实现了20℃~1 000℃范围内的温度测量,测试准确度为±2.5℃.该传感器具有体积小、成本低、制作简单以及重复性高的优点,可用于高温环境下稳定、精确的温度测量.     

纳米压印多孔硅模板的研究

纳米压印模板通常采用极紫外光刻、聚焦离子束光刻和电子束光刻等传统光刻技术制备,成本较高.寻找一种简单、低成本的纳米压印模板制备方法以提升纳米压印光刻技术的应用成为研究的重点与难点.本文以多孔氧化铝为母模板,采用纳米压印光刻技术对纳米多孔硅模板的制备进行了研究.在硅基表面成功制备出纳米多孔阵列结构,孔间距为350—560 nm,孔径在170—480 nm,孔深为200 nm.在激发波长为514 nm时,拉曼光谱的测试结果表明,相对于单面抛光的硅片,纳米多孔结构的硅模板拉曼光强有了约12倍左右的提升,对提升硅基光电器件的应用具有重要的意义.最后,利用多孔硅模板作为纳米压印母模板,通过热压印技术,成功制备出了聚合物纳米柱软模板.     

原子吸收光谱法测定土壤中的镉

改进土壤中镉的测定方法.在土壤样品中加入浓硝酸和氢氟酸,在恒温干燥箱内100℃加热1h,冷却后加入2mL高氯酸,在电热板上沙浴消解,原子吸收光谱法测定样品中镉的含量.结果显示,该方法检出限为0.006mg/kg,相对标准偏差＜5％,加标回收率为90％-107％.该方法样品不需高温消解,测定损失小,操作简便、快速,精密度和准确度较好.     

不同结构绝对光栅尺的误码机制研究

针对光栅尺具有断电位置复位、无累计误差、高精度优点,在光学隔振平台上分别建立开放式和封闭式绝对光栅尺实验系统,绝对光栅尺采用图像识别原理,以气浮直线电机ArotechABL1500为参考对象,使用激光干涉仪RENISHAW XL-80校核精度,研究不同结构绝对光栅尺的误码特点及原因。通过对比实验及研究分析,表明封闭式绝对尺相对于开放式绝对尺的误码率要高,开放式绝对式光栅尺的误码率为3%,封闭式绝对式光栅尺的误码率为8%。     

宽带折反射式紫外光刻物镜的设计

本文设计了一种新系列的紫外或远紫外激光光刻物镜,它与国内外已有的紫外物镜相比,在365nm以下的光谱区,具有更宽的光谱工作带宽和较高的数值孔径.以宽带准分子激光或短弧汞氙灯做光源,无需另加色散补偿光学元件,可以进行同轴对准.     

深亚微米激光光刻研究

报道用远紫外准分子激光进行亚微光刻的实验结果，以波长为２４８．３ｎｍ的ＫｒＦ准分子激光为光源，以光管均匀器为主构成照明系统，采用带有平行平板为像差样正板的１：１折反射投影光刻物镜，在两种光刻胶上分别获得了０．６μｍ和０．５μｍ的光刻分辨率。     

纳米光刻技术

纳米科学技术将成为新世纪信息时代的核心。纳米量级结构作为研究微观量子世界的重要基础之一,其制作技术是整个纳米技术的核心基础,已成为当前世界科学研究急需解决的问题。文章针对上前的科技发展情况,介绍了几种纳米光刻技术的实现新途径、发展现状和关键问题。详细阐述了波前工程、电子束光刻、离子束光刻、Ｘ射线光刻原子光刻、干涉光刻、极紫外光刻以及１５７光刻的原理和实现难点。作为下一代各种光刻技术,它们都有望实现     

电子束和X射线双曝光制作大高宽比高分辨率的X射线波带片

介绍了利用电子束和 X射线束双曝光技术制作大高宽比高分辨率的 X射线聚焦或色散元件的新方法 (波长范围为 1～ 5 nm )。所制做的厚度为 10μm的 Au波带片具有 30个波带 ,最外环的宽度为 0 .5μm。实验表明 :对 8ke V的X射线来说 ,波带片的衬度大于 10 ,分辨率为 0 .5 5μm,焦距为 2 1.3cm。     

A new generation optical lithography using a third harmonic pulse generated by micro-ring resonators

We first propose a new system of a third harmonic generation by using a soliton pulse circulating in the integrated micro-ring devices. By using this system, the ultra-short pulse in the attosecond (as) and beyond can be easily generated. In principle, light pulse known as a soliton pulse is input into a design system. It consist the three-stage micro-ring resonators, where the ring radii are within the range between 5 and 35 μm. With the appropriate parameters such as ring radius, coupling ratio and nonlinear refractive index, the attosecond pulse is generated by filtering the chaotic signals within the micro-ring devices. One of the results obtained has shown that the generation of the ultra narrow pulse (spectral width) and sharp tip is achieved. The potential of using such a pulse for picometer (pm)-scale lithography is plausible.     

Enhancement of near-field phase-shifting contact lithography by immersion technique

Near-field phase-shifting contact lithography is theoretically modeled incorporating the immersion technique for improvement of photoresist features. The absorption patterns in the photoresist layer, which correspond to the resolution of features after development, are found to be localized in a more compact and uniform fashion with the immersed lithographic system than with the dry system. Therefore, the resolution and profiles of the high-aspect-ratio features can be notably enhanced by immersion lithography.     

50 nm分辨力极端紫外光刻物镜光学性能研究

极端紫外光刻 (EUVL)作为实现 10 0～ 32nm特征尺寸微细加工的优选技术 ,其光刻物镜的光学性能是实现高分辨图形制作的关键。利用光学设计软件CODEV对 6枚非球面反射镜构成的光刻物镜设计和光学性能分析 ,其分辨力可以实现 5 0nm ,曝光面积为 2 6mm× 1mm。结果表明 ,光学性能对曝光场点的依赖关系。在全曝光场中进行了光学性能分析 ,其最大畸变为 3.77nm ,最大波面差为 0 .0 31λ(均方根值 ) ,该缩小投影物镜完全可以满足下一代极端紫外光刻机的性能要求     

铜激光倍频光亚微米投影光刻系统的设计和实验研究

为了研究波长在２５５．３ｎｍ的铜蒸气激光倍频在亚微米光刻中的可行性，设计了带宽为１ｎｍ的１：１折反射式投影光刻物镜和一个带散射板的光管式均匀照相系统，获得了０．６μｍ的光刻分辨率。此结果表明，铜激光倍频光可作为亚微米光刻的照明光源。     

软X射线透射光栅制作技术

金透射光栅广泛用于真空紫外、X射线、物质波的衍射和光谱测量。分别介绍了美国麻省理工学院空间微结构实验室和中国科学技术大学国家同步辐射实验室的透射光栅制作技术及其新进展。麻省理工学院空间微结构实验室为完成 AXAF巨型空间天文台上的高能透射光栅谱仪经历了近 2 0年的发展 ,其光栅制作工艺日趋成熟 ,代表了当前世界最高水平。中国科学技术大学国家同步辐射实验室为了满足惯性约束核聚变实验研究的需要 ,在国内较早地开展了透射光栅的研制工作 ,在提高光栅质量的同时不断提高线密度     

SPPs光刻曝光显影模拟研究

基于薄层抗蚀剂的曝光模型,建立了普遍适应于表面等离子体激元光刻的抗蚀剂曝光模型.选用AZ1500和AR3170两种抗蚀剂对表面等离子体激元干涉光刻曝光显影过程进行计算对比,获得表面等离子体激元光刻显影的最终轮廓.由此得出工艺优化的条件,对表面等离子体激元光刻的进一步工作和实验开展有着重要的意义.