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阴极射线发光材料的进展 总被引:4,自引:0,他引:4
本文介绍阴极射线发光材料的一些重要特性以及最近在国外荧光粉新牌号的编排和命名。详细评论了按不同用途分类的荧光粉的最近发展,并对新发展的阴极射线发光单晶薄膜屏和阴极射线发光中的能量传递进行综述。 相似文献
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对蓝光材料DPVBi掺杂红光染料DCJTB的发光性质进行了研究。首先研究了DPVBi掺杂不同质量浓度DCJTB的光致发光,当掺杂质量浓度为0.1%时,光致发光得到白光(色度x=0.36,y=0.34)。基于光致发光的实验结果,以DPVBi掺杂不同质量浓度DCJTB作发光层,制备了结构为ITO/CuPc/NPB/DPVBi:DCJTB/Alq3/LiF/Al的器件,当掺杂质量浓度为0.08%时器件实现了白色发光(色度为x=0.25,y=0.32)。研究了该白光器件的电致发光性质,白光器件在14V时达到最高亮度7822cd/m^2。在20mA/cm^2电流密度驱动下的亮度为489cd/m^2,最大流明效率为1.75lm/W。 相似文献
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采用水热法制备了一系列不同掺杂浓度的NaGdF4:Re(Re=Tm3+,Er3+,Yb3+)上转换发光粉。通过X射线衍射(XRD)、电子扫描电镜(SEM)和上转换发射光谱对样品进行了表征。XRD研究结果表明:合成的样品均为六方结构NaGdF4。估算的平均晶粒尺寸为41~43 nm。在980 nm红外光激发下,Er3+和Yb3+共掺杂的NaGdF4发光粉发出分别来自于Er3+离子2H11/ 2,4S3/2→4I15/2跃迁的绿光和4F9/2→4I15/2跃迁的红光发射,Tm3+和Yb3+共掺杂的NaGdF4发光粉发出分别来自Tm3+离子的1G4→3H6跃迁的蓝光、1G4→3F4和3F2,3→3H6跃迁的红光和3H4→3H6跃迁的近红外光发射。Er3+,Tm3+和Yb3+共掺杂的NaGdF4发光粉的发光强度及红、绿、蓝光发射的相对强度受Yb3+离子掺杂浓度的影响。对样品中可能的上转换发光机制进行了讨论。计算的色坐标显示:可通过改变掺杂离子浓度对上转换发光的颜色进行调控。 相似文献
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以蓝色发光材料DPVBi为基质的白色发光器件 总被引:5,自引:3,他引:5
白色有机发光器件是实现彩色平板显示的重要方案之一。利用蓝色发光材料DPVBi[4,4′—(2,2—苯乙烯基)—1,1′—联苯]掺杂红光染料DCJTB[4—氰甲烯基—2—叔丁基—6—(1,1,7,7—四甲基久洛尼定基—9—烯炔基—4H—吡喃)]作发光层制备了白色发光器件。研究了DPVBi掺杂不同浓度IDCJTB薄膜的光致发光性质,根据光致发光结果,制备了以DPVBi掺杂不同浓度DCJTB作发光层的电致发光器件,其结构为ITO/GuPc/NPB/DPVBi:DCJTB/Alq3/LiF/Al。当DCJTB质量分数为0.0008时,器件实现了白色发光(色度x=0.25,y=0.32),电致发光和光致发光的掺杂比例基本相符,表明器件的白色发光主要是由基质DPVBi向掺杂剂DCJTB的能量传递产生的。研究还发现:白色器件随电压升高,光谱中蓝色成分相对于红色成分的比例略有增加,文章对此现象进行了分析。该白光器件在14V时达到最高亮度7822cd/cm^2,在20mA/cm^2电流密度下的亮度为-489cd/cm^2,最大流明效率为1.75lm/W。 相似文献
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硅基发光材料研究进展 总被引:5,自引:1,他引:5
微电子技术是高技术中的关键技术,硅是微电子技术的基础材料,但是硅是一种非发光材料,为了发展光电集成技术,必须大力发展硅基发光材料,多孔硅是一种有希望的硅基发光材料,它表明纳米晶粒中的量子限制效应对光发射是极有效的,随之涌现出一系列量子限制硅基发光材料,为发展光电子集成提供了新的途径。 相似文献
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稀土掺杂材料的上转换发光 总被引:2,自引:0,他引:2
稀土掺杂材料的上转换发光是实现光波频率转换的重要途径,也是稀土掺杂发光材料研究的重要内容。本文从介绍与上转换相关的基本概念出发,阐述了稀土离子上转换发光的发展历史;对稀土离子掺杂材料的能量传递、激发态吸收、合作敏化、合作发光、双光子吸收激发及光子吸收雪崩等上转换发光机制进行了概述,并对各机制进行了比较;对不同稀土离子掺杂体系中上转换发光的机制进行了总结;对以往研究的稀土掺杂上转换发光材料的基质,包括粉体材料、晶体材料、非晶材料进行了概括;最后对影响稀土离子上转换发光效率的因素进行了分析,提出了在上转换发光材料的设计中应重点考虑基质对泵浦光及上转换发射光的吸收、基质材料的声子能量、稀土离子的掺杂方案及泵浦途径等因素。 相似文献
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导光纤维和电激发光片是两种不同类型的高科技型发光材料,它们都具有可任意折叠、弯曲,色彩、造型丰富,大幅度节电,使用寿命长等特点,越来越受到人们的重视. 相似文献
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