MEVVA源离子注入合成钕硅化物的研究

用MEVVA离子源将稀土Nd离子注入到硅基片中，可以合成出性能良好的钕硅化合物。用电子显微镜和X射线衍射对样品进行了观测，随着退火温度的升高，注入层的薄层方块电阻R□显著下降，注入层形成Nd5Si4和NdSi两种硅化钕相，并逐渐向NdSi相转变。     

退火温度对Fe基纳米晶粉芯磁致频移特性影响的研究

研究了充有不同温度退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移特性（MFS），发现充有不同温度退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移不同，充有经600℃退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移最灵敏。     

微量稀土La和Y在铜中的分布及对电导性的影响

研究了两种稀土金属La、Y的不同添加量和不同退火温度对纯铜性能的影响以及它们在铜中的分布。结果表明：添加适当的稀土可提高纯铜的电导率，无论Y还是La最佳添加量均为0．05wt％，且稀土Y的效果更好；退火温度对不同含量的Cu—RE合金的电导率影响有所不同，Cu—Y合金的电导率随退火温度的升高而升高；Cu—La合金退火后的电导率波动比较大；铸态纯铜的硬度随稀土的增加而增加。稀土与铜形成化合物，呈颗粒状分布在晶内，晶界处也有稀土富集。     

新型AA2037连铸轧铝合金高温沉淀相的正电子湮没研究

采用正电子湮没寿命谱和符合多普勒展宽谱方法对AA2037连铸轧铝合金热轧板和70%冷轧板高温(约470℃)退火的沉淀相进行了研究.结果表明,正电子平均寿命随退火时间延长而减小.其原因是由于热轧或冷轧形变导致的空位、位错等缺陷的同复和再结晶;另一方面由于随退火时间延长沉淀相不断析出,符合多普勒展宽曲线出现明显的铜元素、锰元素的特征,并且沉淀相越多,信号越明显.这证实了沉淀相(T相)中存在铜元素和锰元素.     

Dy离子注入CdTe薄膜的结构和喇曼光谱分析

利用X射线衍射(XRD)和喇曼(R am an)光谱对在陶瓷基底上近距离升华(CSS)制备的纯CdT e薄膜以及稀土镝(D y)离子5×1014cm-2高剂量注入的CdT e薄膜进行结构和喇曼特性分析,并讨论了离子注入后的退火效应.研究结果表明,退火处理基本消除了离子注入引起的的损伤,稀土D y离子的掺入改善了CdT e薄膜的结晶性能,增强了CdT e薄膜的喇曼活性.同时喇曼光谱的结果给出了CdT e薄膜中T e沉积物的存在情形.     

Cr掺杂Si基稀磁半导体的制备及其磁学特性

采用Cr离子注入方法,在不同气体环境下退火制备了两种具有不同磁化率和居里温度的Cr掺杂p型 (111) Si基稀磁半导体样品.利用X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外( FT-IR)光谱和超导量子干涉仪(SQUID)对样品的晶体结构、化学键及磁学特性的变化进行表征.实验发现,该样品在H2气中退火后,氢原子钝化了Cr离子注入时引起的样品中的Si悬挂键缺陷(形成Si-H),增加了传导电子的长程相互作用,使样品的居里温度达280 K,远高于同一条件下在Ar气中退火样品的居里温度(100 K). 部分氢原子束缚了样品中的受主载流子,降低了磁化率,导致在低温区(小于50 K)H2气中退火样品的磁化强度小于在Ar气中退火样品的磁化强度.这为室温铁磁半导体的研制提供了实验依据.     

双向定向凝固稀土超磁致伸缩材料的制备

采用电弧熔炼-定向凝固法，得到了具有穿晶形态的双向(径向和轴向)定向晶磁致伸缩材料，其饱和磁致伸缩系数达1113ppm，当预压力为29．7Mpa时，饱和磁致伸缩系数达1481ppm。本工艺方法的特点是设备简单，工艺方便易行。文中对双向定向晶的组织结构和磁致伸缩机制着重进行了讨论。     

射频溅射法制备Pb_(1-x)Co_xSe薄膜及物性研究

利用复合靶共溅射法制备了半磁性半导体 Ｐｂ１－ ｘ Ｃｏｘ Ｓｅ 薄膜．研究了薄膜的成分结构以及电阻率温度特性和磁化率温度特性间的关系．结果表明：由于 Ｃｏ 离子介入, Ｐｂ１－ ｘ Ｃｏｘ Ｓｅ 发生了由金属特性向半导体特性的转变,在充分低的温度下,并伴有磁相转变．磁相转变温度与磁性离子浓度相关,磁化率的相对变化幅度与磁性离子浓度有关     

超细不锈钢微丝拉拔过程中显微组织及力学性能

在不锈钢微丝拉拔过程中,当直径小于20 μm后很容易出现断丝,为此采用光学显微镜、SEM、XRD和万能电子拉伸机等手段,对拉拔过程各阶段不同直径(Φ18～Φ180)μm的不锈钢微丝以及不同退火温度下力学性能、显微组织及结构变化进行了分析,结果表明:拉拔过程中微丝强化的原因主要是由于形变强化、晶粒细化、马氏体析出.不同直径的微丝在低于800 ℃退火时抗拉强度变化不大,在退火温度达到850 ℃时抗拉强度陡降,延伸率大大增加,但强度过低对拉丝不利.     

Mn离子注入Si材料的结构分析及磁学性质

采用剂量分别为1×10~(16)(1E16),3×10~(16)(3E16)和5×10~(16)cm~(-2)(5E16)的Mn离子注入方法制备Si基稀磁半导体样品.利用透射电子显微镜(TEM)和交变梯度磁强计(AGM)对不同剂量的样品退火前后的结构和磁学特性的变化进行了表征.实验发现,退火前,只有5E16样品出现球状偏析物,其直径在5 nm左右,但也有个别直径15 nm左右的大团簇.N_2环境下800℃退火5 min部分修复了1E16样品注入区域的晶格损伤,并使该剂量样品出现偏析物,直径多在10 nm左右.衍射花样分析表明该偏析物为具有晶面间距0.333,0.191和0.163 nm的微晶,这说明该微晶最有可能是MnSi_(1.7),退火前,样品饱和磁化强度随注入剂量增大而显著增强,但从3E16到5E16增速放缓,退火使低剂量样品磁性大幅减弱,说明偏析物不利磁性增强.     

莫桑鼻给非鲫滤泡闭锁中卵黄溶致液晶形成的自源过程

作者前面的工作和本文的研究结果表明,莫桑鼻给非鲫滤泡闭锁中卵黄溶致液晶的形成有两个过程,即自源过程和异源过程,自源过程发生在卵母细胞内,是卵黄球非结晶区自发消化的过程,异源过程是颗粒细胞吞噬卵黄球,胞内消化卵黄球的过程。虽然,自源过程是一个初始的不完全过程,但它在整个卵黄溶致液晶的形成中起“开启”作用。本文讨论了卵黄溶致液晶形成的相变问题,同时提出了“生物学相变”和“酶致相变”的概念。     

带电极压电晶体板厚剪共振频率的精确确定及其在谐振器设计中的应用

确定带有电极的石英晶体板的厚剪共振频率在石英晶体谐振器的设计和加工过程中有着实际意义，特别是目前频率的不断增高使得谐振器的厚度已经减小到不得不考虑电极效应的程度．由于电极的相对刚度不可忽视，只考虑电极质量效应的频率计算方法则需要进行修正．基于一个熟知的无限大晶体板的厚度频率的确定方法，得到了晶体板及考虑到压电效应的用弹性常数和密度表达的频率方程．根据谐振器设计中常用的材料来求解频率方程，我们可以在设计过程中精确确定设计参数，从而减少修正次数．由于这些方程和结果对大多数材料都是适用的，保证了这一方法可以相对容易的与现有的石英晶体谐振器和设计和制造过程结合．     

温度对表面活性剂双水相及期倒置的影响

以实验室合成的N-十二烷基-N-(2-羟乙基)-N,N-二甲基溴化铵(C₁₂HDAB)和N-十二烷基-N,N-二(2-羟乙基)-N-甲基溴化铵(C₁₂DHAB)分别与十二烷基硫酸钠、溴化钠复配,构筑阴、阳离子表面活性剂复合系统双水相.以阳离子表面活性剂过量的双水相(ATPS-C)为例,着重研究温度对ATPS-C的影响.结果表明,双水相可在一定的温度区域内形成;在给定温度范围内升高温度,双水相区的组成宽度有所增大,相区位置略微移向阳离子/阴离子表面活性剂比例增大的方向;改变温度会使双水相发生相倒置现象,通过紫外 可见吸收光谱测定相倒置温度.     

原子级模拟在四方SrTiO_3畴壁能计算中的应用

利用原子级计算机模拟对四方ＳｒＴｉＯ３中畴壁能进行了研究．在经典Ｂｏｒｎ模型基础上用来描述离子晶体的原子级模拟，其能量表达式由长程库仑势和短程排斥势构成．后者为一含参数表达式，式中参数可由晶体的晶格常数、晶体结构和弹性常数等实验数据拟合得出．四方ＳｒＴｉＯ３由高温立方ＳｒＴｉＯ３相变而来，应存在反相畴界、孪晶界和平移孪晶界等３种畴界．本文用原子级模拟的技术对这３种畴界能进行了计算．结果表明畴界能尤其是反相畴界能非常小．     

卷云相函数的计算与分析

使用Mie散射理论和FDTD(finite difference time domain)算法,计算了冰晶粒子及其组成的卷云在2.14μm和3.72μm的相函数,讨论了冰晶组分、分布规律、波长及平均有效尺度对其影响.计算结果表明,入射光波长和有效尺度对卷云相函数起主要影响作用,而卷云的冰晶组分和分布规律对其影响不显著.     

磁性和超导性共存与转化的唯象理论

我们从分析磁性超导体的晶体结构和电子结构出发,运用平均分子场理论,求出了它的磁化率、比热、临界温度、磁转化温度和它的相图。分析了它们共存和转化的条件与特点。     

单轴晶体锥光干涉的理论与实验研究

根据电磁场的边值关系,导出了不同于菲涅耳公式的晶体界面光振幅的关系,提出了晶体锥光干涉中两相干光的位相差和振幅的计算方法.计算结果用数字图像表示,能够直观地显示出晶体锥光干涉图的特征.对不同取向的铌酸锂晶片进行实验,实验干涉图与理论干涉图的特征完全一致.     

Au-LiNbO_3纳米颗粒膜的制备和物性分析

采用复合靶共溅射技术,在单晶 Ｓｉ基片和石英玻璃基片以及钠硅酸盐玻璃基片上分别制备得到了 Ａｕ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 和 Ａｕ Ｎａ Ｎｂ Ｏ３ 纳米复合颗粒膜．利用 Ｘ 射线衍射谱和电子能谱对复合膜的结构和物相进行了分析．观测到 Ａｕ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 纳米复合频粒膜在５９３ ｎｍ 波段存在强等离子体共振吸收     

四氯化碳溶剂中溶胶法快速制备纳米TiO2光催化剂的结构表征

用钛酸四丁酯(Ti(OBu)4)在CCl4溶液中水解形成溶胶的方法，制备了纳米TiO2粉体。研究发现(Ti(OBu)4)水解脱醇时，醇不但在脱除过程中发生碳化，而且发生异构化；热处理时在711K后恒重，纳米TiO2粒子表面极易-OH化，表面-OH很难脱除。随着温度的升高，TiO2结构中的[TiO6]八面体的联接方式由角顶相连变为共棱相连，晶面间距越来越小，873K时与锐钛矿相的TiO2晶面间距与文献值相吻合，锐钛矿相TiO2结晶度最高。继续升温至873K时，发现TiO2锐钛矿相和金红石相共存。制备纳米TiO2的粒子晶粒度为8—14nm，基本不团聚，粒度均匀；而且在873—973K高温下焙烧没有明显的烧结长大，取得满意效果。     

X射线衍射法研究Ni0在不同载体上的状态

在Si02、TiOz、y-Ai z0,、EDTA一Y-Al z0,、CH, INTO:一Y-A120同量的Ni0，用X射线衍射相定量方法和晶粒大小测定方法研究Ni0的溃负载不Ni0有晶态同非晶态二种状态，每100平方米表面积载体上非晶态Ni0的闭值:Ti0:上为。.038克，Si0:上为0.021克，y-Al 2o:上为0.129克，EDTA-y"A120，上为0.1“克，CH,NO,-y-A1,0:上为。.080克.晶态Ni0的晶粒大小随晶态量的增加而增大，增大趋势又受载体的孔结构影响.