CMOS电路数字密码锁的设计

数字密码锁具有操作简便、保密性好等特点,而采用ＣＭＯＳ集成电路组成数字密码锁控制装置,更兼有电源范围宽、功耗低和工作可靠的优点,可广泛用于家庭及保险箱柜等场合,是目前比较理想的保安锁具。１．　控制要求数字密码锁的实际控制对象是电磁锁的电磁线圈,可规定线圈断电为落锁或加锁,线圈通电为开锁。电磁线圈一般为交流线圈（特殊情况下也可采用直流线圈）,可用数字密码电路驱动中间继电器来控制其电流通断。本文所述ＣＭＯＳ电路数字密码锁能满足下列控制要求：（１）该锁具有可重复８位密码开启功能,且在输够８位密码后进行…     

一种用于电容型体硅微陀螺的低噪声读出电路芯片

读出电路位于微传感器系统信号通路的最前端,是决定系统性能的关键因素。本文针对音叉式体硅微陀螺的具体应用,提出了一种低噪声电容读出电路,芯片采用斩波技术降低了电路的低频1/f噪声、失调电压以及参考电压失配的影响,提高了读出电路的分辨率和动态范围;提出一种噪声电荷转移的分析方法,用于分析和预测读出电路的噪声性能;建立一种简化的微陀螺传感器仿真模型,用于模拟读出电路对微传感器的响应。读出电路在0.35 m 2P4 M 标准CMOS工艺下设计流片,并与微传感器进行了联合应用,芯片面积为22.5 mm2,在5 V电源电压,100 kHz的时钟频率下,实现了4 aF的电容分辨率和94 dB的动态范围。     

高性能低噪声数字读出电路

红外焦平面的数字读出是信息化发展的必然方向,其关键技术是数字读出电路。介绍了数字读出电路的发展现状和主要架构,重点分析了时间噪声和空间噪声的来源和影响,并给出低噪声设计指导。同时对线性度、动态范围和帧频等主要性能进行了讨论,设计了两款数字读出电路。采用列级ADC数字读出架构设计了640×512数字焦平面探测器读出电路,读出噪声测试结果为150 μV,互连中波探测器测试NETD为13 mK。基于数字像元读出架构设计了384×288数字焦平面探测器读出电路,互连长波探测器测试NETD小于4 mK,动态范围超过90 dB,帧频达到1 000 Hz。所设计的两款读出电路有效提升了红外焦平面的灵敏度、动态范围和帧频等性能,表明数字读出电路技术对红外探测器性能的提升具有重要作用。     

微光CMOS图像传感器读出电路研究

高性能的信号读出电路是微光CMOS图像传感器的重要组成部分,如何降低读出电路噪声,提高读出电路输出信号的信噪比成为读出电路设计的重点。本文设计了一种高增益低噪声的电容反馈跨阻放大器CTIA（Capacitive Trans impedanceAmplifier）与相关双采样电路CDS （Correlated Double Sampling）相结合的微光探测器读出电路。在CTIA电路中,采用T网络电容实现fF级的积分电容,并通过增益开关控制,来达到对微弱光信号的高增益低噪声读出。采用CSMC公司的0.5μm标准CMOS工艺库对电路进行流片,测试结果表明：在光电流信号为20~300 pA范围内,积分时间为20μs,该电路功能良好,信噪比（SNR）达到10,能应用于微光CMOS图像传感器。     

CMOS掉电保护电路

介绍了一种提高单片机运行可靠性的片内掉电保护电路，该电路可以检测电源电压的降低状况，并按规定的要求在电源电压降至下限阈值时启动内部复位产生器，从而复位ＣＰＵ并保证使其处于复位状态直至电源电压恢复正常。该ＣＭＯＳ掉电保护电路由取样电阻、１．２Ｖ参考电压源和ＣＭＯＳ电压比较器组成，并结合片内复位逻辑完成掉电保护功能。     

基于I^2C总线的CMOS图像传感器接口电路

数码相机等图像消费类电子产品的飞速发展，使得图像传感器和数码相机专用集成芯片的研制获得巨大的市场支持。目前广泛使用的数码相机图像传感器主要有CCD和CMOS两种。CCD图像传感器具有技术成熟、图像噪声小等优点，但由于制作工艺复杂，与标准工艺不兼容，且需要高电压供电，芯片功耗大，目前仅在高级数码相机市场上占有一席之地。     

基于CMOS工艺的IC卡芯片ESD保护电路

介绍了ESD保护结构的基本原理,并提出一个基于CMOS工艺用于IC卡芯片的保护电路.讨论了一些重要的设计参数对ESD保护电路性能的影响并进行了物理上的解释.     

一种应用于CMOS图像传感器数字双采样ADC的PGA电路

提出了一种应用于CMOS图像传感器数字双采样模数转换器(ADC)的可编程增益放大器(PGA)电路。通过增加失调采样电容,采集PGA运放和电容失配引入的失调电压,在PGA复位阶段和放大阶段进行相关双采样和放大处理,通过数字双采样ADC将两个阶段存储电压量化,并在数字域做差,降低了PGA电路引入的固定模式噪声。采用0.18μm CMOS图像传感器专用工艺进行仿真,结果表明:在输入失调电压-30~30mV变化区间,提出的PGA的输出失调电压可以降低到1mV以下,相比传统PGA输出失调电压随输入失调电压单倍线性关系而言大大降低了列固定模式噪声。     

一种新型低压数字接口电路

提出了一种新型低压数字接口电路,可实现电压转换功能。在输入信号保持为高低电平时,该新型数字接口电路整体处于截止状态,静态电流为零。该电路实现了低功耗,能抑制信号抖动,实用性较强。该电路可集成于各类芯片内部,避免使用额外的外部元件和引脚。利用Hspice软件进行仿真测试,采用0.18 μm BCD工艺进行流片验证。结果表明,该新型数字接口电路能有效实现电压转换。     

基于CMOS工艺的低噪声高稳定性LDO的设计

介绍了一种LDO线性稳压器电路,给出了基本结构及其工作原理.重点分析了产生噪声的原因以及用旁路滤噪电路实现低噪声、用内部动态补偿电路实现高稳定性的电路结构和性能特点,针对输出短路或者负载电流过大设计了过流保护电路.整个电路采用HYNIX 0.5μm CMOS工艺实现,基于HSPICE进行仿真验证,输出噪声为1 μV(rms),典型环路增益为60 dB,相位裕度65°,证明了稳压器的低噪声和高稳定性.     

基于I2C总线的CMOS图像传感器接口电路设计

详细阐述了一种用于百万像素数码相机的CMOS图像传感器接口电路设计及其VLSI实现;文章按照数码相机的功能要求进行整体设计,由上而下讨论了各个子模块的设计,并给出了电路的FPGA验证;本设计作为数码相机专用芯片的一部分用0.6 μ m工艺实现.     

基于CMOS工艺的AES高速接口电路设计

为提高AES加密电路的数据吞吐量,采用0．6μm CMOS工艺设计了输入接口单元电路。该接口电路接收串行的高速数据流,经过串并转换后,输出128路低速并行数据流。CMOS互补逻辑结构降低了电路的功耗。手工版图布局优化了芯片面积,降低了研究成本。     

一种基于CMOS工艺的欠压保护电路

提出了一种基于标准CMOS工艺的欠压保护电路,能提供高精度的阈值电压和低温度漂移的上升阈值。在标准CMOS工艺中,利用横向PNP中VBE的负温特性与热电压VT的正温特性进行相互补偿,实现低的温度漂移特性。同时,欠压保护电路的阈值主要由电阻之间的比例决定,能获得高精度、高集中度的阈值电压,达到量产要求。     

一种基于40 nm CMOS工艺的40 Gbit/s低噪声跨阻放大器

采用40 nm CMOS工艺,设计了一个工作在40 Gbit/s数据速率的高速低噪声跨阻放大器(TIA)。为了同时兼顾噪声和带宽性能,创造性提出了一种多级串联跨阻放大器结构。输入级采用基于反相器结构的伪差分跨阻放大器,通过增加反馈电阻来减小输入电流噪声,第二级的前向运放用来抑制后级均衡器的噪声,第三级用连续时间线性均衡器(CTLE)对前级不足的带宽进行补偿,后面的三级限幅放大器(LA)对电压信号进一步放大。限幅放大器利用并联电感峰化技术和负跨导技术来提高带宽和增益。最终,信号由输出驱动器(OD)输出到片外,输出驱动器采用T-COIL技术。仿真结果表明,整条链路可以实现84 dBΩ和63 dBΩ的跨阻增益,带宽分别为31 GHz和34 GHz,输入电流积分噪声(rms)为1.75 μA。     

低噪声CMOS图像传感器技术研究综述

文章总结了低噪声CMOS图像传感器代表性关键技术的最新研究进展。从CMOS图像传感器架构及各模块设计的角度,介绍了有源像素结构和图像传感器架构,分析了广泛采用的像素内源跟随CMOS图像传感器读出电路及其噪声等效模型,重点介绍了低噪声CMOS图像传感器关键技术,包括共享参考像素差分共源放大器技术、相关多采样技术、像素内斩波技术,以及相关技术的电路级实现方式。     

低噪声CMOS图像传感器的重点专利分析

随着大规模集成电路设计和信号处理技术的提高,CMOS图像传感器日益受到重视,成为固态图像传感器的研究热点,但是噪声仍是制约CMOS图像传感器发展的重要因素之一.针对低噪声的CMOS图像传感器技术领域的专利文献,给出了该领域主要申请人的申请量分布图,并对该领域的重要专利进行分析,介绍了前5位重要专利的技术特点.