直接控制触发器预置端的 2-3混值计数器设计

木文研究混值计数器设计中触发器直接预置端的应用.文中首先分析了三值触发器预置端的功能，将二值触发器的邻控原理推广到三值触发器中.然后提出了反馈式和邻控式混值计数器的设计.按照此法设计的电路比较简单，具有一定的实用意义.     

基于电路三要素理论的四值同步可逆计数器设计

通过对电路三要素（信号、网络和负载）理论和五值代数理论的研究,提出了四值D触发器的元件级结构设计方案．根据可逆计数器的功能特性,采用该四值D触发器设计了具有复位功能的四值同步可逆计数器．PSPICE模拟验证所设计的电路具有正确的逻辑功能．     

基于限幅电压开关理论的nMOS四值触发器设计

本文应用限幅电压开关理论设计了两种主从型ｎＭＯＳ四值触发器．这些触发器具有双端预置能力和双轨互补输出，容易用于四值时序电路设计．     

电流镜及其在多值I2L电路开关级设计中的应用

运用开关信号理论和有界算术运算理论，对电流镜的多种性质进行了讨论，并系统研究了利用电流镜实现电流信号的各种算术运算，其中倍除运算属于初次提出，最后通过N进制半加电路和N值比较电路等两个设计实例介绍了电流镜技术在I^2L电路开关级设计中的应用。     

溶胶-凝胶法制备CoFe2O4/SiO2复合材料及其磁性研究

采用溶胶-凝胶法制备了CoFe2O4/SiO2纳米复合材料,利用X射线衍射,透射电镜以及傅立叶变换红外吸收光谱分析了该复合材料的结构、形貌及形成机理,并在室温下用振动样品磁强计测量了复合材料的磁滞回线.实验结果表明:当煅烧温度不超过1 250 ℃时,复合材料中的球型CoFe2O4纳米晶镶嵌在非晶SiO2基体中,纳米晶的平均尺寸从煅烧温度850 ℃时的5 nm缓慢增大到1 250 ℃时的35 nm;当煅烧温度升高到1 300 ℃时,SiO2的晶化导致了CoFe2O4纳米晶的严重团聚,CoFe2O4纳米颗粒的平均尺寸迅速增大到83 nm,CoFe2O4的晶体结构有所改变,饱和磁化强度急剧增大,矫顽力和剩磁比则显著下降.并且在1 250 ℃时,复合材料的矫顽力和剩磁比均达到最大值,分别为1.61 kOe和0.91.在850 ℃时,复合材料表现超顺磁性.     

基于低功耗双边沿D触发器的任意进制异步计数器设计

从D触发器激励表入手，分别给出了采用单边沿D触发器和双边沿D触发器的2^n进制异步加法计数器、减法计数器的设计方法．在此基础上，采用逻辑函数修改技术，通过实例讨论了基于单边沿D触发器和双边沿D触发器的异步任意进制计数器的设计．该设计方法方便，快速，具有一定的实用意义．     

基于接地开关理论的电流型多值CMOS电路设计

以开关信号理论为指导，对电流型CMOS电路中开关变量和信号变量的相互作用进行了分析，并引入了适用于CMOS电路的电源开关理论。基于接地电流开关理论，对几类重要的三值CMOS电路进行了设计。结果表明，应用该理论能获得简单的电路设计。从而进一步完善了开关级逻辑电路设计的研究。     

基于集成移位寄存器的扭环形计数器自启动设计

分析了扭环形计数器工作时的状态转换过程,分析了集成移位寄存器的逻辑功能,提出了用集成移位寄存器74LS194构成扭环形计数器的一些新的设计方案,即移位寄存器的状态变化在右移移位或并行输入符合右移规律的数码、反馈实现取反循环移位的基础上,对任何一位触发器的激励函数进行逻辑修改,可实现扭环形计数器自启动设计.所述方法的创新点是提出了MSI集成移位寄存器改变应用方向的逻辑修改方法.     

SO_4~(2-)_ZrO_2-TiO_2催化剂的制备及性能

本文用三种不同的方法制备了SO_4~(2-)/ZrO_(2-)TiO_2催化剂,并用Caro Eala自动吸附仪、PE683型红外光谱仪及LCT-2型高温差热天平仪分别有选择地测定了催化剂比表面及催化剂表面硫酸根的红外吸收光谱、脱附量、脱附温度,还测定了对酯化反应的催化性能。同时,讨论了制备条件和方式对催化剂性能的影响。     

3(2氯吡啶3基)2［4(2,6二氟苯基)噻唑2基］3羟基丙烯腈衍生物的合成及生物活性

鉴于噻唑丙烯腈和吡啶两类化合物的优点,本文以丙二腈、2,6-二氟苯乙酮、2-氯吡啶酸为起始原料,经五步反应,设计合成了3个新的3-（2氯吡啶-3-基）-2EE4（2,6-二氟苯基）噻唑-2-基]3取代丙烯腈类化合物;并利用^1HNMR、IR、MS,元素分析对其结构进行了表征．初步生物活性测试结果表明：3个化合物在测试浓度下均具有一定杀菌杀虫活性．     

基于次态卡诺图的移位寄存器型计数器的自启动设计

分析了移位寄存器型计数器工作时的状态转换过程,提出了移位寄存器型计数器的设计可在保持右移移位寄存器内部结构不变的基础上,只求解第1位触发器激励函数的设计方法.分析了触发器次态函数与激励函数的关系,提出了在次态函数卡诺图上进行激励函数最小化求解与检查无效状态所赋次态值及逻辑修改同步进行的移位寄存器型计数器自启动设计方法.     

低功耗CMOS三值四输入全加器设计及其应用

针对传统三值全加器没有充分利用进位的不足,提出一种新型的三值四输入全加器电路结构,并用CMOS设计这种全加器,与传统的三值三输入全加器相比,将原有的输入由3个增加到4个,将原有的进位由二值信号变为三值信号.所提出的三值四输入全加器增加了处理的信息量,提高了进位端的利用率,在较大电路设计中能减少所用加法器模块的数量,并减少所用管子数和降低芯片面积.基于该新型全加器,设计了3个四位三值数串行加法电路.经Hspice模拟,所设计的电路有正确的逻辑功能,与基于传统三值三输入全加器的设计相比,在处理信息量较大的电路设计中具有很好的低功耗特性.     

碘化4-(2-苯并噁唑)-N-甲基吡啶鎓盐的合成和晶体结构

合成了标题化合物碘化4-(2-苯并噁唑)-N-甲基吡啶鎓盐,并对其晶体结构进行了测定．晶体数据C13H11IN2O,Mr＝338．15,单斜晶系,空间群为C2/c,a=1．0016(3)nm,b=1．7820(6)nm,c=0．7399(1)nm,β=109．16(2)°,V＝1．2434(6)nm3,Z=4,Dx=1．81g／cm3,μ=25．3cm-1,F(000)=656．结构偏离因子R=0．027,Rw＝0．035．结构测定表明,有机阳离子中两个杂环平面之间的夹角为148．9°,是一个大的共轭体系,有可能实现自身内部的电子转移．