碲锡铅扩散结探测器的探测率极限

针对缓变结和突变结,计算了碲锡铅扩散结光生伏特探测器在零偏压时的电阻——面积之乘积R_oA。对抗缓变结而言,提出的公式论证了少数载流子扩散电流,耗尽层电流以及隧道电流被加以考虑时,R_oA 与梯度常数的全部依赖关系,对抗突交结,同样也针对扩散、耗尽和隧道三种机理,画出了R_oA 与轻掺杂区载流子浓度的依赖关系。计算是按照两种有实际意义的器件来进行的:即扩散Sb 的Pb_(0.982)—Sn_(0.018)Te 在170°K 工作、截止波长为5微米和扩散Cd 的Pb_(0.79)Sn_(0.21)Te 在77°K 工作,截止波长为11微米。Sb 扩散结遵从缓变结模式,而在未退火的基片上作成的Cd扩散结是突变结。我们把计算值和测出的R_oA 之乘积加以比较,确定了这两类器件耗尽层中的近似寿命值。根据这些结果,画出了受热噪声限制的探测器的探测率D~*与R_oA 之关系曲线。能够证明:欲获得D~*的上限值,碲锡铅固有的短寿命起主导作用。     

碲镉汞探测器

美国Honeywell公司继续研制碲镉汞探测器以扩大它们的能力和系统应用。已证明长波长红外光电导碲镉汞探测器多元阵列     

高性能碲镉汞探测器

碲镉汞对于红外工业的热成象来说是最重要的探测器材料。事实说明,这种材料极适于制作2～14微米的探测器,现已有光导阵列器件、光电二极管阵列器件,还有焦平面信息处理等更先进的器件。光导器件用的是一种“n”型材料,是用布里奇曼法在本公司生长的。由于有了这种技术,再加以对工艺作了深入的研究,从而使材料达到了很高的质量。近几年来,器件的性能和设计的选择性都有了很大的提高。8～14微米和3～5微米光导探测器的典型性能数据见表1。尤其要指出的是这些阵列器件的响应率和D~*的均匀性都很好,1/f拐点频率很低。     

碲镉汞红外探测器

一、前言气象卫星用红外照相机的探测部分,要求波长峰值灵敏度在10微米左右,而且响应时间要快。Ⅱ-Ⅵ族半导体合金CdHgTe可以较好地满足上述要求。但是,这种晶体的组分比很难达到理论值,至今各国也没有发现什么最好的方法。东芝公司采用改进型的布里兹曼炉,控制熔融状态的汞压,得到了一部分灵敏度高的优质晶体。虽然均匀性也不太好,但切下灵敏度高的部分,经过加     

碲镉汞光伏探测器

大约在六年以前碲镉汞红外探测器仍然处于保密状态,这以后它们才公开在市场上广泛出售。关于它们的潜在能力和用途还有许多因素是未来的用户所不十分清楚的。本文打算提供 HgCdTe 光伏探测器这方面的资料以及它目前的技术水平。     

碲镉汞中的汞空位扩散

在用移动加热器法（ＴＨＭ）生长的碲镉汞（Ｈｇ＿（０．８）Ｃｄ＿（０．２）Ｔｅ）晶体中，发现在最后凝固部分的载流子浓度明显增加，可以认为载流子与汞空位等同。观测的纵向空位浓度分布可以用一个顾及到沿晶体长度不同部分的热随时间变化过程和依赖于Ｈｇ空位扩散系数的浓度模型作定量描述。     

长波红外碲镉汞探测器

1 引言 红外辐射最早是1800年英国的天文学家赫谢耳(W.Herschel)在研究太阳光谱的热效应时,用水银温度计测量各种颜色光的加热效果而发现的。1830年,L.Nobili利用塞贝克发现的温差电效应制成了“温差电型辐射探测器”;     

热电冷却碲镉汞探测器

英国Mullard公司制备的两种新的碲镉汞红外探测器已可与热电致冷器装配在一起,因而可用在不能采用液氮冷却的便携式设备中。F584型和F608型探测器的典型峰值探测度为1.4×10~(10),并可在-40℃～ 70℃的环境温度中工作。两者的最大响应     

甚长波碲镉汞探测器的注入区扩散研究

在碲镉汞甚长波320×256探测器上制备了不同注入区光刻尺寸的区域,通过对不同区域的信号及注入光刻尺寸的关系进行分析对比和数据拟合,获得了不同温度下的扩散距离和单位有效光敏面积在单位时间的响应电压,对于碲镉汞甚长波探测器的器件版图设计和性能提升提供了可靠的数据支撑。     

碲镉汞光导探测器的性能

本文分析了探测器长度对Hg_(1-x)Cd_xTe光导探测器性能的影响。分析是针对工作在77～300K温度范围3～5μm和8～14μm波段的器件进行的。将由几个厂商制造的探测器的实验数据与基于Rittner模型及我们为有阻挡接触点的光导器件开创的理论研究所做的理论预测进行了比较。力图阐明理论与实验结果之间的差异。     

法国的碲镉汞红外探测器

0 引言 在法国,啼镉汞的研究与发展已经有25年多的历史了,这项工作是该国Sofradir工业集团公司和CEA-Leti公共实验室之间通过大力协作进行的.为了缩短该技术推向市场的时间,Sofradir工业集团公司和CEA-Leti在Grenoble地区成立了一个联合实验室(DEFIR).目前在该地区大约有600人在从事红外探测器的研制工作.     

碲镉汞探测器的表面钝化

讨论表面钝化的概念、特性和作用,比较各类钝化技术及用于碲镉汞红外探测器的适应性.     

GHz量级宽带碲镉汞探测器

ＧＨｚ量级宽带碲镉汞探测器李永珍（华北光电技术研究所北京１０００１５）本文主要讨论用于ＣＯ＿２激光红外外差系统的宽带探测器的带宽问题，分析影响用ＭＣＴ体材料制备的Ｎ－Ｐ结频率的因素：１）ＲＣ时间常数；２）电子、空穴在空间电荷区的渡越时间（场强下漂移）...     

高性能宽频带碲镉汞探测器

本文研究77°K工作的8～14微米碲镉汞探测器的响应率与探测器噪声的频率关系。结果表明,这些参数具有同样的频率关系与拐角频率。对D_λ~*～5×10~(10)厘米~(1/2)瓦~(-1)的探测器,实验得出f~*值≥10兆赫。同时看出,结果与假定空穴和电子寿命相等的简单光电导理论一致。     

0.1电子伏特碲镉汞光电探测器

根据俄歇限制的带—带过程确定n 型材料中的载流子寿命的假设,分析了0.1电子伏特碲镉汞光电探测器的最终D~*。光导器件和光电二极管在热限制下作的定量比较表明,在70°K 以上时,光导器件能提供较良好的最终性能。然而,在较低温度下,受少数载流子扫出限制了的光导器件的D~*的极限表明,较好的性能潜力由光电二极管来提供。与获得这些最终D~*值相联系的问题,在目前的探测器设计和制造工艺的基础上加以探讨。     

碲镉汞高工作温度红外探测器

基于当前红外探测器技术的发展方向,从高工作温度红外探测器应用需求的角度分析了碲镉汞高工作温度红外探测器在组件重量、外形尺寸、功耗、环境适应性及可靠性方面的优势。总结了欧美等发达国家在碲镉汞高工作温度红外探测器研究方面的技术路线及研究现状。从器件暗电流和噪声机制的角度分析了碲镉汞光电器件在不同工作温度下的暗电流和噪声变化情况及其对器件性能的影响;总结了包括基于工艺优化的Hg空位p型n-on-p结构碲镉汞器件、基于In掺杂p-on-n结构和Au掺杂n-on-p结构的非本征掺杂碲镉汞高工作温度器件、基于nBn势垒阻挡结构的碲镉汞高工作温度器件及基于吸收层热激发载流子俄歇抑制的非平衡模式碲镉汞高工作温度器件在内的不同技术路线碲镉汞高工作温度器件的基本原理,对比分析了不同技术路线碲镉汞高工作温度器件的性能及探测器制备的技术难点。在综合分析不同技术路线高温器件性能与技术实现难度的基础上展望了碲镉汞高工作温度器件技术未来的发展方向,认为基于低浓度掺杂吸收层的全耗尽结构器件具备更好的发展潜力。     

碲镉汞本征光电探测器

因为半导体碲化镉和半金属碲化汞是可掺混的,因此生长出的碲镉汞单晶晶锭的本征能隙的光谱范围可在0.8到15微米。采用这种材料作为相干激光和热辐射探测的高性能本征光电探测器是最为理想的。例如,已用(Hg,Cd)Te 制成1～3μ范围的室温高速光电二极管;已用CO_2激光器证实了在78°K(Hg,Cd)Te外差探测器的最小可探测功率接近理论极限,以及已制造出在77°K 工作的8～15μ范围的高性能辐射探测器。     

外延碲镉汞红外光伏探测器

用碲镉汞外延层制备了在77～130°K温度范围内工作的快速灵敏光伏探测器。采用结区形成技术就要牵涉到材料化学计量上的偏差。在77°K时,每个量子的光谱响应在很宽的波长范围内(3～14微米)都是平的,此时所测得的探测度值是3×10~9～3×10~(10)厘米赫~(1/2)瓦~(-1)。外部量子效率是13％左右。时间常数不到1毫微秒。