三相多晶硅交迭栅埋沟CCD器件

本文对已研制成的线阵三相多晶硅交迭栅埋沟CCD(BCCD)摄象器件的结构、原理及实验、结果做一个简要的阐述.器件的结构采用双列式独立输出,光敏元区采用n~+-n~--p结构,埋层由注入磷离子来实现.测试结果:器件的转移效率>99.999%.     

固体摄象器件

固体摄象器件是指电荷耦合器件（Charge-Coupled Devices）（简称ccD）,这种器件是1970年由贝尔实验室的玻意（Boyle）和史密斯（Smith）提出来的一种新型半导体器件,在短短的几年之中就已经从实验室研制逐渐转入批量生产阶段。CCD的基本原理是在n型或p型硅衬底上生长一层厚度约1200埃的二氧化硅层,再在二氧化硅层上依一定次序淀积金属电极。通过在金属电极上施加时钟脉冲电压,在半导体     

CCD摄象器件(4)——CCD摄象器件的构成

一、线摄象器件最初用CCD制作的摄象器件是线摄象器件。最简单的CCD移位寄存器也可用作线摄象器件。在这种器件中,当光照射到CCD表面时,在转移机构停止工作的时间内,光子激发出的少数载流子就聚集在势阱中,这样聚集起来的信号电荷包可以通过时钟脉冲进行转移。但是,对于这种器件,在转移时间内光也会照射到光敏区,从而使信号电荷包相对于照射时的值发生错乱,导至图象模糊。为克服这个问题,可在转移时间内采用诸如     

CCD摄象器件(1)—CCD摄象器件的基本概念

电荷耦合器件(CCD)是1970年在MOS工艺基础上发展起来的新型半导体器件。它和戽链器件(BBD)等一起,通常统称为电荷转移器件(CTD)。与以前在热平衡状态下工作的双极和单极半导体器件相反,CCD是一种在非平衡状态下依靠势阱转移电荷信息的、具有独特工作机构的器件;是在硅工艺     

特种固体摄象器件

本文介绍最近开发的几种特殊的固体摄象器件:伸缩式摄象器件、多功能摄象器件、高灵敏度摄象器件、PAN 摄象器件、摆动工作模式摄象器件。     

高性能固体摄象器件

日立制作所采用水平读出新方式研制出HE98241MOS型固体摄象器件,并于1986年2月开始商品化.这种器件在水平方向有信号读出线,每个象素都具有垂直和水平读出开关,同时在水平方向读出信号,每个水平信号线都有转换开关.因此,和以前垂直方向信号读出线相比较,     

固体摄象器件的结构及种类

今天已进入二十世纪最后的十几年,技术的发展速度不断加快。它影响着我们日常生活的各个方面,其中进展较快的IC技术,已经被应用到了家庭之中,从而使我们的生活变得更加丰富多彩。在应用极广的元器件中,有固体摄象器件,它是以CCD为中心,而技术是相     

固体摄象器件的新进展

固体摄象器件最近进展,主要表现在二个方面:一是8.1mm(1/3英寸)CCD摄象器件的性能全面超过以前的12.7mm(1/2英寸)CCD器件;二是已作出试验性HDTV CCD摄象器件。固体摄象器件获得如此巨大进展,主要是由于在工艺技术上作了许多改进。     

固体摄象器件的发展趋势

本文重点介绍电荷耦合器件(CCD)的发展状况和最近出现的一些新器件的结构,如:虚相CCD摄象器;电荷引发器件摄象器;帧-行间转移CCD摄象器及具有三维集成电路雏型的叠层式CCD摄象器.     

固体摄象器件的进展

本文主要介绍国外固体摄象器件的现在水平、突破性的进展及发展趋势。近几年,摄象机不断地向小型化、高质量和多功能的方向发展,其中固体摄象器件及摄象机的发展更迅速、应用更广泛。下面从三个方面来说明固体摄象器件的进展。     

CCD摄象器件—转移过程

光照射到CCD摄象器件的光敏面上将产生电子——空穴对,其中的少数载流子被时钟脉冲产生的势阱取样,然后聚集起来形成信号电荷包,进而在时钟脉冲驱动下由移位寄存器转移到输出端而取出。本文讨论信号电荷在CCD中的转移过程。在三相CCD中,信号电荷包存储在其中     

CCD摄象器件的取样原理

分析了ＣＣＤ摄象器件的了取样原理，同时探讨了混叠失真，伪信号的产生和抑制方法。     

新型SOI结构固体摄象器件之研制

本文介绍了新型SOI(硅绝缘膜)结构,用来解决电荷耦合器件(CCD)结构无法解决的拖尾问题(局部强光照射时,在画面的上下部位出现白带的现象)。SOI技术可以成为实观三维器件的基础技术。文中个绍SOI摄象器件的构造和激光再结晶技术的试制方法,给出了试制器件的测试结果,并展望了未来的研究课题。     

CCD固体摄象测量仪的设计

本文介绍了一种国产化的CCD多功能固体摄象测量仪,说明了它的工作原理,食品设计考虑,仪器基本组成和性能指标,该仪器现已正式生产并成功地应用于钢厂钢坯的自动定长生产控制中.     

面型CCD摄象器件成象技术探讨

本文主要以580×390位面阵CCD为例,首先叙述了面型CCD摄象器件外围驱动波形与相位的设计原则以及摄象电路的设计方法;其次介绍一种比较简单实用的系统时序逻辑电路及其调试出来的波形;最后介绍摄象电路的视频处理技术。     

线阵CCD摄象传感器的栅氧化

线阵CCD摄象传感器的栅氧化,是制作整个器件的一个关键工艺,采用了三氯乙烯(以下简称TCE)参与氧化,已能获得高质量的二氧化硅层,其表面态密度一般控制在4×10~(10)/cm~2·ev左右(最低可达9.1×10~9/cm~2·ev)。本文着重叙述了氧化层参数与工艺的关系和实验中的一些做法,对TCE氧化的工艺条件进行探讨。     

固体摄象器件及应用的新近进展——全国固体摄象器件学术交流会简介

中国光学学会和中国电子学会于一九八六年十月八日至十一日在石家庄联合召开了全国固体摄象器件学术交流会.参加会议的有来自全国各地科研、生产和高等院校近30个单位50余名代表.会上交流了论文20余篇.中国光学学会红外光电器件专业委员会副主任委员、中国电子学会量子电子学与光电子学学会委员、电子部第五十五研究所副所长贺风邦同志主持了会议.东道主电子部第十三研究所副所长管丕恺同志、副总工程师李克诚同志出席了会议,并讲了话.     

CCD摄象器件 (2)—CCD的势阱

CCD出现之后,最初是用作摄象器件和延迟线。在摄象器件方面,研制出了一维线摄象器件和二维面摄象器件。当前尤其引人注目的是家用视频CCD彩色摄象机,将来很可能向8毫米摄象机领域发展。不过,对于CCD摄象机,为了得到人的视觉灵敏而舒适的图象,必须把CCD的材料,结构,特性提高     

CCD摄象器件(5)——CCD彩色摄象机

一、摄象方式随着电视的迅速普及,CCD摄象器件作为彩色电视摄象机的核心部分在市场上的需要正在日益高涨。而且,如果进一步缩小摄象机系统的体积和降低成本,完全可以预料,CCD摄象机将取代目前的8毫米摄象机。固体摄象器件,无论CCD,CID或是MOS等方式,目前正在把性能方面,批量生产方面,以及成品率方面存在的各种问题作