用准平衡能带模型研究MIS一结构场增强非平衡瞬态

本文研究」线性电压作用下MIS结构的电场增强非平衡I/Ir瞬态.本文除了考虑到深能级中心在非稳态条件下有随时间而改变的产生率以外,还考虑了深能级中心的电场增强产生载流子效应.在研究中我们采用了较简单的准平衡能带模型来分析有效产生区宽度.文中对于位于禁带中部的深能级中心的MIS结构给出了具体的结果.     

用准平衡能带模型研究MIS结构场增强非平衡瞬态

本文研究了线性电压作用下MIS结构的电场增强非平衡I/V瞬态.本文除了考虑到深能级中心在非稳态条件下有随时间而改变的产生率以外,还考虑了深能级中心的电场增强产生载流子效应.在研究中我们采用了较简单的准平衡能带模型来分析有效产生区宽度.文中对于位于禁带中部的深能级中心的MIS结构给出了具体的结果.     

准平衡模型下脉冲MOS电容器的瞬态特性

本文给出了描写咏冲MOS电容器的瞬态特性的微分方程.产生区宽度采用准平衡模型来计算,反型少子的非稳态产生的影响已被计及.文中给出了用Runge-Kutta方法得到的1-t和C-t瞬态特性曲线,并进行了详细讨论     

线性电压扫描 MOS 电容 C-t 瞬态中的非稳态体产生效应

水文应用非稳态产生-复合统计理论，研究了线性扫描下MOS 电容的C-t瞬态，得到了稳态产生复合统计理论可近似用于分析 C-t瞬态的条件．结果表明，对于含有位于禁带中部的高浓度陷阱的低掺杂样品 ，非稳态体产生效应有显著影响，陷阱能级偏离禁带中部或降低测试温度可减弱这一效应的影响 ．     

基于原子系综和线性光学器件的量子中继

有噪信道上的量子通信出错率随着信道长度呈指数式增长, 量子中继是应对此问题的一种有效方法. 提出一种具有实验可行性的量子中继方案, 利用原子系综来制备量子纠缠, 利用偏振分束器来完成量子纠缠的纯化和交换, 为实现远程量子通信提供了一种有效方法.     

线性电压扫描法测量硅的体产生寿命和表面产生速度的研究`

本文采用 Rab bain 的 产 生 区 宽度模 型,导 出了描述线性 电压 扫描 作用下 M O S 电容 器的电容 一 时间瞬态特性的微分方程,通过积分这一微分方程,得到 了描述线性 电压 扫描作用的M O S 电容器的 电容 一时 间瞬 态特性方 程.依据这 一方 程,提出了一 种确定体产生寿命和 表面产生速度的计算方法.     

复杂粒子预平衡发射的准直接反应模型

本模型提出了核内复杂粒子集团的准直接反应形成机制,给出了复杂粒子发射几率对准直接反应截面σ_s 及能量εβ的依赖关系。计算结果与实验拟合良好。     

相依误差下线性回归模型的S-估计

对于线性回归模型:yi=xiTθ0+ei,i=1,2,…,n,当{ei,i=1,2,…,n}为α混合序列时,研究了S-估计的渐近性质.证明了S-估计具有强合性和渐近正态性,并且获得了类似独立同分布情形的方差-协方差结构.     

非线性边界条件下拟线性瞬态方程组的Phragmén-Lindelöf型二择一结果

考虑了一类定义在三维半无穷柱体上的拟线性方程组,其中假设方程的解在柱体的有限端和侧面满足非齐次条件。定义了“能量”表达式,通过限制非线性项,利用微分不等式技术, 推导了一阶微分不等式,解此不等式得到二择一结果,即证明了“能量”随与有限端距离的增大要么呈指数式（多项式）增加,要么呈指数式（多项式）衰减。同时,在衰减情形下得到了全能量的上界。     

基于常利率投资和线性阈值分红策略下的绝对破产模型（英文）

研究了常利率投资和线性阈值分红策略下的绝对破产模型,利用全概率公式、Taylor展式求解绝对破产前累计分红现值的矩母函数和n阶矩函数的更新方程,得到Gerber-Shiu期望折现罚金函数的偏微分方程表达式.     

势能的分析模型计算GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs调制掺杂异质结中的电子能极(英文)

本文提出一个用于计算GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs调制掺杂异顺结中准二维电于气体的能级的势能分析模型,该模型的计算结果与自洽计算结果相符合,并且电子的波函数以及电子的势能可以用简单的解析式表示出来,应用该模型计算电子能级是一种简便可行的方法。