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相似文献
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1.
在用霍尔元件测磁场时,一般采用对称测量法以消除各种附加电压的影响,当出现某种附加电压大于霍尔电压这种特殊情况时,该测量方法更为必要.  相似文献   

2.
在用霍尔元件测磁场时,一般采用对称测量法以消除各种附加电压的影响,当出现某会加电压大于霍尔电压这种特殊情况时,该测量方法更为必要。  相似文献   

3.
本文分析了霍尔电压测量过程中出现的因不等位电压过高而引起的异常现象,并提出了解决办法。  相似文献   

4.
利用霍尔效应原理制作了霍尔效应演示仪,详细介绍了该演示仪的制作过程,定性地演示了霍尔电压与通电电流和磁感应强度的关系.  相似文献   

5.
王新生 《物理实验》1990,10(5):200-201
一、引言用霍尔元件测量磁场这一实验,现在教学中一般的测法是:对同一场点,利用磁场方向与元件工作电流方向的四种不同的组合,测取四个电压值,再由此四值算出霍尔电压,此法测量次数较多,计算量大。本文提出的简化测法是:只需测量磁场与电流的  相似文献   

6.
霍尔效应是研究半导体性质的重要手段,但霍尔电压的测量受到多种副效应的影响。通过分析误差来源加实验论证来探索对称测量法的优势,并且发现除四种常见热磁效应以外,仍存在附加电压。经过一些研究,提供了一些减小误差的方案。考虑到大学物理实验中没有设计霍尔效应的生活应用,本文简单介绍了霍尔开关原理及应用,希望通过本文对教学改革有进一步的推进作用。  相似文献   

7.
对InSb霍尔元件在-135~65℃内的霍尔电压的温度特性进行了测量,研究在恒流源和恒压源条件下其输出电压随温度的变化情况,并对其工作温度、线性范围及应用进行了探讨。  相似文献   

8.
戴闻 《物理》2001,30(7):447-449,431
在经典霍尔效应中 ,霍尔电压VH 线性正比于垂直方向的外场B⊥ ,并且沿电流方向的纵向电压V∥ 也随B⊥ 的增加而连续上升 .1980年 ,冯·克里青 (KlausvonKlitzing)用半导体场效应晶体管进行霍尔测量 ,研究被限制在二维平面内的电子运动 .他发现 ,在极低温和强磁场的条件下 ,霍尔电压VH 不再随外场的增加而线性增加 ,而是 (在VH-B⊥ 图上 )表现为一连串VH =常数的阶跃平台 .与一个个平台相对应的霍尔电阻VH I(I是纵向电流 )恰好等于物理常数h e2 除以一个整数i(i=1,2 ,3,4 ,… ) .克里青的发现后来被称为…  相似文献   

9.
在测量半导体材料的霍尔效应实验中,研究霍尔电压在不同温度和不同磁场强度下变化情况。文章通过建立双因素方差分析数学模型对实验数据进行分析,判断不同的实验条件对实验结果是否有显著影响。  相似文献   

10.
以实验手段研究了霍尔元件在交变电流及交变磁场下的动态特性.实验以霍尔效应实验为基础,改变其中某一自变量,通以交变信号并保持其他条件不变,观察实验现象,得出霍尔电压的幅频特性以及相频特性.从实验结果可以看出霍尔元件的动态特性与静态特性有很大的不同.  相似文献   

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