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在0.04Mol/L HAc-0.36Mol/L NaAc(pH5.7)和3.5×10~(-4)Mol/L 8-氨基喹啉(8-Aminoquinoline)溶液中,用单扫示波极谱法可得到In(Ⅲ)-8-氨基喹啉络合吸附波,峰电位在-0.78V处。其导数峰高与铟在5.0×10~(-8)-4.0×10~(-6)Mol/L范围内的浓度呈线性关系,最低检出限为2.0×10~(-8)Mol/L。研究确定该波为1∶1铟-8-氨基喹啉络合物的吸附波。测定了几种地球化学标准样品中的锢,结果满意。 相似文献
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以8-羟基喹啉作为络合剂,用单扫描极谱仪对微量Fe(Ⅲ)的络合吸附波进行了研究。8-羟基喹啉用量为2×10~(-3)mol/L时,用氢氧化钾溶液调节pH值至碱性条件(pH约为12.0),于-0.37V(vs. SCE)处,有一灵敏的阴极波。Fe(Ⅲ)浓度在2.1×10~(-8)~2.6×10~(-6)mol/L范围内与一阶导数波峰高成线性关系。该法可用于准确测定样品中痕量Fe(Ⅲ)。 相似文献
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在pH4.8的0.013mol/L的HAc-NaAc介质中,钥(Ⅵ)-7-(1-苯偶氮)-8-羟基喹啉-5-磺酸钠体系在滴汞电极上,于-0.46V(vs.SCE)电位处得到良好的吸附还原波,其二阶导数峰电流I_p与Mo(Ⅵ)在2.5×10~(-8)~4.5×10~(-7)mol/L浓度范围内呈良好的线性关系,检测限为1.25×10~(-8)mol/L Mo(Ⅵ),方法用于钢样中微量钼的测定,结果较好.对电极机理进行了研究. 相似文献
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用线性扫描吸附伏安法研究了Co(Ⅱ)与色氨酸络合物在悬汞电极上的伏安特性及机理,发现电极反应为吸附在电极表面的Co(Ⅱ)L_2的不可逆还原。在0.05ml·L~(-1)氨—氯化铵介质中,络合物导数峰电流与钻浓度在1.0×10~(-8)~1.0×10~(-6)mol·L~(-1)范围内呈线性,检出下限5.0×10~(-9)mol·L~(-1)。并将此法用于生物样品中钴的测定。 相似文献
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在pH4.5的 0.015 mol/L HAc-NaAc介质中,In铟(Ⅲ)-7-(1-苯偶氮)-8-羟基喹啉-5-磺酸钠(BQ)在滴汞电极上于-0.665-0.70 V(vs.SCE)电位处得到络合物的吸附还原波,其一阶导数峰电流I'p与In(Ⅲ)浓度在4.0× 10~(-8)~3.5 × 10~(-6)mol/L范围内呈良好的线性关系,检测限为1.6 × 10~(-8)mol/L In(Ⅲ).应用该法测定了铅粉和氢氧化铝样品中的微量铟,结果令人满意。对电极反应机理进行了探讨。 相似文献
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铋-N-苯甲酰苯胲络合吸附波的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在pH5.6的0.2mol/L NH_4Ac-3×10~(14)mol/L N-苯甲酰苯胲(N-BPHA)底液中,用单扫示波极谱法可得到Bi(Ⅲ)的络合物吸附波,峰电位-0.33V(vs.SCE)左右。导数峰高与铋的浓度在5.0×10~(-8)~4.0×10~(-6)mol/L的范围内呈线性关系,检出限为2.0×10~(-8)mol/L。实验表明,该极谱峰属于络合物吸附波,测定其络合比为Bi(Ⅲ):N-BPHA=1:3。测定了该体系的吸附量;Bi(Ⅲ)-N-BPHA络合物在悬汞电极上的吸附符合Frumkin等温式,测得吸附系数β=2.87×10~5,吸引因子α=0.984。用于矿石中微量铋的测定。 相似文献
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在HCl-NaAc介质(pH 2.5)中,用单扫示波极谱法可获得高灵敏的In(Ⅲ)-2-疏基苯骈噻唑(MBT)-7-碘-8-羟基喹啉-5-磺酸(Ferron)三元络合物吸附波.峰电位在—0.64V(vs.SCE),峰电流与铟浓度在7.0×10~(-10)mol/L~8.8×10~(-7)mol/L之间呈线性关系.检出限可达3.0×10~(-10)mol/L.测得电活性络合物的组成为In(Ⅲ):MBT:Ferron=1:1:1.研究了极谱波的性质和机理.本法选择性较好,用于工业废水和地下水中痕量铟的测定,结果满意. 相似文献
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在0.02 mol/L (CH2)6N4-HCl(pH 3.57)介质中,In(Ⅲ)与N-邻羧基苯基-N′-(2-氨基乙基)草酰胺生成络合物,并吸附于电极表面,于-0.60 V(vs.SCE)得到络合物吸附还原波.其2次微分极谱峰电流与In(Ⅲ)浓度在3.8×10-7~2.2×10-5 mol/L内呈良好的线性关系,检出限为3.6×10-8 mol/L.方法已应用于陶瓷颜料、矿石、人发中微量In(Ⅲ)的测定,并对电化学反应机理进行了初步探讨. 相似文献
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采用水热法合成了一个新的一维铅(Ⅱ)配位聚合物[Pb(QOA)2]n(QOA=8-喹啉氧基乙酸根离子),通过红外光谱、元素分析和X-射线单晶衍射分析给予表征。该配位聚合物属于单斜晶系,C2/c空间群。晶胞参数a=2.113 2(2)nm,b=1.189 86(7)nm,c=0.790 73(2)nm,β=99.081(3)°,V=1.963 3(4)nm3,Z=4。固体UV-Vis-NIR漫反射光谱结果显示它的光学能隙约为3.4 eV,表明配合物具有潜在的半导体性质。固体荧光测定表明配合物表现出良好的荧光性质。 相似文献