高温超导体氧振模的混合

为解释高温超导晶体的声子Ｒａｍａｎ偏振谱，本文提出两个Ａ＿（ｌｇ）－对称声子模相混的机制。对Ｙ—Ｂａ—Ｃｕ—Ｏ单晶，按偏振Ｒａｍａｎ谱强度比计算了两个Ａ＿（ｌｇ）－振动模的耦合系数。     

超晶格Fano共振的Raman散射研究

超晶格Ｆａｎｏ共振的Ｒａｍａｎ散射研究赵铁男，朱恪，陈正豪，金奎绢，潘少华（中国科学院物理研究所北京１０００８０）林筠（中国地质大学北京１０００８１）ＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｉｃＳｔｕｍｅｓｏｎＦａｎｏｒｅｓｏｎａｎｃｅｏｆＳｕｐｅｒＡｔｔｉ...     

竹红菌甲乙素的FT-Raman光谱

竹红菌甲乙素的ＦＴ－Ｒａｍａｎ光谱张自禄胡鑫尧卢为琴周群郁鉴源胡义镇＊（清华大学化学系北京１０００８４）（＊中科院感光所北京１００１０１）ＦＴ－ＲａｍａｎＳｐｅｒｃｔｒａｏｆＨｙｐｏｃｒｅｌｉｎＡａｎｄＨｙｐｏｃｒｅｌｉｎＢＺｈａｎｇＺｉｌｕ，ＨｕＸ...     

Raman和FT—IR光谱研究乙酰胺和银（Ⅰ）,铜（Ⅱ）离子的作用

用Ｒａｍａｎ和ＩＲ光谱研究乙酰胺和Ａｇ（Ⅰ）－Ｃ（Ⅱ）离子的作用。结果发现，Ａｇ（Ⅰ）和Ｃｕ（Ⅱ）离子可增强对乙酰胺光谱频带的识别能力，原在ＡＡ中被掩盖的某些谱带，由于Ａｇ－Ｃｕ离子的进入而得到了辨认。     

NIR FT－Raman研究铝酸钠溶液的碳酸化过程

本文用ＮＩＲＦＴ－Ｒａｍａｎ光谱仪原位跟踪了铅酸钠溶液的碳酸化过程，观察到此过程的Ｒａｍａｎ光谱呈现振荡现象和非重线性，认为在碳酸化过程中，可能产生Ａｌ２（ＯＨ）离子和进一步缩聚形成的离子。     

量子拍频系统的拉曼散射

量子拍频系统的拉曼散射曹卓良，朱克荣，赵华正（安徽大学物理系合肥２３００３９）ＲａｍａｎＳｃａｔｔｅｒｉｎｇＥｆｆｅｃｔｏｆＡＱｕａｎｔｕｍ－ｂｅａｔＡｔｏｍｉｃＳｙｓｔｅｍ￥ＣａｏＸｈｕｏｌｉａｎｇ；ＺｈｕＫｅｒｏｎｇａｎｄＺｈａｏＨｕａｚｈｅｎｇ...     

关于ESE避雷针的初步分析

关于ＥＳＥ避雷针的初步分析郭昌明（上海市气象科学研究所，上海２０００３０）（收稿日期：１９９８－０５－１２）ＰＲＥＬＩＭＩＮＡＲＹＥＶＡＬＵＡＴＩＯＮＡＢＯＵＴＥＳＥＡＩＲ┐ＴＥＲＭＩＮＡＬＲＯＤ由于传统避雷针的不完善，存在一些副作用，无疑是要设法改...     

胰蛋白酶溶液的激光拉曼谱

胰蛋白酶溶液的激光拉曼谱柯惟中，余多慰（南京师范大学南京２１００９７）ＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒａｏｆＴｒｙｐｓｉｎｉｎＡｑｕｅｏｕｓＳｏｌｕｔｉｏｎ￥ＫｅＷｅｉｚｈｏｎｇａｎｄＹｕＤｕｏｗｅｉ（ＮａｎｊｉｎｇＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙＮａｊｉｎｇ...     

多道激光Raman光谱检测系统

设计了一种多道激光Ｒａｍａｎ光谱检测系统,由Ａｒ＾＋激光器、外光路、多色仪和光学多道分析仪（ＯＭＡⅡ）组成,通过对ＣＣｌ４、Ｃ６Ｈ６、Ｃ６Ｈ１２的Ｒａｍａｎ光谱的检测表明,与单道激光Ｒａｍａｎ光谱检测系统相比,多道系统大大缩短记录Ｒａｍａｎ光谱的时间,但每道的积分时间可延长至１０－５０ｓ,将多道探测器的工作温度降低到５℃,可获得信噪比高、灵敏度高、质量好的Ｒａｍａｎ光谱。采用微分软件处理Ｒａｍａｎ     

腐植物质吸附在银粉上的拉曼光谱

腐植物质吸附在银粉上的拉曼光谱周群，郁鉴源（清华大学化学系北京１０００８４）杨育晖，张德和（中国科学院化学研究所北京１０００８０）ＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒａｏｆＨｕｍｉｃＳｕｂｓｔａｎｃｅｓＡｄｓｏｒｂｅｄｏｎＳｉｌｖｅｒＰｏｗｄｅｒ￥ＺｈｏｕＱｕｎａ...     

多晶AlN光学性质研究

运用X射线衍射仪和拉曼光谱仪,测量了物理气相输运(PVT)方法生长的AlN多晶材料的X射线衍射和常温拉曼光谱。常温拉曼光谱研究了晶界、晶面方向与拉曼频率的关系,观察到了E和E峰位基本不随测量位置变化,与晶界无关,但是E1(TO),A1(LO)和Quasi-LO声子峰位却明显与晶界有关,为研究晶粒间、晶粒内应力提供了有效手段。     

氮化铝结构的高温Raman光谱分析

本文测量了氮化铝在不同温度下的Raman光谱 ,并确定了氮化铝的光学声子模E2 1、A1(TO)、E2 2 、E1(TO)、A1(LO)和E1(LO)Raman散射峰的频率 ,它们分别为 2 5 2cm- 1、6 1 4cm- 1、6 5 8cm- 1、6 72cm- 1、894cm- 1和 91 2cm- 1,其中光学声子模A1(TO)、E2 2 的Raman散射峰比较明显。随着温度的升高 ,A1(TO)、E2 2 散射峰的频率向低波数方向变化 ,表明氮化铝粉末压制体中存在的压应力逐渐减小 ;这两个散射峰的半高宽逐渐增大 ,说明随着温度的升高 ,存在氮原子和铝原子的扩散使得氮化铝粉末压制体中晶体结构逐渐发生变化。由于氮化铝粉末本身在空气中易与水蒸气发生反应 ,生成的Al(OH) 3 或AlOOH在加热过程会发生分解 ,干扰样品高温Raman光谱测量。     

气相外延GaN的拉曼散射

测量了在蓝宝石衬底上气相外延生长GaN的拉曼散射谱.除观察到已被确认的两个E2,一个A1(TO)和一个E1(TO)声于振动以外,在734±3cm-1处观察到一个散射峰且从实验上确认其为GaN的纵向光学声子模E1(LO).而且发现其强度与外延层晶体质量密切相关.A1(TO)和高频E2散射峰相对强度变化显示不同生长条件引起的外延层质量的变化.     

Coherent optical phonon oscillations in bulk GaN excited by far below the band gap photons

We report on generation of coherent optical phonon oscillations in 150 microm thick bulk GaN. With photon energy far below the band gap, the generation mechanisms of coherent phonon modes of A1(LO), high- and low-frequency E2 are revealed to be the impulsive stimulated Raman scattering. We find that one among the two degenerate E2 modes is selectively detected with a proper choice of probe polarization. Dephasing times range from 1.5 to 70 ps for different modes, and phonon-three-photon absorbed carrier interactions are compared between the A1(LO) and the E2 mode.     

0.5PZN-0.5PZT压电陶瓷拉曼散射研究

PZT基多元系压电陶瓷在三方相含量与四方相含量相等的准同型相界处(MPB)具有极为优异的压电性能。文章采用拉曼散射方法研究了0.5PZN-0.5PZT陶瓷体系中三方-四方相共存与弥散相变现象。研究发现,与纯PZT相比,0.5PZN-0.5PZT体系拉曼谱呈明显宽化特征,表明体系弛豫性较强,依据介温谱计算出弥散因子γ高达1.71。通过对拉曼谱峰进行Gauss函数拟合,定量计算三方相R₁模式与四方相E(3TO)和A₁(3TO)模式相对强度,以及四方相E(4LO)和A₁(3LO)模式与三方相R_h模式相对强度,结果表明0.5PZN-0.5PZT体系三方相与四方相含量相等,组成位于准同型相界,该结果得到XRD相分析验证。电学测量表明0.5PZN-0.5PZT陶瓷压电性能优异：k_p=0.66, d₃₃=425 pC/N,适宜作为压电致动器材料使用。     

GaN薄膜拉曼散射光谱的研究

利用拉曼散射光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的未故意掺杂GaN薄膜特性进行研究发现E2模式向频率低的方向漂移表明在GaN薄膜中存在张力,由于SiC衬底不平整度增加引起更多位错的出现,从而引起拉曼谱中E2模式的加宽,因此通过选择平整度较好的衬底可以减小缺陷密度,提高薄膜的质量,此外A1(LO)模式的出现与强度可以用来表征未掺杂GaN的薄膜质量。     

Determination of the Mode Grüneisen Parameter of AlN using different Fits on Experimental High Pressure Data

To investigate the pressure dependence of the AlN phonon frequencies Raman spectra of single-crystalline bulk AlN under hydrostatic pressure up to 10 GPa were recorded. The Raman peak positions of the A 1 (TO), E 1 (TO), E 2 (high), A 1 (LO) and quasi-longitudinal optical (QLO) phonons were plotted as a function of pressure. The experimental data was fitted using the traditional parabolic fit (M. Kuball et al . (2001) Appl. Phys. Lett., 78, 724 [1]) and fits to physical models, density, volume, etc. The mode Grüneisen parameters of the different phonons were determined for each fit and significant differences are found between the various fits. Results are compared with recent theoretical calculations (J.-M. Wagner et al . (2000) Phys. Rev. B, 62, 4526 [2]).     

GaN基量子点结构的喇曼特征

采用量子力学的微扰理论，对GaN基量子点结构的喇曼频移进行分析。在喇曼实验中，观察InGaN／GaN量子点结构的E2和A1(LO)的模式，并发现实验中样品的喇曼频移与GaN的体材料相比，有着明显的红移。     

压应力场下PLZT铁电陶瓷的原位Raman观测

铁电陶瓷材料在外场加载下的畴变所引起的材料结构变化,是导致材料性能衰变和破坏的主要原因,Raman光谱技术是一种研究铁电材料畴变和微结构变化的无损伤性及原位微区的观测方法。采用传统固相法合成Zr/Ti原子比为53/478的掺镧锆钛酸铅(PLZT)铁电陶瓷材料 ,采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜及Precision_LC铁电测试系统分别对试样进行结构形貌表征和铁电物理性能测试,利用自制的应力加载装置与Raman光谱仪联用,实现不同压应力场作用下试样的原位Raman谱测试,考察和分析Raman谱软模E(2TO)和E(3TO+2LO)+B1的峰强和峰位随散射偏振方向的变化规律。结果表明,不同压应力场下Raman软模E(2TO)和E(3TO+2LO)+B1的峰强均随散射偏振角度呈现正弦式的变化规律,在60°偏振角度上软模峰强最大,在150°偏振角度上软模峰强最小。随着压应力场的增加,在0°和60°偏振角度获得的软模峰强随应力场的增加呈现明显的下降趋势,而在90°和150°偏振角度获得的软模峰强基本不变。压应力场变化对PLZT陶瓷的Raman软模E(2TO)和E(3TO+2LO)+B1的峰位均不产生影响。     

Quantum interference between the third and fourth exciton states in semiconducting carbon nanotubes using resonance Raman spectroscopy

We exploit an energy level crossover effect [Haroz et al., Phys. Rev. B 77, 125405 (2008)] to probe quantum interference in the resonance Raman response from carbon nanotube samples highly enriched in the single semiconducting chiralities of (8,6), (9,4), and (10,5). UV Raman excitation profiles of G-band spectra reveal unambiguous signatures of interference between the third and fourth excitonic states (E(33) and E(44)). Both constructive and destructive responses are observed and lead to anomalous intensity ratios in the LO and TO modes. Especially large anomalies for the (10,5) structure result from nearly identical energies found for the two E(ii) transitions. The interference patterns demonstrate that the sign of the exciton-phonon coupling matrix elements changes for the LO mode between the two electronic states, and remains the same for the TO mode. Significant non-Condon contributions to the Raman response are also found.