取代超支化聚硅烷紫外光引发剂研究

以钠缩合法合成的含Si–Cl键的超支化聚硅烷(Cl-HPS)为基础,将其分别与4-羟基二苯甲酮和2-羟基硫杂蒽酮反应,制备了小分子光引发剂取代的超支化聚硅烷BP-HPS和TX-HPS.小分子光引发剂取代的超支化聚硅烷可以不同程度地扩展超支化聚硅烷的紫外吸收.采用实时红外光谱研究了它们引发己二醇二丙烯酸酯(HDDA)紫外光聚合行为.结果表明,小分子光引发剂取代的超支化聚硅烷的自由基引发效率高于未经取代的超支化聚硅烷和它们对应的小分子光引发剂的引发效率.电子自旋共振光谱研究表明,BP-HPS和TX-HPS既可以裂解产生硅自由基,也可以通过硅甲基参与的夺氢反应产生碳中心自由基.     

羧酸衍生物取代甲基苯基聚硅烷制备杂取代聚硅烷

以甲基苯基聚硅烷　(PhSiMe　) n为原料 ,在无水AlCl3 存在下 ,通过与酰氯、酸酐及酯的取代反应合成了氯代聚硅烷及一系列共聚物 .在乙酰氯的作用下 ,　(PhSiMe　) n上的苯基能够被近乎完全的取代而生成氯代聚硅烷 .一元酸酐 (乙酸酐和丙酸酐 )在用酰氧基部分取代聚硅烷上苯基的同时 ,进行得更多的还是Cl取代 .而顺丁烯二酸酐、邻苯二甲酸酐和乙酸乙酯则只进行不完全的Cl取代 ,根据分子活性的不同得到取代比率各不相同的共聚物 .初步分析了各反应的过程 ,讨论了影响反应的因素 ,同时对于各产物的荧光和紫外特性也进行了分析和讨论     

聚硅烷传输性质的理论研究

近年来,聚硅烷导电高分子材料受到广泛重视,主要由于硅是公知的半导体,在电子工业上应用极广泛,另外硅是地球上贮量最丰富的元素,在寻找非碳功能材料时,聚硅烷自然是首选.聚硅烷的主链形成σ电子离域,通过掺杂能使这类材料的电导率在较宽的范围内变化,从而赋予他们非常独特的光化学和光物理性质,可用作导体与半导体、光导体材料、以及非线性光学材料、光致抗蚀剂、电致发光装置中的发光二级管等,有可能成为方兴未艾的信息技术所必需的集成电子器件或集成光子器件中的关键材料之一.同π共轭体系相类似,聚硅烷体系也只有在掺杂引入载流子的情况下才能导电.相比之下,对依赖于σ共轭体系的导电机理研究很少.国际上关于这类高分子的理论研究还处在刚刚起步阶段,只有少部分的理论工作是关于未掺杂聚硅烷体系的基态几何和能带结构的分析,大多集中在σ电子离域的验证上.而对于掺杂聚硅烷的理论工作更是少见报道,仅有少量的关于掺杂对聚硅烷寡聚体极子的几何结构和激发能影响的理论工作.有关掺杂后聚硅烷的电子输运性能研究国内外更是未见文献报道,因此开展这方面的理论研究工作是很必要的.本文运用密度泛函理论并结合非平衡格林函数方法,用ATK软件和Gaussian 03软件分别对未掺杂、电荷掺杂(Si12+)、B原子和P原子掺杂(Si5Bsi6和Si5PSi6)的四种聚硅烷寡聚体进行了传输性质的比较性理论研究.首先,为了更真实的模拟电场情况下的电子的性质,本文应用Gaussian程序在6-31+G(d)基组和BHHLYP泛函下,分别在电场0.0,0.68×108,1.36×108,2.03×108,2.71×108,3.38×108和4.06×108V·m-1下对四种聚硅烷进行了几何结构优化,在优化的几何构型和相同的计算方法基础上进行了TDDFT激发态光谱的计算和自然键轨道NBO的计算.然后对优化后的聚硅烷在ATK程序下用Au(111)-(3×3)电极分别计算了偏压为0.0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0和1.2V下的电子输运性质.计算结果表明,电荷掺杂的聚硅烷Si12+和杂原子掺杂的聚硅烷(Si5BSi6和Si5PSi6)的传输性质有着明显的差异,得到了与实验相一致的结论.即电荷掺杂的聚硅烷由于电子传输通道被破坏,所以它的导电性很差,而Si5BSi6和Si5PSi6则表现出了很好的导电性能,并且杂原子掺杂的聚硅烷还表现出了NDR效应.我们通过传输谱图、MPSH图、激发态图谱、能带和共轭效应对上述现象进行了详细讨论.由此可见,B原子和P原子掺杂的聚硅烷可以作为电子器件的优良材料.     

聚硅烷研究进展 (1)聚硅烷的合成及应用

聚硅烷的合成及应用因可溶性聚硅烷的发现而成为聚合物研究的又一热点。本文综述了聚硅烷合成与应用的近期发展。     

聚硅烷的电化学合成

聚硅烷是一类链骨架中仅含硅原子的高聚物,主链的上的非定域σ键电子赋予了聚硅烷独特的光电性质,也是制备陶瓷材料的先驱体。电化学法是最近兴起且具发展前景的一种合成聚硅烷的方法,它是通过电解池中阴极还原氯硅烷来制取高聚物,反应条件温和,且能大大拓宽聚硅烷的功能化。本文就聚硅烷的电化学合成的实施方法;影响因素包括电解槽类型、电...     

聚硅烷研究进展：（I）聚硅烷的合成及应用

聚硅烷的合成及应用因可溶性聚硅烷的发现而成为聚合物研究的又一热点。本文综述了聚硅烷合成与应用的近期发展。     

Diels-Alder反应在硅橡胶工业及聚硅烷化学中的应用

本文总结了Diels—Alder反应在硅橡胶加工和聚硅烷合成方面的应用,其中包括:(一) 利用该反应合成了含多苯苯基或稠环的硅橡胶交联剂和耐热助剂;(二) 通过该反应建立了硅橡胶新型硫化体系,不外加催化剂;(三) 通过该反应合成了含多苯苯基或稠环的有机硅单体,进而制出许多新型聚硅烷;(四) 探讨了影响硅橡胶各种性能的因素及大芳基对聚硅烷性能的影响。     

主链掺杂氧原子聚硅烷的研究进展

介绍了一类新型有机硅聚合物主链掺杂氧原子聚硅烷的合成与性质.该类聚合物是通过氧原子有规律地插入聚硅烷主链,形成具有氧杂低聚硅烷的序列结构(-[(SiMe2)mO]n-).聚合物的主链呈现了聚硅烷以及聚硅氧烷的杂化体结构.通过对此类聚合物性质的研究,能够获得有关此类聚合物行为的知识,从而进一步促进人们对聚硅烷和聚硅氧烷化学性质的了解.总结了此类聚合物的两类有效合成方法:通过α,ω-二功能基封端的线性硅烷低聚体缩聚反应法以及氧杂环硅烷单体的开环聚合反应法,包括氧杂环硅烷单体的开环聚合平衡和反应机理.讨论了此类聚合物的表征、热稳定性及其结构形态.在结论部分展望了此类聚合物的预期应用前景.     

金属-聚硅烷-硅结构的电容－电压特性

设计了metal-polysilane-silicon (MPS)结构.首次发现MPS结构具有电容-电压（C－V）特性,许多MPS结构的C－V曲线平带电压为正,且其C－V特性与聚硅烷枝化度一致,即随着聚硅烷枝化度提高,MPS结构C－V曲线明显向电压轴正向漂移.聚硅烷MPS结构有望设计成测定聚硅烷枝化度装置.     

含N、S官能基聚硅烷*

综述了近年来含N、S官能基聚硅烷的研究进展。介绍了吡啶、联吡啶、吡咯等含N官能基与噻吩、硫代官能团等含S官能基取代聚硅烷的制备和光电性能表征,概括了含N,S官能团聚硅烷的分子设计、物理性能与应用领域。最后展望了含N、S官能团聚硅烷研究的发展方向与应用前景。     

聚四氟乙烯微粉辐照接枝苯乙烯的XPS研究

聚四氟乙烯微粉辐照接枝苯乙烯的ＸＰＳ研究许观藩，罗云霞，杨弘（中国科学院长春应用化学研究所，长春，１３００２２）关键词聚四氟乙烯，苯乙烯，表面接枝，ＸＰＳ用辐照方法在疏水性高聚物材料表面接枝聚合亲水性单体，可以达到改性的目的．文献中所用的高聚物材料包...     

复合氧化物LaMn1-xFexO3(x=0-1)的XPS研究

用XPS方法研究了具有ABO3结构的LaMn1-xFexO3（x＝0－1）氧化物的氧化还原性能、表面组成和吸附氧种．样品经还原和再氧化处理后，Mn2p和Fe2p结合能的变化对Fe和Mn之间发生的氧化还原提供了明显的证据．可表示如下：Me4＋＋Fe（3－δ）→Mn（4－δ）＋＋Fe3＋通过计算机用三种氧物种（OⅠ，OⅡ和OⅢ）对O1s峰进行拟合，确定了每种氧物种的状态．同时，以氧物种含量随还原、再氧化的变化，确定了发生在表面上的氧化还原反应同OⅠ和OⅡ吸附氧物种有关．在此基础上，对吸附位与氧之间的电子转移过程进行了讨论．     

La1—xMxCoO3（M=Ca,Sr）还原性的研究

以XPS和XRD手段研究了La_(1-x)M_xCoO_3复合氧化物的还原性质,得到还原程度次序为La_(1-x)Sr_xCoO_3>La_(1-x)Ca_xCoO_3>LaCoO_3;相同离子取代系列随x增大,还原容易进行,探讨了取代钴酸镧的氢还原机理。     

聚ε-己内酯/聚氯乙烯球晶表面的XPS研究

聚合物薄膜在微电子领域中的应用日益增加.聚ε-己内酯/聚氯乙烯（PCL/PVC）是研究得最广泛的聚合物共混薄膜之一.PCL与PVC以一定比例混合时,可以形成环带球晶；同时,体系分为结晶PCL相及PCL/PVC非晶混溶相.用XPS和成象XPS分析技术,对PCL/PVC膜的表面化学组成和元素分布情况进行了研究.观察到PCL在薄膜表面富集.此外,成象XPS表明,PVC在球晶边界处富集,且球晶边界宽度约15 μm.     

CHARACTERIZATION OF NOVEL POLYMERIC INTERMEDIATE POLY（p-BROMOACETYL STYRENE） CROSSLINKED BY DIVINYLBEZENE

Acetyl crosslinked polystyrene (EPS) and crosslinked bromoacetyl polystyrene (BEPS)beads were synthesized by Fridel-Crafts acetylation of polystyrene (PS) and bromination of EPS respectively. FTIR, XPS, and TG-TDG were employed to characterize their structures. The results revealed there are two types of bromine in the BEPS molecule. One is in the main chain of polystyrene and the other is in the acetyl. The results of TG-DTG showed that the rates of loss weight of PS, EPS, and BEPS were 92.7%, 92.2%, and 81.3% among the 300 ℃～500 ℃; 7.3%, 7.8%, and 18. 7% in 594 ℃, 660 ℃, and 584.8 ℃, respectively.     

稀土取代的复合氧化物Eu_（0．5）RE_（0．5）Fe_（0．5）Mn_（0．

利用固相反应合成了稀土取代的复合氧化物Ｅｕ_（０．５）ＲＥ_（０．５）Ｆｅ_（０．５）Ｍｎ_（０．５）Ｏ_３（ＲＥ＝Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ）．测量了这些化合物的ＸＲＤ和ＸＰＳ谱。在ＸＰＳ研究中发现，稀土取代而使稀土元素本身的结合能相对于其倍半氧化物中的有所降低；在取代的复合氧化物中，随着ＲＥ离子半径的减小，Ｆｅ、Ｍｎ的结合能随之增加。     

La1—xMxCoO3（M=Ca,Sr）表面状态的XPS研究

合成了一系列钙钛矿复合氧化物La_(1-x)M_(?)CoO_3(M=Ca,Sr),并用XPS研究了LaCoO_3中的La~(3+)部分被Ca~(2+)或Sr~(2+)取代后表面状态的变化。由XPS的O_(10)谱图拟合得到的吸附氧O(2)百分数与取代量x呈现规律性变化。对Ca_(2p)与Sr_(3d)谱图也进行峰拟合处理,其中结合能较高的Sr(2)、Ca(2)可指认为周围有氧离子缺位物种。Ca(2)或Sr(2)百分数与吸附氧百分数的关系可用取代后表面状态的变化来解释。     

聚硅烷的合成及应用

聚硅烷以其独特的光电性质和潜在用途引起了人们极大的兴趣,成为材料科学的研究热点之一。本文拟对聚硅烷合成及应用的研究进展作简要评述。     

XPS和TOF—SIMS在硬盘驱动器（HDD）磁头表面微污染分析中的应用

XPS和TOF－SIMS表面分析仪器联用分析磁头臂焊接位表面有机微污染物成分,找出污染物的来源;XPS能够提供污染物中元素组成及价态信息,而TOF－SIMS能够提供其分子信息。试验证明两者联用是分析表面有机微污染物强有力的手段。     

Lead underpotential deposition on Au(110)

The electrochemical underpotential deposition (UPD) of lead on Au(110) was investigated by XPS using a custom‐built ultrahigh vacuum apparatus containing a chamber for electrochemical studies. A two‐step deposition process for lead UPD was confirmed. A large increase in the surface concentration of oxygen was found in solutions containing lead. The presence of lead was detected on the gold surface at all potentials within the range investigated (?500 mV to 1500 mV vs. Ag/AgCl). Degradation of chlorine by x‐rays was observed. The change in surface components with potential was investigated and linked to models of UPD and oxidation. The initial random deposition of lead from solution led to surface disordering. Copyright © 2003 John Wiley & Sons, Ltd.