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近年来氧化铝模板电沉积功能纳米材料的技术得到了较快的发展.综述了氧化铝模板电沉积功能纳米材料的最新研究方法,介绍了国内外氧化铝模板电沉积法在制备功能纳米材料上的应用. 相似文献
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复合软模板法可控制备红毛丹状AlOOH/Al2O3纳米材料 总被引:1,自引:0,他引:1
以Al(NO3)3为铝源,尿素为均相沉淀剂, 在聚乙二醇400(PEG4000)-DL-天冬氨酸形成的复合软模板体系中, 通过简单的常压回流方式成功合成出形貌和尺寸较为均一的红毛丹状γ-AlOOH纳米结构, 继而考察了反应物和添加剂用量对前驱体形貌和尺寸的影响, 并对γ-AlOOH纳米结构可能的形成机理进行了探讨. 实验结果表明, 所合成的红毛丹状γ-AlOOH具有球中球的核壳结构, 统计得内球直径约为400 nm, 外壳外径约为600 nm, 密集状态的壳层厚度约为15 nm, 毛刺状凸出物长度可达60 nm以上. 前驱体样品经600℃煅烧5 h后即转变为具有良好形貌继承性的γ-Al2O3, Brunauer-Emmett-Teller (BET) N2-吸附实验表明其比表面积高达299.97 m2·g-1. 相似文献
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本文围绕近年来基于配位聚合物的纳米材料可控合成的研究工作,包括配合物纳米材料和以其为前体制备各种氧化物、硫化物等半导体材料和磁性材料。总结了配合物纳米材料的制备主要有液相法、微乳法、扩散法、界面反应法、水热/溶剂热法、高温裂解法等及应用方面的研究进展,并展望了配合物纳米材料今后可能的发展方向。 相似文献
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采用电化学沉积法,在阳极氧化铝(AAO)模板中成功制备出CdSe纳米管和纳米线。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射分析(XRD)和能量色散X射线光谱仪(EDS)对材料的形貌、结构和元素组成进行了表征。借助紫外-可见吸收光谱等对材料光催化活性进行了研究。结果表明:通过控制沉积电量可成功制备CdSe纳米管和纳米线;CdSe纳米材料为立方晶型与六方晶型的混合,经350℃退火处理后,CdSe纳米材料中由立方晶型向六方晶型转变,光照开路电位差值明显增强,在0 V(vs SCE)电位下的光照电流密度也有所提高,光电转换性能增强;CdSe纳米线的吸收边在710 nm左右,禁带宽度约为1.85 eV,CdSe纳米管相对于CdSe纳米线具有更高的光电转换性能和光催化活性,经7 h光照后,罗丹明B降解效率高达53.93%,另外,本文还讨论了CdSe纳米材料在AAO模板孔壁的生长机理。 相似文献
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采用电化学沉积法,在阳极氧化铝(AAO)模板中成功制备出CdSe纳米管和纳米线。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射分析(XRD)和能量色散X射线光谱仪(EDS)对材料的形貌、结构和元素组成进行了表征。借助紫外-可见吸收光谱等对材料光催化活性进行了研究。结果表明:通过控制沉积电量可成功制备CdSe纳米管和纳米线;CdSe纳米材料为立方晶型与六方晶型的混合,经350℃退火处理后,CdSe纳米材料中由立方晶型向六方晶型转变,光照开路电位差值明显增强,在0 V(vs SCE)电位下的光照电流密度也有所提高,光电转换性能增强;CdSe纳米线的吸收边在710 nm左右,禁带宽度约为1.85 eV,CdSe纳米管相对于CdSe纳米线具有更高的光电转换性能和光催化活性,经7 h光照后,罗丹明B降解效率高达53.93%。另外,本文还讨论了CdSe纳米材料在AAO模板孔壁的生长机理。 相似文献
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一维聚苯胺纳米材料具有电导率高、环境稳定性好、分散性好、比表面积大、扩散路径短等独特性能以及易于大量生产和成本相对低廉等优点,在传感器与传动器、防腐涂料、电磁屏蔽等领域应用潜力大,成为目前研究最为广泛的导电聚合物纳米材料之一,其制备方法也日益成为研究的热点。综述了近年来一维聚苯胺纳米材料制备方法的最新研究进展,介绍了模板法、非模板法和电纺法等制备方法,并对各种不同制备方法的优缺点进行了比较分析。 相似文献
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以聚苯乙烯-马来酸酐为模板,合成了CdS,CdS︰Mn,ZnS,ZnS︰Mn及ZnS︰Tb纳米微粒.紫外吸收光谱表明所得微粒尺寸均匀,TEM结果显示CdS纳米微粒的尺寸为2.5 nm.从荧光光谱观察到掺杂离子的特征发射峰,证实了基质到掺杂离子的能量传递.通过红外光谱研究了聚合物与金属离子的键合作用,金属离子首先与聚合物的羧基配位,生成硫化物纳米微粒后,聚合物又包覆在纳米微粒的表面形成保护层. 相似文献
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石墨烯纳米带是宽度为纳米尺度的石墨烯条带,根据其边缘构型的不同可以分为锯齿型石墨烯纳米带和扶手型石墨烯纳米带.纳米尺度导致的量子限域效应和边缘构型引起的边缘效应能够调节石墨烯纳米带的电子结构,打开石墨烯的带隙.而且,石墨烯纳米带具有极大的长宽比和极高比例的边缘原子,为通过结构裁剪实现功能定制提供了无限可能.这些几何和电子结构特性使得石墨烯纳米带在电子器件等诸多领域比石墨烯具有更大的应用潜力,因此,石墨烯纳米带的相关研究一直是纳米材料领域的热点.基于此,本综述首先介绍了石墨烯纳米带的结构和性质,全面介绍了石墨烯纳米带的制备方法,相应的制备方法可以分为两部分:(1)自上而下法:通过等离子体、离子束、扫描隧道显微镜和金属纳米颗粒对石墨烯和碳纳米管进行刻蚀和切割,制备石墨烯纳米带.该方法面临最大挑战在于如何提高刻蚀和切割精度.(2)自下而上法:利用含碳前驱体,如有机化合物、碳氢化合物气体以及碳化硅等,制备石墨烯纳米带.该方法利于实现原子精度的结构控制,尤其是化学气相沉积法有望实现低成本、规模化制备.最后展望石墨烯纳米带研究的挑战和前景.我们相信,随着材料和技术的创新发展,石墨烯纳米带必将成为一... 相似文献