带有功能侧链的聚马来酸单酯类聚合物的合成

利用聚合物直接制备LB膜引起了人们广泛的兴趣,为了采用於不同挂膜方法制备均匀的功能LB膜,要求聚合物除了是双亲性的、带有特定的功能基团之外,还应具有适当的分子量,为此,一般都采用含功能基的单体与亲水性单体共聚的方法来制备。     

一种通过分子间氢键自组装的侧链液晶聚合物

一种通过分子间氢键自组装的侧链液晶聚合物邢佩祥，赵英英，汤心颐，姜炳政（吉林大学化学系，长春，１３００２３）（中国科学院长春应用化学研究所高分子物理开放实验室）关键词氢键，侧链液晶聚合物，近晶相，自组装自Ｒｉｎｇｓｄｏｒｆ［１］等提出在介晶基团与主链...     

含长链烷基的单羧基卟啉的合成及LB膜特性

近年来,国际上对有机光电子材料的研制和开发已成为热门课题。具有优良光电特性的卟啉分子的合成及其LB膜的结构和特性的研究,已引起人们的重视。本工作设计和合成了一种新型的含长链烷基的单羧基双亲性卟啉(Ⅳ),其结构见下图,它能在水面上展开成稳定的单层膜,并且进一步研究了这种超薄膜的结构和性质。     

氢键诱导聚马来酸单酸液晶复合物的合成及表征

合成了聚马来酸６－（４－辛氧基偶氮苯氧基）在－己酯，并以其为质子给体，４－（４－庚氧基苯甲酰氧基）－苯乙烯基吡啶为质子受体，研究了两者复合前后的液晶行为。     

氢键诱导聚马来酸单酯液晶复合物的合成及表征

合成了聚马来酸６－（４－辛氧基偶氮苯氧基）－１－己酯（ＰＭＡＮ－ＯＡＢ），并以其为质子给体，４－（４－庚氧基苯甲酰氧基）－苯乙烯基吡啶（７ＳＺ）为质子受体，研究了两者复合前后的液晶行为，结果表明，ＰＭＡＮ－ＯＡＢ在液晶态时是以羧酸二聚体形式存在的，其倾角为３９．３°，７ＳＺ含量在４０％～９０％范围内的复合物液晶范围比７ＳＺ和ＰＭＡＮ－ＯＡＢ的宽。     

不同羧酯化的聚马来酸十八醇酯齐聚物的镉盐LB膜成膜特…

由聚马来酸酐和十八醇合成了一系列不同羧酯比的聚马来酸十八醇酯，并以其为成膜材料，ＣｄＣｌ２水溶液为亚相制备了一系列聚马来酸十八醇酯镉盐ＬＢ膜，借助小角Ｘ射线衍射和红外吸收光谱表征了成膜条件及羧酯比对ＣｄＰＭＡ膜有序结构的影响。在较高膜压和快速提拉条件下，低羧酯比的ＣｄＰＭＡ可得到有序性很高的Ｙ－型ＬＢ多层膜；高羧酯比的ＣｄＰＭＡ得不到高有序性的ＬＢ多层膜。     

长脂肪碳链卟啉的合成及其LB膜的制备和气敏性质研究

1983年RuaudelTeixier［’j首先合成了两类具有长脂肪碳链的双亲性叶咐，其成膜性表明，它们可以形成良好的LB膜．M6hwald‘’修合成了不对称可成股叶琳，并对其膜结构和分子间作用进行了研究．Lecomte“‘等用钴叶琳和咪吐等衍生物以混合交替形式来模拟血红蛋白的吸氧及放氧过程，发现它可作为氧的载体．Tredgold［“报道了用铜、钻、镍、锰叶琳和无金属叶琳的LB膜元件对NO。、H。S和CO进行检测，发现铜叶琳对NO。有很高的敏感性，而对其它气体则无反应，显示出良好的选择性．本文在合成6种长脂肪碳链的双亲性叶琳化合物的基础上，…     

N-氨基甲酰马来酸接枝聚天冬氨酸聚合物的合成及其阻垢性能研究

以聚琥珀酰亚胺(PSI)和N-氨基甲酰马来酸为原料,合成N-氨基甲酰马来酸接枝聚天冬氨酸聚合物(PASP-NCA)阻垢剂.通过红外光谱和核磁共振氢谱对PASP-NCA结构进行表征.采用静态阻垢法评价该阻垢剂的阻CaCO3垢性能.通过扫描电子显微镜探讨CaCO3垢晶体形貌的变化.结果表明,相对于纯聚天冬氨酸(PASP),...     

含光功能基团聚合物LB膜的研究进展

本文在简要介绍含光功能基团聚合物ＬＢ膜之后，详细回顾了功能化ＬＢ膜体系光物理过程的研究，总结了含非线性光学基团聚合物ＬＢ膜的研究现状。最后，简要介绍了它们的应用前景。     

非对称八烷氧基取代酞菁聚硅氧烷的合成及其单分子膜

非对称八烷氧基取代酞菁聚硅氧烷的合成及其单分子膜穆劲，夏强，华玉晶，周伟东，肖童（山东大学胶体与界面化学研究所，济南，２５０１００）关键词酞菁聚硅氧烷，ＬＢ膜，π－Ａ曲线酞菁化合物是具有高稳定性的大π键共轭体系。目前，酞菁ＬＢ膜研究大多采用单体小分子...     

手性丙烯酸酯侧链液晶聚合物液晶行为的聚合物效应

研究了手性丙烯酸酯侧链液晶聚合物聚４ 丙烯酰十一烷氧基 ４′ ［Ｓ（ ） ２ 甲基丁氧基］ 联苯（ＰＡ １１）的分子量对其液晶行为的影响，结果表明，ＰＡ １１的相变温度随聚合度增大而升高，当聚合度大于１５以后，分子量对相变温度影响不明显，低聚合度的ＰＡ １１只表现出双向性的ＳＡ相，而聚合度大于７的ＰＡ １１不仅具有双向性ＳＡ相，而且还表现出双向性ＳＣ相；分子量分布对ＰＡ １１的液晶相转变也有影响     

聚丙烯酸酯侧链液晶聚合物的合成与表征

以对羟基苯甲酸、氯乙醇和丙烯酸为主要原料,经醚化、酯化和酰氯化反应合成了中间体和含液晶基元的丙烯酸酯单体,后者经自由基聚合合成了聚丙烯酸酯侧链液晶聚合物。用偏光显微镜观察了单体和聚合物的织态结构,用DSC和IR对聚合物进行了表征。结果表明,单体和聚合物均呈现向列型液晶织态结构,聚合物在较宽的温度范围内有很好的液晶性。     

水溶性聚合物和两亲聚合物 16.聚苯乙烯/聚丙烯酰胺嵌段聚合物的合成和表征

采用聚偶氮酯引发剂,合成了聚苯乙烯/聚丙烯酰胺嵌段聚合物(PSt/PAM)。考察了含偶氮基聚苯乙烯预聚物(pre-PSt)在1,4-二氧六环中引发AM的聚合反应行为,讨论了影响第二单体转化率和聚苯乙烯均聚物含量的因素。用元素分析、溶解性、红外光谱、DSC、TG和裂解色谱表征了PSt/PAM嵌段聚合物。     

新型LB成膜材料—两亲性侧链取代酞菁锌的合成

本文合成了一种新型的两亲性硬脂酸侧链取代的酞菁化合物。利用LB膜技术制备了致菁化合物与正十六烷混合的单层和多层LB膜,LB膜内酞菁分子大环与基片大体平行,表明该分子具有良好的成膜性能。     

聚合物的LB膜

简要介绍了聚合物LB(Langmuir -Blodgett)膜的制备装置和制备过程。同时对聚合物LB膜这一门学科最新的进展和应用前景做了较为详尽的介绍和论述。目前 ,随着对LB膜的研究深入 ,在对小分子LB膜、可聚合LB膜、聚合物LB膜的成膜研究中引入了将几种方法优点综合起来的新的成膜方法 ,并已成为研究热点     

两亲性杂侧链聚合物刷的合成及其乳化功能

报道了一种随机高密度接枝亲水、疏水聚合物侧链的刷形两亲性聚合物.首先,结合可逆加成-断裂链转移(RAFT)聚合和后修饰方法,得到含叠氮侧基的聚甲基丙烯酸缩水甘油酯(PGMA-N3)作为主链;再分别合成端炔基聚苯乙烯(PS)和端炔基聚环氧乙烷(PEO),然后通过铜催化的叠氮-炔环加成反应,将疏水性PS和亲水性PEO同时高效的接到PGMA主链上,制得两亲性杂侧链的聚合物刷.由凝胶渗透色谱(SEC)分析得知,在主链叠氮基团与两侧链总炔基的摩尔投料比为1∶1的条件下,PS和PEO的接枝效率很高,都大于90%.通过调节主链长度和2种侧链的投料比,获得不同组成的聚合物刷.通过等质量的甲苯/水混合体系,考察两亲性聚合物刷的乳化能力,发现主链聚合度为100,PS∶PEO比例为70∶30的聚合物刷表现出最佳的乳化性能.     

含mPEG侧链的水溶性梳状聚合物的合成及其侧链受限结晶行为研究

采用大单体与小单体共聚的技术,通过自由基引发溶液聚合,合成了一系列水溶性梳状聚合物———聚丙烯酸接枝聚乙二醇单甲醚(PAA-g-mPEG).制备过程分两步进行,首先合成大单体聚乙二醇单甲醚丙烯酸酯,然后将大单体与丙烯酸单体共聚,合成了梳状聚合物.通过控制反应条件,获得了一系列主链和支链组成比不同的接枝共聚物.用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)和核磁共振氢谱(1H-NMR)表征了共聚物的结构,并对其侧链的结晶行为进行了研究.采用差热扫描量热法(DSC)表征并分析了不同侧链长度的mPEG的热性能及其结晶情况.利用相差显微镜和原子力显微镜(AFM)观察薄膜的结晶形貌,表明梳状聚合物的侧链mPEG在受限条件下的薄膜结晶形貌为高度支化的晶体,初步分析了mPEG链长及其在共聚物中的重量百分含量对晶体形貌的影响.     

可交联LB膜的研究（Ⅰ）：聚—L—谷氨酸—5—（6′—己二醇肉桂酸酯）酯的合成,表面

合成了一种新的聚合物聚Ｌ－谷氨酸－５－（６′－己二醇肉桂酸酯基），研究了它在空气／水界面的行为，形成ＬＢ膜能力，液晶性质及光交联反应。     

刺激响应型功能聚合物的合成及应用

刺激响应型聚合物是一类功能性聚合物,它在药物控制释放、基因载体、纳米粒子以及纳米反应器等众多领域具有广阔的应用前景,因此引起了越来越多科学工作者的关注。刺激响应型聚合物多为双亲性聚合物,可通过自组装的方式得到形态各异的聚集体,如胶束、囊泡等。在受到某些外界环境刺激时,它们会产生特异性响应,尤其是功能性聚合物嵌段会发生相应的变化,从而引起整个聚合物结构的相转变和体积相转变。根据环境刺激种类的不同,刺激响应型聚合物可以分成不同类型,本文主要介绍了pH、温度、光、分子、电化学和手性等响应型聚合物,并概括了它们的结构特点以及不同的合成方法,简单说明了它们具有刺激响应功能的作用机理,阐述了结构与性能的联系。另外,还介绍了它们的潜在应用,并对此类聚合物的发展前景作了展望。     

聚马来酸偶氮萘己单酯LB膜对n—Si（100）的光敏化作用

合成了聚马来酸{6-[4-(1-偶氮)-萘氧]己基}单酯功能化合物,并在不同基底(CaF_2,n-Si(100))上沉积其LB膜,利用UV-Vis和IR光谱对膜性质和结构进行了表征.对膜修饰表面的硅片表面光电压谱测试发现,它对单晶硅具有很强的敏化作用.对界面电子过程也进行了初步讨论.