先进的等离子增强化学汽相淀积系统

随着集成电路的制造向着高可靠和微细化方向发展，能低温生长优质薄膜的等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺越来越受到重视。它不仅能满足硅集成电路亚微米级线宽工艺的要求，而且能满足其它电子产品薄膜淀积的要求。本文着重介绍国外一些先进的ＰＥＣＶＤ装置系统。     

佛斯隆介质膜的化学汽相淀积生长及其特性

“佛斯隆”（Pholon)是一种新型介质材料（PxNyOx)，这种材料可以用常规的化学汽相淀积（CVD）或等离子体增强化学汽相淀积（PECVD）技术制得。它不含有硅的成分，而是由氮、磷和氧组成，也有由氮磷化物组成的极端情况。这种介质材料很稳定，几乎与半导体工业中常用的所有试剂都不反应，它的介电常数可以和Si3N4相美。佛斯隆介质的击穿强度为1067V／cm数量级，这比用CVD技术生长的Si3N4好得多。     

用于化学汽相淀积的硅源气体

本文述评了在化学汽相淀积中用于淀积单晶硅层、多晶硅、非晶硅、二氧化硅、氮化硅或硅化物的硅源气体的选择准则,并且详细地讨论了气流中的杂质,给出了最高杂质含量的规范。     

低压化学汽相淀积含氢氮化硼薄膜

本实验采用二硼烷(B_1H_6)和氨气(NH_(?)),在388～700℃下进行低压化学汽相淀积生成含有硼、氮、氢的膜(B_(1～3)NH),用于X光曝光掩模的基底.已测得膜的各种特性如淀积速率、电阻率、元素成份比、晶型、折射率、红外吸收光谱、应力变化、对光的透射率、化学不活泼性及等离子腐蚀速率等.     

光诱导化学汽相淀积（LCVD）技术的研究进展

光诱导化学汽相淀(?)(LCVD)技术是一种新的低温化薄膜制备技术.本文首先评述了LCVD技术的特点、原理和装置,然后着重讨论了利用这种技术制备金属、半导体与化合物和介质薄膜以及一些淀积规律,最后指出了LCVD技术尚待解决的若干问题.     

化学汽相淀积（CVD）设备的使用与维修

化学汽相淀积（ＣＶＤ）设备的使用与维修王焕杰，张克云，陈振昌（复旦大学．上海．２００４３３）自８０年代初开始，化学汽相淀积（简称ＣＶＤ）工艺及其专用设备，在我国半导体器件制造工业中逐渐推广使用。多种ＣＶＤ设备，包括ＬＰＣＶＤ氨化硅／多晶硅，ＬＰＣＶＤ...