反常光生伏打效应对铁电体光折变效应的贡献

基于和所观察到的均匀光照在铁电体中产生的特有的光折变效应的剖析及晶体铁电性的研究，对旧有的以扩散为主的光折变机制提出质疑，建立均匀光照下铁电晶体的光折变微观机制的新模型，并且用该模型成功地解释了有关实验现象。     

光折变效应和两波混频

近10年来光折变光学取得了显著的进展,它已成为非线性光学领域的重要课题。本文首先扼要地介绍光折变效应及其产生的物理机制和几种基本的光折变现象,然后较详细地叙述两波混频过程。     

光折变空间光孤子

回顾了光折变孤子的相关研究及最新进展,描述了光折变孤子的形成及特性,分析了光折变孤子形成的理论机理,展示了光折变孤子的相互作用,说明了光折变孤子的应用价值及缺陷.     

双掺杂LiNbO3晶体光折变效应研究

研究了系列不同掺杂、不同掺杂浓度、单掺杂和双掺杂以及不同后处理态(生长态、还原态和氧化态)铌酸锂晶体的透过率光谱和光折变二波耦合效应。实验结果表明，高掺杂铌酸锂样品的透过率光谱范围较窄；双掺杂样品比单掺铁样品的抗光折变效应增强，光折变效应降低。氧化态样品具有较大的透过率光谱范围；还原态样品具有较大的光折变二波耦合增益特性。     

光折变晶体Fe：LiNbO3的横向效应

本文首次报道了一种新的锥形光散射现象。当一束会聚激光油－Ｃ轴方向入射到光折变晶体时，园环形的散射光斑会演变成以入射光束为中心的两个对称亮斑。     

BaTiO_3晶体光折变效应振荡器和机理研究

在薄征Ce:BaTiO3晶体和体块Rh:BaTiO3晶体实现了光折变效应振荡器,利用前向二波耦合和相向二波耦合建立了光折变效应准线笥F－P腔模型,并从实验结果上进行了验证和分析,同时分析了光振荡现象对BaTiO3晶体的受激光折变散射自泵浦相位共轭的影响。     

低玻璃化转变温度掺杂有机聚合物体系的光折变效应

报道了一种低玻璃化转变温度掺杂有机聚合物体系中的光折变效应。研究了ＰＶＫ－Ｃ６０薄膜的光电导特性，测量了ＰＶＫ－硝基偶氮苯的电光系数。在ＰＶＫ－Ｃ６０－硝基偶氮苯－邻苯二甲酸二丁胸（ＤＢＰ）厚膜中实现了光学简并四波混频和两束耦合，在较低的场强下（１６．４Ｖ／ｕｍ），获得高达１．５％的四波混频衍射效率。实验表明了ＤＢＰ增塑剂的引入有效地增加了取向对光折变效应的贡献．提高了材料的光折变性能。     

SOI电光开关中热光效应分析

分析了 SOI(silicon- on- insulator) 2× 2电光开关工作时热光效应对等离子色散效应的影响。采用二维半导体器件模拟器 PISCES- 对器件进行了模块。结果表明 ,热光效应对等离子色散效应的影响与调制区长度密切相关 ,当调制区长度较短时 ,热光效应的影响不容忽视 ;当调制区长度大于 5 0 0μm时 ,这种影响可以忽略不计。     

偶氮苯衍生物掺杂PMMA薄膜的非共振三阶非线性研究

研究了施受体型偶氮苯衍生物掺杂聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）薄膜的非共振三阶非线性，比较分子结构与材料的三阶非线性关系，得知越大的三阶非线性对应分子内越强的给受电子能力，在苯环上接上一个侧链基团可以增加分子的偶极矩，即增加了材料的三阶非线性。研究结果证明，材料三阶非线性主要源于光致顺反异构过程中偶氮分子的重新取向。     

1064nm低电压薄膜铌酸锂电光调制器

低半波电压电光调制器是实现大规模光电集成的关键。文章提出了一种半波电压低于1.5 V的薄膜铌酸锂马赫-曾德尔(Mach-Zehnder, MZ)电光调制器,选用绝缘体上单晶薄膜铌酸锂材料作为设计基础,分析了直波导、多模干涉耦合器、弯曲波导和调制臂等结构对电光调制器的影响。结果表明,当调制臂长为3 mm时,该薄膜铌酸锂电光调制器具有1.05 V的低半波电压、0.319 dB的低损耗和27 dB的高消光比。同时,该调制器半波电压长度积为0.315 V·cm,调制效率高,具有与CMOS技术兼容的半波电压,有利于大规模光电集成。     

无外场作用下掺甲基红向列液晶光折变特性实验研究

制备了掺杂甲基红(质量分数1%)向列液晶薄膜样品,测量了Ar+激光的透过率与样品厚度之间的关系,发现激光的偏振方向与液晶指向矢方向垂直时,透射率最大。选择Ar+激光作为写入光,重点利用二波耦合实验测量了一阶衍射效率随样品厚度、入射光夹角、两束入射光光强、两束入射光光强比的变化关系,实验发现当液晶薄膜样品厚度为32μm,两束入射光夹角为2°,两束入射光光强分别为80mW/cm2且光强比为1∶1时具有最佳的全息存储实验条件。     

光生伏打效应与光折变光栅的建立

带输运模型是目前被广泛接受的光折变理论.该模型以扩散机制为主.在某些情况下加上两个修正,即有外场时的漂移机制和光生伏打效应.其中光生伏打效应被考虑为等效于外加电场.而且常常被忽略了.作者认为光生伏打效应应当总被看作与扩散相并列的光折变机制,而且在铁电晶体.如LiNbO_3.中.光生伏打效应常常超过扩散而成为光折变过程的主要机制.文中将已有的光生伏打效应的唯像理论加以扩展,对产生光折变光栅的过程给出了较全面的分析.     

一种新型有机非线性光学材料的光折效应及其产生机理

本文介绍了一种新近研制的光折聚合物。实验表明，除去吸收和反射，入射光束经聚合物后的第一布拉格衍射效率高达８６％，材料也显示出双光束耦合的净增益高于２４０ｃｍ＾－１。这些结果表明，这种新型研制的光折聚合物材料是替代无机光折晶体的实用材料。     

IPC-E掺杂聚合物polysulfone薄膜电光系数的测量

制备了以生色团IPC-E为客体的掺杂型有机聚合物polysulfone薄膜样品,对其进行了接触极化。电光聚合物极化后的电光系数是聚合物波导的重要参数。利用基于简单反射法的聚合物薄膜电光系数测量系统对极化样品进行了测量,得到极化聚合物薄膜的电光系数为37pm/V左右,随后又对误差产生的原因进行了详细的分析。这为进一步研究有机聚合物光波导器件创造了条件。     

利用电光效应实现方位信息传递的理论与误差分析

本文设计了一种利用晶体的线性电光效应获取发射和接收两部分装置间相对转动的方位信息的光学系统，推导了出射的о光和e光的强度差与发射、接收两部分相对转角之间的关系，并对可能出现的误差进行了分析。     

掺铜锗酸铋晶体的生长及其光折变性能的研究

本文叙述了掺铜锗酸铋晶体的生长；测试晶体的指数增益系数、衍射效率、相位共轭反射率和响应时间。掺铜锗酸铋晶体的光折变性能比纯锗酸铋提高２～３倍。     

掺杂偶氮苯聚合物薄膜光致双折射特性

通过改变激励光光强以及激励光偏振方向与探测光偏振方向的夹角θ,研究一种新的掺杂偶氮苯聚合物薄膜光致双折射的特性。实验结果表明该掺杂偶氮苯聚合物薄膜在低激励光强下具有良好的光信息储存性能,是一种很有潜力的光储存材料。对有关实验结果作出了定性的解释。