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基于微加工技术的微流体系统是微机电系统(MEMS)的一个重要分支,可广泛应用于航空航天、生物、医学、化工、电子等领域。本文主要综述了微流体系统中的微型泵结构、工作原理以及国内外研究现状。 相似文献
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在介绍离子敏场效应晶体管(ISFET)传感器的应用和基本工作原理的基础上,阐述了集成化ISFET传感器的研究现状,包括ISFET敏感膜及其制造工艺与CMOS兼容性研究、集成化读出电路、多传感器集成等方面。展望了ISFET传感器的研究趋势,认为在以下方面值得探索和研究:敏感膜是把化学变量转换为电学变量的关键;高性能读出电路的研究;集ISFET、读出电路及后端信号处理电路于一体的低功耗ISFET传感器的系统集成;多功能、智能化的多传感器集成;研究集微传感器、微执行器、信号处理和控制电路、接口电路、通信系统以及电源等于一体的微机电系统(MEMS);ISFET微传感系统的数字化集成等。 相似文献
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微机电系统(MEMS)是在微电子及微机械等学科基础上发展起来的新兴多学科交叉研究领域,是当今科学技术最具潜力的发展方向之一,而微型流体分析系统是这一研究领域中的热点。本文综述了MEMS技术以及作为MEMS技术一个重要研究方向的微型流体分析系统的起源及其广阔的市场应用前景.并对MEMS产品的市场化存在的问题进行了讨论。MEMS技术及微型流体分析系统的诞生必将对今后的化学、医学及生物学等领域的研究工作产生重大影响。 相似文献
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针对SiC高温MEMS压力传感器易受温度影响,产生零点漂移、测量误差增大等问题,设计了一种温度控制系统,根据科恩-库恩公式建立了系统的数学模型,采用参数自整定PID控制算法,克服了纯PID控制有较大超调量的缺点,实现了一个温度控制系统。利用Matlab仿真软件的Similink模块建立系统的仿真模型,通过仿真和测试验证系统满足设计要求。解决了大温度范围下压力传感器难以补偿的问题,使得压力传感器在高温环境下的应用得以实现,提高了压力传感器的稳定性。 相似文献
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本文提出了一种新型ISFET库仑滴定系统,通过实验研究和分析,证实了其突出优点是测量的稳定性和重复性好、等效平均时漂比性能优异的pH-ISFET降低了约2个数量级。采用该系统可以大幅度降低对于ISFET性能的要求、提高器件的互换性、实现参比电极的微型化。 相似文献
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针对地质灾害发生时周围地质层都会受到不同程度的振动的特点,在当地质灾害发生时监测其振动情况,为了给人们争取逃生时间,在此基于MEMS加速度传感器和GPRS模块,采用MSP430单片机设计了一种小型、快速、低功耗的振动监测报警系统,给出了系统的基本结构和电路实现的解决方案。试验结果表明本系统灵敏、可靠。 相似文献
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Wen-Yaw Chung Yeong-Tsair Lin Chung-Huang Yang Alfred Krzyskow 《Microelectronics Journal》2006,37(10):1105-1114
An integrated and new interface circuit with temperature compensation has been developed to enhance the ISFET readout circuit stability. The bridge-type floating source circuit suitable for sensor array processing has been proposed to maintain reliable constant drain-source voltage and constant drain current (CVCC) conditions for measuring the threshold voltage variation of ISFET due to the corresponding hydrogen ion concentration in the buffer solution. The proposed circuitry applied to Si3N4 and Al2O3-gate ISFETs demonstrate a variation of the drain current less than 0.1 μA and drain-source voltage less than 1 mV for the buffer solutions with the pH value changed from 2 to 12. In addition, the scaling circuitry with the VT temperature correction unit (extractor) and LABVIEW software are used to compensate the ISFET thermal characteristics. Experimental results show that the temperature dependence of the Si3N4-gate ISFET sensor improved from 8 mV/°C to less than 0.8 mV/°C. 相似文献
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提出了一种具有"8悬臂梁-质量块"结构的新型三明治式硅微机械电容式加速度计,用微机械加工工艺在(111)硅片上制作出了具有信号输出的器件.该加速度计的惯性质量块由同一(111)硅片上下表面对称分布的8根悬臂梁支撑.这些悬臂梁是利用(111)硅在KOH溶液中的各向异性腐蚀特性结合深反应离子刻蚀(DRIE)实现的,其尺度精确可控,保证了结构的对称性.该加速度计的谐振频率为2.08kHz,品质因子Q为21.4,灵敏度为93.7mV/g. 相似文献