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本文用DLTS测量了P型硅MOS结构Si-SiO2界面的缺陷,发现了一个主界面缺陷Hit(0.503),其特点是:在测量温度范围内,它的平均空穴离化吉布斯自由能ΔGP≥0.503eV;当栅压使Si-SiO2界面处Fermi能级与硅价带顶的距离明显小于ΔGP时,它仍然具有很高的DLTS峰;随着半导体表面电位势的缩小,它的空穴表现激活能明显增大;它对空穴的俘获过程造成合脉冲宽度的多指数电容瞬态,难于用有限宽度的脉冲电压引进的空穴对其作饱和填充。上述实验结果表明:热氧化生长形成的Si-SiO2系统的能带是从共价键硅的能带连续过渡到SiO2的能带;Hit(0.503)分布在其中的过渡区中,它的能级与价带的距离随着离开硅表面越远而越大。 相似文献
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本文在带-带激发条件下,研究了15—150K范围内GaP:N中束缚激子发光与温度的关系。用发光动力学的方法,分析了掺N浓度不同、无辐射复合强弱不同的样品中各发光中心之间的能量转移过程以及同束缚机制相关的发光热猝灭过程。结果表明,无辐射复合在转移和热猝灭过程中超重要作用。由于无辐射复合几率随温度升高而增大,发光热猝灭的表观激活能比发光中心本身热离化的激活能偏大,而且,能量转移越显著,所得的表观激活能越大。对于NN1和NN3中心,发光热猝灭规律的具体分析结果完全符合HTL模型。 相似文献
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借助于新引进的算子B, 本文给出了BKP 与CKP 可积系列约束条件在其Lax 算子L中的动力学变量上的具体体现, 即奇数阶动力学变量u2k+1 能被偶数阶动力学变量u2k 显式表达. 同时本文给出了BKP 与CKP 可积系列的流方程以及(2n + 1)- 约化下递归算子的统一公式, 揭示了BKP 可积系列和CKP 可积系列的重要区别. 作为例子, 本文给出了BKP 与CKP 可积系列在3- 约化下的递归算子的显式表示, 并验证了u2 的t1 流通过递归算子的确可以产生u2 的t7 流, 该流方程与3- 约化下产生的对应流方程是一致的. 相似文献
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本文用X光衍射测量了低温凝聚InSb膜相变过程中的结构,并同时测得在该结构下相应的电导。X光衍射指出,具有最高Tc的结构是六方晶系InSb相,它相应于125 kbar下的InSb结构。本文提出一个类半导体相和亚稳金属相的混合态导电模型,按此模型作了理论计算,理论较好地符合实验测得的电导温度关系并较好地解释了超导相交的反常。我们还从实验上测得亚稳金属相InSb膜和非晶态半导体InSb迭层膜的行为,解释了InSb膜亚稳中间相的Tc。 相似文献
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本文实验研究了两层流体之间的密度界面上的粒子覆盖层和上层湍流混合层中的悬浮粒子对湍流扩散的影响。实验结果表明,其影响是显著的。湍流扩散距离D以时间t的k次幂变化:D=Btk,其中k与覆盖层的相对厚度(?)p有关即(?)=0.200—0.130(?)p;对于上层有悬浮粒子和纯两层流体,(?)p为零,k为0.200,两者D的变化规律一样,只是有悬浮粒子的k值较纯两层流体的小。湍流的无量纲扩散速率可归结为E=KRil-n,这里n=1.5+0.93(?)p,(?)p越大E值下降越快。这说明覆盖层改变了扩散速率的指数变化律,对湍流扩散有较大的阻碍作用。悬浮粒子的作用只是减小K值,其E的变化规律同纯两层流体的一样。本文还对湍流混合和扩散机制作了讨论。 相似文献
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在评述了现有的连续介质损伤力学(CDM)的严重缺陷之后,基于所提出的损伤对本构关系影响的物理机制和模型及在ε_(TqD)空间中对损伤材料不可逆过程的热力学描述,本文提出了一组新型的弹塑性损伤本构方程。该方程符合本文第一作者所提出的耗散型材料本构方程形式不变性定律的条件,以及Lemaitre,Valanis的本构方程和经典塑性理论的主要结果可由它在简化条件下推出的属性。文中还简略提到了损伤演化方程、有限元算法、材料函数确定方法及其在弹塑性损伤场分析中的初步应用。文末强调了内蕴表征时间z*和φ在εTD与εTq)子空间中分析复杂的损伤与非弹性变形耦合问题时的重要价值;并将本文所提出的模型推广得到了纤维增强复合材料的损伤本构方程。 相似文献
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本文通过差分比热测量,在连续升温条件下研究了金属玻璃Zr66.7Ni33.3的结晶化行为。发现:随着升温速率的增大,不仅使结晶化温度向高温方向移动,完成整个结晶化过程的温区明显地被加宽;而且其放热曲线从单峰结构过渡到双峰结构,两个峰的相对高度也发生消长变化。对一些从典型状态快速淬火的样品作X射线衍射分析,其结果表明:所包含的结晶相均为四角结构的 Zr2Ni。可以认为:所观测到的现象很可能是与结晶化过程中结晶成核和生长的不同速率相联系的。 相似文献
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本文从已知实验事实的理论分析,包括使用EHMO量子化近似计算及反应速率方程的推导等理论分析方法,提出了氮的活化、氢的活化、28N2—30N2同位素交换的机理.并提出氮的分子吸附以及H+δ对吸附N2-δ作用生成NH_x是氨合成反应的二个决定性步骤.N2-δ与NHx的相对含量决定于催化剂组成和反应条件(温度、压力、原料组成).文中根据微观分子催化作用机理,推导出相应的动力学方程式,该方程形式上与Temkin推广式一致,二者仅差一氢吸附常数项,但微观作用机理与某些动力学参数的物理意义则有重要的不同. 相似文献
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, 本文研究了Y-TZP陶瓷中ZrO2晶粒大小对ZrO2相组成和应力诱导下可相变的四方相含量以及材料力学性能的影响。发现在样品中四方ZrO2的含量并非随晶粒尺寸减小而单调地增加。实验结果是当ZrO2晶粒大小在一最佳晶粒尺寸范围内时,样品中四方ZrO2的含量和在应力诱导下可相交的四方相含量都最高,同时材料的强度与断裂韧性也最佳。对于相同组分的Y-TZP样品来说,断裂韧性与应力诱导下可相变的四方相含量之间有线性关系。本文研究了ZrO2相变的热力学关系和四方ZrO2相变对断裂韧性所起作用的关系式,并以此对上述实验结果作了合理的讨论。本文的实验结果与理论分析可很好地相互映证。 相似文献