小角X射线散射技术研究非晶合金回火过程中结晶-非晶两相系统比内表面

本文应用小角X射线散射技术(SAXS),结合广角X射线衍射(WAXD)确定了Cu₇₃Sn₆Ni₆P₁₅非晶合金经过473K回火后形成的结晶-非晶两相系统的比内表面.结果表明这个非晶合金在473K回火过程中,当回火时间从5min增加到4h时,两相系统比内表面从144m²/cm³减少到96m²/cm³.本文确定出的两相系统比内表面的误差约为7％.     

X射线吸收精细结构的原子集团多重散射理论

本文以电子散射的动力学理论为基础,用一个原子集团模拟吸附表面样品,发展了用于研究近边X射线吸收精细结构的原子集团多重散射理论方法(MSC)。我们将MSC方法应用于结构已知的气相CO分子以及CO-Ni(001)表面,求得结果与LEED和光电子衍射的一致。这表明MSC可能成为分析无序吸附系统结构的新方法。     

Pd41Ni10Cu28P21大块非晶合金结构与晶化过程

采用水淬的方法获得了Pd41Ni10Cu28P21大块非晶合金.结果表明,这一合金体系具有很强的玻璃形成能力,其约化的玻璃转变温度Trg为0.714.结构分析显示,Pd41Ni10Cu28P21非晶合金比以往所报道的Pd40Ni40P20非晶具有更接近于"冻结"液态的密堆积结构.非晶的晶化实验表明,晶化初期多种晶相同时结晶析出.低于710K退火非晶样品,亚稳相形成,继续提高退火温度亚稳相消失.此外,从热力学和动力学角度就Cu部分替代Ni对合金的玻璃形成能力的影响进行了探讨.     

非晶态合金晶化过程中的形核及核长大激活能——Ⅱ.与非晶态结构和温度的关系

本文利用第一部分提出的计算形核及核长大激活能(E_n和E_g)的方法分别测算了预退火热处理后非晶态Ni-P合金样品以及在不同温度区间内激冷非晶态Ni-P合金样品的E_n和E_g值.结果表明E_n和E_g值与非晶态合金微观结构和温度有密切的关系,非晶态合金有序程度越高,E_n和E_g值越小;晶化时的温度越高,E_n和E_g值越大.运用新近提出的晶化微观机制对这种用经典晶化机制难以解释的实验现象进行了合理的解释.     

非晶态合金晶化过程中的形核及核长大激活能——Ⅰ.计算方法

本文从非晶态合金晶化动力学理论出发,结合非晶态Ni-P合金晶化过程中的阶段激活能 E_c(x)及阶段Avrami指数n(x)随晶化转变分数的变化关系等实验结果,提出了一种计算形核激活能(E_n)及核长大激活能(E_g)的新方法.对非晶态Ni-P合金晶化过程中E_n和E_g的计算结果表明这种方法实验过程简单,所得结果精确.     

Pd41Ni10Cu28P21大块非晶合金结构与晶化过程

采用水淬的方法获得了Pd₄₁Ni₁₀Cu₂₈P₂₁大块非晶合金 .结果表明 ,这一合金体系具有很强的玻璃形成能力 ,其约化的玻璃转变温度T_rg为 0 .71 4.结构分析显示 ,Pd₄₁Ni₁₀Cu₂₈P₂₁非晶合金比以往所报道的Pd₄₀Ni₄₀P₂₀ 非晶具有更接近于“冻结”液态的密堆积结构 .非晶的晶化实验表明 ,晶化初期多种晶相同时结晶析出 .低于 71 0K退火非晶样品 ,亚稳相形成 ,继续提高退火温度亚稳相消失 .此外 ,从热力学和动力学角度就Cu部分替代Ni对合金的玻璃形成能力的影响进行了探讨     

锆基大块非晶合金玻璃转变和晶化的动力学效应

采用非等温差热扫描量热分析方法 ,用Kissinger方程计算了几种锆基大块非晶合金的玻璃转变和晶化的表观激活能 .实验表明 :玻璃转变与晶化行为一样与加热速度有关 ,均具有动力学效应 .大块非晶合金在玻璃转变温度附近等温退火后 ,其玻璃转变的表观激活能增加 ,晶化的表观激活能减小 ,但其动力学效应并不改变 .同时从晶化反应速率常数的角度讨论了玻璃形成能力 .     

退火Co/C软X射线多层膜中碳的TEM和Raman散射研究

用透射电子显微镜(TEM)和Raman散射(RS)研究了对向靶溅射法制备的Co/C软X射线多层膜在退火条件下碳的结构变化.结果表明,碳层的结构变化可大致分为三个阶段,即有序化,结晶以及晶粒生长阶段。在退火温度低于400℃时的有序化阶段,非晶碳层中键角无序的三配位键和四配位键转变为理想的三配位键。在结晶阶段,非晶碳层在500～600℃的退火温度下结晶成为石墨微晶。在晶粒生长阶段,样品在700℃以上温度退火,石墨微晶尺寸增大,与TEM分析结果相一致。     

GaAs/Si外延层X射线双晶衍射摇摆曲线的动力学模拟和位错密度的测量

利用X射线衍射动力学理论和位错的小角晶界模型,分析了GaAs/Si外延层中位错对X射线双晶衍射摇摆曲线的影响,认为GaAs/Si外延层并不是严格取向一致的完整单晶膜,而是存在着许多小角晶界的镶嵌晶体,并推导出了其中镶嵌块的晶向分布函数和晶格应变分布函数,模拟出了GaAs/Si外延层X射线双晶衍射摇摆曲线,由此曲线计算出了GaAs/Si外延层中的位错密度.同时还得到了Si衬底上GaAs外延层中镶嵌块的大小.为分析高失配外延材料的双晶衍射摇摆曲线提供了新的方法.