原子位形几率波理论的应用——复合钙钛矿材料的有序结构类型

本文应用原子位形几率波理论,研究了复合钙钛矿结构形成最稳定超晶格的原子排列,首次从理论上得到七种基本有序结构,并同已知的实验结果作了比较。     

用原子位形几率波理论研究插层化合物MxTX2中M离子的有序结构

本文就插层化合物M_xTX₂中占据八面体间隙的M离子建立了离子-空位格气模型.用原子位形几率波理论研究了M离子的有序结构,得到了3种最稳定的有序结构,并定量地分析了相互作用参数对有序结构形成的决定作用.最后对已有实验结果进行了分析和讨论.     

利用分波分析研究氦原子3pe态的电子-电子关联

本文利用分波分析的方法研究了氦原子³p^e态的N=2和N=3序列;考察了这些态固有的对称性,一体密度及形状密度等;以形象的方式探讨了电子间的角关联,径-径关联和径-角关联等.特别考察了内电子在外电子逼近时作出的反应.除此之外,还发现³p^e态的电子云的各向异性有独特的性质.     

钠原子光电离过程中角分布参数β的计算

运用多体微扰理论方法 ,对开壳层钠原子的内壳层电子的光电离过程2p⁶3s→ 2p⁵ 3skl中分波散射截面和角分布参数进行了计算 .在计算中包括了 2s→ 3p的共振结构 .同时利用多体微扰理论的图式 ,对主要的电子关联相互作用进行了分析 ,并对RPA和BO关联的主要贡献项计算达到了无穷级近似 .计算结果与实验吻合较好 .     

光电离激发过程中末态关联的高级修正

把多体微扰理论(MBPT)用于计算钠原子的光电离过程2p²3s→2p~53skl和光电离激发过程2p⁶3s→2p~54shl和2p⁶3s→2p⁵5skl.对两种光电离激发过程2p⁶3s→2p⁵4skd和2p⁶3s→2p⁵5skd的3种末态关联(shake-off,virtual-Auger和knock-out)及基态关联分别进行了计算与讨论发现末态关联的shake-off过程是这些光电离激发过程最主要的贡献,而偶极矩算符〈kd|z|2p〉对末态关联有最重要的影响.为了对末态关联作用进行更准确更细致的研究,对偶极矩阵元〈kd|z|2p〉分别采用了最低级近似,一级近似和高级近似进行计算与讨论.高级近似包括了The radom-phase approximation(RPA)和重要的Brueckner-orbital(BO)和Structureradiation(SR)关联.改进了耦合方程方法,使主要的RPA关联和BO关联包括了无穷级近似.在考察这些高级近似后的计算中,光电离激发过程2p⁶3s→2p⁵4skl和2p³s→2p5⁵skl的计算结果与实验相吻合.     

光折变材料KNSBN:Cu

本文系统报道了KNSBN:Cu晶体的生长和光折变性能,分析了铜离子影响光折变性能的机制。研究表明:由于铜离子在能隙中形成深能级,电子迁移率下降;同时,光折变有效电荷复合中心浓度增加,两波耦合增益系数增大到纯KNSBN晶体的两倍,光折变灵敏度达 10^-3cm²/J的数量级,而光折变性能受直流电场的影响减弱.KNSBSN:Cu晶体的自泵浦位相共轭反射率达65%,响应时间小于8s。     

极性晶体α碘酸锂的生长机理

α碘酸锂是一种电极性晶体,其结构属于C₆⁶空间群,各原子在单胞中的位置已被测出。由于它在激光倍频技术上的应用,并且能够从水溶液中生长出大块的完整晶体,因而引起人们的重视。我们已经报道过     

ZnS:Cr2+晶体中Cr2+杂质离子的EPR参量及其占位

本文基于 ZnS:Cr²⁺晶体中 Cr²⁺杂质离子处于八面体有效晶场(D_2d畸变)理论模型,通过考虑对基态有较大影响的所有低自旋态的贡献后,建立了一组维数较大曲 d⁴(D_2d^*)不可约表示强场能量矩阵.利用矩阵的特征值、特征矢量以及相应的EPR 参量理论公式,对 ZnS:Cr²⁺晶体的精细光谱、基态 ZFS,EPR 参量(g,g,D,E,F,α)、基态 Zeeman 能级以及 EPR 条件(B,v)进行了系统的理论分析与计算.结果与实验值符合很好.从而确立了 ZnS:Cr²⁺晶体中 Cr²⁺杂质离子的环境晶场系 D_2d畸变八面体结构.ZnS:Cr²⁺晶体的光、磁性质与 Cr²⁺杂质离子的八面体晶场结构特征密切相关.     

掺镁铌酸锂晶体阈值效应的研究

本文测量了一组掺镁和掺铁铌酸锂晶体的OH~-吸收谱、光吸收边、点阵常数、密度、色心吸收谱和Fe³⁺室温ESR谱及它们与掺镁浓度的关系。观察到存在着掺镁浓度的阈值效应。用缺陷化学讨论了掺镁铌酸锂晶体缺陷结构,给出不同浓度下晶体中存在的缺陷格子及其消长规律。计算表明,当一致熔化组份晶体中掺镁浓度达到5.3mol％时,将出现合有Nb位Mg²⁺的缺陷晶格。认为这是“阈值”的主要标记。用由此引起的LiNbO₃品格中离子环境的改变较满意地解释了上述实验结果,阈值浓度的计算值与实验相符。用本文的结论解释了高浓度掺镁铌酸锂晶体抗光伤能力成百倍提高的原因,这对于其他ABO₃型电光晶体的改性研究同样是有意义的.     

硅中分子离子注入的损伤增强效应

本文研究了单晶硅中磷分子离子(P₂⁺)注入相对于磷原子离子(P⁺)注入的损伤增强效应,系统分析了这种损伤增强效应与注入剂量、能量、靶温的关系以及注入后退火的特征,利用我们提出的离子注入时分子离子与靶原子的多体碰撞模型对其物理机制进行了讨论.     

低对称下d~N组态晶场能级的二参数拟合

本文引进了一种模型和拟合相结合的方法——二晶场参数拟合法来分析晶体中低对称环境里d^N杂质离子的电子能级和波函数。用此方法,我们处理了最重要的声子边带可调谐激光晶体金绿宝石,获得了其杂质中心Cr³⁺在Cs对称下的全部d³组态能级和波函数,对于进一步分析其强度、带形等性质是有用的。     

重离子轰击过的MoS2表面的扫描隧道显微镜观测

本文使用SSX-1A型扫描隧道显微镜(STM),观察了由13.4MeV/N的Au轰击过的MoS₂样品表面.为有更多机会得到损伤象,使用了较高离子注量(1×10¹³cm^-2),得到了多幅不同面积的原子分辨清晰的STM象.在同一幅图象中既有规则的原子排列,又存在着离子轰击造成的损伤径迹.经Fourier变换掩模处理后的图象,发现高出的表面和坑底都有局部小范围有规则的原子排列.入射离子数与坑数大体上有一对一的关系.     

由Nd2Fe14B的晶体结构直接给出其价电子结构的分析

本文根据Herbst报道的Nd₂Fe₁₄B晶体结构资料,用余瑞璜的固体与分子经验电子理论中的键距差方法,直接给出了晶体价电了结构。得出在Nd₂Fe₁₄B晶体中处于各种晶位的各类元素的杂阶:B(g)-6,Nd(f)-1,Nd(g)-1,Fe(c)-A15,Fe(e)-A13,Fe(j₁)-A10,Fe(j₂)-C3,Fe(k₁)-A7,Fe(k₂)-A8和相应共价键络;最强键为n₃=0.5819。根据价电子结构计算了各类铁原子周围的电荷分布,通过含Fe原子的水平平面上、下两侧电荷分布的比较,分析了Fe的原子磁矩指向C方向的原因。指出j₂晶位上的Fe原子具有大的原子磁矩(计算值为m^3d)=3.4587_μB,实验值m=3.32_μB)的原因是近邻稀土原子的影响和该原子晶位具有较大结构体积。     

乙二胺四乙酸钡的晶体结构

乙二胺四乙酸钡晶体属于空间群C_4v⁶,晶胞参数:α=19.76,c=8.96,晶胞中含有8个{Ba₂N₂C₁₀H₁₂O₈·2 1/2H₂O}。根据对帕特逊函数P(u, v),P(u, v, 1/2),P(v,w)的分析及电子密度函数ρ(x,y)和ρ(y,z)的验证,确定重原子放在两套一般等效位置上.但这两套重原子参数间存在着相当特殊的关系,它们组成了近似于四方底心的分布。在ρ(x,y)函数中扣去重原子贡献后,函数收敛性显著改善,在改进了ρ(x,y)图的基础上,根据有机分子键长键角的特征以及生成氢键的原则,引出了轻原子和结晶水的参数.最后,所引出参数亦得到ρ(y,z)图的验证.结构分析表明:有机分子对二套重原子中的一套实现了多啮的螯合.但此处的螯合作用与已知NiH₂Y·H₂O,NH₄CoY·2H₂O晶体中的情况颇不相同,在晶体中并不存在显著分立的螯合离子。     

用原子位形几率波理论研究YBa2Cu3O7-x中氧与空位的有序结构

本文将原子位形几串波理论推广到多套Bravais子格子套构的体系,着重考虑二次有序化问题,研究YBa₂Cu₃O_1-x超导体Cu-O基面上氧与空位形成的有序结构,得到x=0,0.25,0.5,0.75四种标准组分下的结构状况,与实验结果进行了比较和讨论。     

超强激光中原子电离的相对论半经典理论

提出了超强激光(>10¹⁹ W/cm²)中氢原子电离的相对论半经典理论.给出了基态氢原子电离几率的相对论性的解析表达式.同非相对论性的理论比较,这个相对论性的解析表达式清楚地展现了光场中磁场、非偶极近似和相对论的质能关系对电离过程的影响.同时,证明在一定的条件下这个电离几率的相对论性的解析表达式自动约化为非偶极近似非相对论性的解析表达式.简单说明了超强激光中氢原子电离的相对论理论的可能应用.     

低温分子束外延生长GaAs单晶的材料特性

对低温分子束外延生长的GaAs单晶进行了理论分析和实验研究,结果表明,低温分子束外延生长的GaAs单晶中含有密度大约为10²⁰cm^-3的过量As原子,这些As原子主要以间隙原子对As_2i的形式位于正常的As格点位置,使LTMBEGaAs单晶的晶格常数相对于SI-GaAs单晶衬底增加约为0.1％.高于300℃的退火即可使间隙原子对As_2i离解,使过量的As原子形成沉淀.随着退火温度的增加,As沉淀向外延层界面处集中.在外延层界面处As沉淀团与GaAs单晶形成的载流子耗尽区相互重叠,呈现出高阻特性,有效地抑制了FET的背栅和侧栅效应.     

态射和的Drazin逆

设C 是加法范畴, 态射φ,η： X→ X 是C上的态射. 若φ,η 具有Drazin逆且φη =0, 则φ+η 也具有Drazin逆. 若φ具有Drazin逆φ^D 且1_X+φ^Dη 可逆, 作者讨论f =φ+η 的Drazin逆( 群逆)并且给出 f ^D(f ^#}=(1_X+φ^Dη)^-1φ^D的充分必要条件. 最后, 把Huylebrouck的结果从群逆推广到了Drazin逆.     

排列变换法处理态态量子反应散射H+DH→HD+H,D+HH *

给出了如何应用排列变换法对原子 双原子体系作态 态量子反应散射的精确计算 ;还给出了基于LSTH势能面的H +DH反应体系的态态量子计算结果 ;排列变换法可以推广应用到多于 3个原子的反应体系中 .     

金属Cu的电子结构和物理性质

本文介绍一种以单原子状态代替单电子状态和以多原子相互作用的势能函数代替Schrodinger方程的方法,以便对金属和合金的结构和性质进行系统的分析。纯金属的原子状态可由若干遵守Pauli不相容原理的基本原子态组成,通过自洽方法确定金属Cu的电子结构是(3d_n)^4.89(3d_c)^4.77(4s_f)^1.34.与这种电子结构相应的多种性质理论值,如晶格常数、结合能、体弹性模量和热膨胀系数随温度的变化都与实验值符合很好。