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本文研究了Y替代Ca对Bi2Sr2Ca1-xYxCu2O8+y,超导体晶体结构和电子状态的影响,发现:Y替代Ca后至少使得Bi-O双层中所夹的一层额外的氧原子发生了变化,沿b轴方向的无公度超格子的调制周期从4.7b连续减小到大约为4.0b;并发现当Y完全替代Ca时,则同时存在大约为4b和8b的调制周期.用XPS进一步研究其电子状态变化的结果表明,超导电性的变化不是由于晶体结构的微小变化引起的,而主要是由CuO2层中O2p轨道空穴的逐步填充所致.结果明确表明,对于该替代体系依然是当Cu离子3d轨道存在一个空穴时(3d9态)对应于强关联的反铁磁绝缘体,而当CuO2层中氧离子2p轨道存在额外的空穴时(即3d9L态)对应于超导体. 相似文献
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用矩形单模TE10n(n=3,5)微波腔体成功地烧结得到了致密的Y-TZP陶瓷及Y-TZP/Al2O3复相陶瓷材料.材料的微波加热特性与其组分有关.Y-TZP含量高有利于提高样品的加热速率并降低加热所需时间.试样加热至600—800℃之后,需随时调整输入功率、短路活塞位置及可调偶合窗开启尺寸,以保持腔体谐振和最佳偶合状态,从而保持一定的升温速度和达到稳定的最终烧结温度.纯Y-TZP及含20Vol%Al2O3的Y-TZP/Al2O3陶瓷材料均可微波烧结至相对密度98%以上,而晶粒尺寸则分别不大于0.4和1.0μm.实验还发现,温度过高时,试样中心由于达到高于其表面的温度而发生过烧现象. 相似文献
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任何一个可构成实数都是在Lω1中构成的。本文指出,并不是Lω1前面的每一层都会产生新的实数,并用元数学的方法(或者就是模型的方法)对这样的层作了宏观上的描述。 相似文献
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采用机械合金法制备了纳米复合材料Fex(SiO2)1-x系列样品 .用X射线粉末衍射 (XRD)、透射电子显微镜 (TEM )、M ssbauer谱和Faraday磁天平系统地研究了该系列样品不同Fe合量和不同球磨时间的微结构和磁性 .实验表明样品的微结构和磁性与球磨时间和Fe含量密切相关 .当样品的Fe含量少于 2 0wt% ,并球磨了 80h后呈现出非常复杂的微观结构 :α -Fe纳米晶粒和Fe团簇镶嵌在SiO2 基质中 ,形成α -Fe纳米岛状和纳米尺度的类三明治结构 .Fe-SiO2 界面的相互作用和渗透效应、纳米晶的尺寸效应和类三明治的特殊微观结构导致了纳米复合材料Fex(SiO2)1-x的物理性能的变化 相似文献
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研究了Y1-xNdxSr2Cu2.7Mo0.3O7-δ(x =0 ,0 .1 ,0 .2 ,0 .5 ,0 .8和 1 .0 )的Ra-man光谱、红外光谱,指出RSr2Cu2.7Mo0.3 O7-δ结构上与RBa2Cu3O7-δ有显著的差异,而伴随着Nd的掺入,晶体的微结构发生了变化 .结合电阻率和热电势的测量结果 ,我们讨论了这种微结构变化对载流子分布的影响和NdSr2Cu2.7Mo0.3O7-δ不超导的原因,进而指出在高温超导体中广泛存在的稀土离子尺寸效应也是大稀土离子替代产生的晶体微结构变化的结果 相似文献
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基础R0-代数的性质及在L*系统中的应用 总被引:4,自引:1,他引:4
研究了王国俊教授建立的模糊命题演算的形式演绎系统L*和与之在语义上相关的R0-代数,提出了基础R0-代数的观点并讨论了其中的一些性质,在将L*系统中的推演证明转化为相应的R0-代数中的代数运算方面作了一些尝试,作为它的一个应用,证明了L*系统中的模糊演绎定理。 相似文献
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研究了R2O3-AIN-AI2O3(R=Ce,Pr,Nd和Sm)三元系固相线下的相关系及R2O3-AIN-AI2O3系统在1700℃的等温截面.发现存有一个组成为RAl12O18N的新相,其结构同β—Al2O3.本文对其它轻稀土元素可否形成新相也作了探讨.发现从La到Eu(除了Pm未测外)都能在组成RAl12O18N处形成含N的β-Al2O3相.经测定它们的单相区范围为:当R=Nd和Sm时,含Nβ-Al2O3相只发生在RAl12O18N组成处;而其它稀土的含Nβ-Al2O3相的组成都扩大到纯氧化物一端,即R2O3:11Al2O3处.经测定RAl12O18N的晶胞常数(a=5.557和c=22.00)几乎不随R而变化.1700℃时,在Nd2O3-Nd2AlO3N-NdAlO3三角形区域中存有一个很大液相区. 相似文献
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本文给出了一个确定实二次域的整元环上的K2群的2-Sylow子群的方法,进而由此确定了一批实二次域的整元环上的K2群的2-Sylow子群的结构。本文中的方法对于代数整数环上K2群的2-Sylow子群为初等Abel和非初等Abel的情形都是适用的,而在此以前已有的方法和结果大都限制在初等Abel的范围。 相似文献
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设$F$是域, 记 $G_{n}(F)=\{\{a,
\Phi_{n}(a)\} \in K_{2}(F)\mid {a, \Phi_{n}(a)} \in F^{*}\},$
这里$\Phi_{n}(x)$ 是$n$次分圆多项式. 首先,
使用关于数域上的Mordell猜想的Faltings定理证明了若$F$是数域, $n\neq
1, 4, 8, 12$且含有平方因子, 则$G_{n}(F)$不是$K_{2}(F)$的子群; 然后,
使用Manin, Grauert, Samuel和李克正关于
函数域上的Mordell猜想的结果, 对代数闭域上的函数域证明了类似的结果. 相似文献
\Phi_{n}(a)\} \in K_{2}(F)\mid {a, \Phi_{n}(a)} \in F^{*}\},$
这里$\Phi_{n}(x)$ 是$n$次分圆多项式. 首先,
使用关于数域上的Mordell猜想的Faltings定理证明了若$F$是数域, $n\neq
1, 4, 8, 12$且含有平方因子, 则$G_{n}(F)$不是$K_{2}(F)$的子群; 然后,
使用Manin, Grauert, Samuel和李克正关于
函数域上的Mordell猜想的结果, 对代数闭域上的函数域证明了类似的结果. 相似文献
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用透射光谱法和光热偏转谱法测得了C60和C70薄膜在宽能量范围(0.6到6.5 eV)的光谱,并计算了吸收系数.根据分子轨道模型分析了C60和C70薄膜的光跃迁行为.Fuller烯薄膜的弱吸收光谱与非晶硅的类似.用Tauc公式确定了C60和C70薄膜的光学带隙分别为1.75和1.65eV.Urbach吸收边和亚隙吸收表明Fuller烯薄膜中存在无序状态,导致带尾态和缺陷态,这虽非C60或C70薄膜所固有,但无序的存在给准确测定Fuller烯薄膜的禁带宽度带来障碍.讨论了偏转介质与衬底对Fuller烯薄膜的弱吸收光谱的影响. 相似文献