Monte Carlo方法计算多层薄膜中X射线发射强度

基于作者发展的电子散射模型,多层介质中电子散射理论、X射线强度、吸收和荧光计算公式,用Monte Carlo方法计算了多层薄膜中X射线发射强度比值。在不同加速电压下,对Si衬底上Au,Cu多层膜及Cr,Ni多层膜计算的强度比与EPMA实验结果广泛一致。本工作为最终解决多层薄膜X射线定量显微分析的难题奠定了理论基础。     

低能电子在固体中散射理论及Monte Carlo模拟计算方法

本文应用较严格的理论描述低能电子在固体中散射的过程,提出了对该过程进行直接模拟的计算方法:经作者改进的Pendry分波法模型计算电子与原子间的弹性散射;非弹性散射既考虑壳层电子、导带电子贡献,也计入等离子激发的影响;电子散射及二次电子级联过程用Monte Carlo方法严格模拟,对不同能量低能电子作用下,Cu的二次电子产额、能谱曲线及背散射系数作了计算,所得结果与Kashikawa等的实验事实一致。     

Monte Carlo方法计算晶体析出相的X射线发射强度

本文提出了用Monte Carlo模拟计算晶体中析出相X射线发射强度的理论和方法。作为实例,对不同加速电压下Au,Cu基体中Cr—Fe—Ni合金析出相的X射线发射强度作了计算,并得出一些规律。     

基片上二元组份薄膜的定量分析的Monte Carlo模拟计算方法

本文用Monte Carlo方法对入射电子在薄膜中的散射和特征X射线的发射进行数学模型,提出了基片上二元组份薄膜成份的模拟计算方法,用这一方法模拟计算了若干个二元组份薄膜的成份,得到了与实验测定值相一致的模拟计算结果。     

求解凸随机规划的Monte Carlo模拟方法

基于对目标函数和约束函数的同时抽样,给出求解凸随机规划的Monte CaLrlo模拟的算法及其收敛性.将得到的结果和算法应用到以半偏差为约束的投资组合优化问题,并且给出相应的数值试验.     

多层线性模型参数估计的MCEM算法

应用Monte Carlo EM(MCEM)算法给出了多层线性模型参数估计的新方法,解决了EM算法用于模型时积分计算困难的问题,并通过数值模拟将方法的估计结果与EM算法的进行比较,验证了方法的有效性和可行性.     

高浓度多链体系链动力学的Monte Carlo模拟——键长涨落模型和空穴扩散算法

本文在Larson的“键长涨落模型”的基础上提出了模拟高浓度多链体系的新算法。本算法具有如下特征:(1)除通常的微松弛模式外,还直接引入了链的Reptation运动;(2)提出了空穴扩散算法使体系随时间演化。由于本算法的这些新特征,克服了前人的算法不能运用于两维体系以及高浓度多链体系的缺点,同时也大大缩短了计算耗时。应用本文的算法,在44×44的元胞中模拟了链长为21,浓度为0.9545的体系的动力学行为。所得结果与Rouse理论的预言相符合。     

Hausman检验统计量有效性的Monte Carlo模拟分析

在大样本下,Hausman检验统计量渐进地服从卡方分布,但在有限样本分析中却经常出现负值。对此,文献中并未形成一致看法。本文采用Monte Carlo模拟,从小样本偏误、内生性偏误、序列相关、非平行面板等角度,研究了Hausman检验统计量的小样本性质。结果表明,内生性问题(解释变量与个体效应相关)是导致Hausman统计量出现负值的主要原因。进一步分析表明,修正后的Hausman统计量,以及过度识别检验方法能够很好地克服上述缺陷,且具有很好的有限样本性质。     

退火Co/C软X射线多层膜中碳的TEM和Raman散射研究

用透射电子显微镜(TEM)和Raman散射(RS)研究了对向靶溅射法制备的Co/C软X射线多层膜在退火条件下碳的结构变化.结果表明,碳层的结构变化可大致分为三个阶段,即有序化,结晶以及晶粒生长阶段。在退火温度低于400℃时的有序化阶段,非晶碳层中键角无序的三配位键和四配位键转变为理想的三配位键。在结晶阶段,非晶碳层在500～600℃的退火温度下结晶成为石墨微晶。在晶粒生长阶段,样品在700℃以上温度退火,石墨微晶尺寸增大,与TEM分析结果相一致。     

Ag/Si纳米颗粒多层膜的合成

使用多靶离子束溅射沉积方法制备出Ag/Si多层膜 .利用原位低角X射线衍射技术和截面高分辨透射电子显微镜观察 5 0～ 30 0℃退火过程中Ag/Si多层膜各亚层间发生的扩散现象 ,并由此分析研究Ag/Si多层膜微观结构变化 ,即Ag/Si纳米颗粒多层膜的形成过程 .计算出Si在Ag亚层中的扩散激活能和频率因子分别为 0 .2 4eV和 2 .0 2× 1 0 ^-20 m² /s,纳米Ag颗粒的尺寸约为5nm .     

高热稳定性CoN/CN软X射线多层膜的制备及其结构稳定性研究

研究了对向靶反应溅射法制备的CoN/CN软X射线多层膜的结构稳定性。研究表明,通过掺杂N原子可以将Co/C软X射线多层膜的结构稳定性提高100～200℃.400℃温度下退火,CoN/CN多层膜的周期膨胀仅为4%,700℃时周期结构仍然存在.N掺杂可以有效抑制CN层中sp³键的形成,延迟层内结晶过程,进而减小了周期膨胀.Co-N和C-N间存在的强化学键可以减小结构弛豫.填隙N原子增大了Co原子运动的粘滞性,使hcp-Co和fcc-Co在相变温度以上共存,抑制了高温下晶粒长大.