ZnS:Cr2+晶体中Cr2+杂质离子的EPR参量及其占位

本文基于 ZnS:Cr²⁺晶体中 Cr²⁺杂质离子处于八面体有效晶场(D_2d畸变)理论模型,通过考虑对基态有较大影响的所有低自旋态的贡献后,建立了一组维数较大曲 d⁴(D_2d^*)不可约表示强场能量矩阵.利用矩阵的特征值、特征矢量以及相应的EPR 参量理论公式,对 ZnS:Cr²⁺晶体的精细光谱、基态 ZFS,EPR 参量(g,g,D,E,F,α)、基态 Zeeman 能级以及 EPR 条件(B,v)进行了系统的理论分析与计算.结果与实验值符合很好.从而确立了 ZnS:Cr²⁺晶体中 Cr²⁺杂质离子的环境晶场系 D_2d畸变八面体结构.ZnS:Cr²⁺晶体的光、磁性质与 Cr²⁺杂质离子的八面体晶场结构特征密切相关.     

含氢硅单晶2210cm-1红外吸收峰本质的理论研究——Ⅱ.振子强度及振动势函数的MNDO计算

在前文价键力场频率计算的基础上,本文利用MNDO量子化学方法对含氢硅单晶中2210cm^-1吸收峰对应缺陷复合体的两个模型(空位+4H,间隙硅烷),在氢氘混合气氛下各自产生的5种组态,12个红外活性的振动模式进行了振子强度计算.计算结果表明,空位+4H模型是可取的.根据用MNDO对Si₁₆H₁,Si₁₆H₃,Si₁₆H₄,SiH₄,Si₁₁H₄原子集团A振动模式势函数的计算结果,讨论了建立在价键力场频率计算基础上的振子强度计算的合理性以及影响硅单晶中Si—H伸缩振动吸收峰频率的因素.此外还介绍了证实理论预言的实验结果.     

YBa2Cu3Ox超导体的光谱研究

能带是决定固体特性的头等重要的因素。我们用光谱方法对单相YBa₂Cu₂O_x高T。超导体进行了研究,测量了样品的反射-吸收谱、Raman光谱和荧光光谱.其350和500nm吸收带以及390nm,560nm荧光峰来自晶格中Cu⁺发光中心,是跃迁过程¹A_1g(3d¹⁰)-¹E_g和~3E_g(3d⁹4s¹)。其720nm和860nm荧光峰来自Cu²⁺发光中心,是由于自由离子光谱项²D在八面体晶场、正交晶系晶场中分裂为5个能级之间的跃迁。此外,还有一些光谱可能来自晶格中Cu³⁺发光中心,其481cm^-1和551cm^-1声子对说明了312cm^-1处声子对与电子系统是强耦合。     

中子辐照硅中一个新的EPR缺陷及氢对它的影响

在中子辐照区熔硅中,观测到一个具有C_2v对称性、有效自旋为1的新的顺磁性缺陷,按惯例称为Si-PK3,其g和D的主值为g₁=2.0048,g₂=2.0118,g₃=2.0085;D₃=35.9×10^-4cm^-1,D₂=-17.1×10^-4cm^-1,D₃=-18.8×10^-4cm^-1.可能的微观结构是沿〈110〉晶向、在中间空位上俘获一个氧原子的平面三空位链.氢的存在可使它的退火消失温度由500℃降为350℃左右.     

含氢硅单晶2210cm-1红外吸收峰本质的理论研究——Ⅰ.振子频率的价键力场计算

本文根据Urey-Bradely 力场的思想,用价键力场的方法对文献[1]中提出的含氢硅单晶中2210cm^-1吸收峰对应的缺陷复合体的两个模型:空位+4H,间隙硅烷,进行了振动频率的计算.在对计算结果和力常数调节合理性分析的基础上,得出了空位+4H模型比较合理的结论.此外还介绍了理论计算揭示的从实验上区分两个模型的可靠途径.     

对称群表示的既约分解

S_n是n个文字的对称群,T^d为C[x₁,x₂,…,x_n]中d次齐式所成的子空间.T^d做为S_n模所确定的S_n的表示记为ρ^d.π(α)为与分析α相对应的既约表示.记N^d_α为,π(α)进入ρ^d的重数,做为文献[1]的继续,本文简化了幂级数所满足的递推公式,并具体求出了母函数的表达式。     

TI基高温超导单晶的生长与研究 *

在计算机控制的封闭式单晶生长炉内,采用自助熔剂法生长出最大尺寸2.0mm×2.0mm×O.3mm,典型尺寸1.0mm×1.0mm×O.1mm的TI-2223,TI-2212单晶,T_c分别达到119 K和110 K.TI的含量对晶体生长的大小、相的形成及T_c均有重要影响.TI-2212单晶的交流磁化率的虚部峰值温度 T_p和外场 H_D 的关系为(1-T_p/T_c)∝H_D^0.71(H_D//C轴)TI-2223单晶可见光区的光反射谱存在强烈的各向异性.     

Banach空间上有界线性算子的Drazin逆的扰动分析

设X为一复域C上的Banach空间,设T:X→X为一有界线性算子,其指标为k且R(T^k)闭.记T的Drazin逆为T^D.设T=T+δT,则在一定条件下,T^D有简明分解式T^D=T^D(I+δTT^D)^-1=(I+T^DδT)^-1T^D,从而导出了相对误差‖T^D-T^D<     

积域上某些奇异积分算子的L2-有界性

本文给出积域上一类 T(b)定理.粗略地说,设T是 R^d₁)×R^d₂上的一个奇异积分算子,T^t是T关于变量(x,u)或(y,v)或两者的转置,T^t(j)是T^t在R^d_j上的限制,j=1,2,则T的L²-有界性由下述条件推出:T有WBP, 以及T^t(j)(b_j)=0,其中b_j是R^d_j上的任意强仿增长函数,j=1,2.     

具有无穷规范Schrdinger方程的概率处理

设D是R^d的有界正则区域,q∈K_d^log,f∈B(аD).本文给出了一个处理Schrdi-nger方程(△/2+q)U=0,U_lаD=f的概率方法,这个方法可以适用于(D,q)具有无穷规范的情形.     

半参数回归模型小波估计的强逼近 *

考虑半参数回归模型y_i=x^T_iβ +g( t_i ) +e_i,i=1 ,2 ,… ,n ,其中 β∈R^d 为未知回归参数 ,g(·)为 [0 ,1 ]上的未知Borel函数 ,{x^T_i}为R^d 上的随机设计 ,{t_i}为常数序列 ,{e_i}为i.i.d .随机误差 ,Eei=0 .在适当的条件下 ,证明了 β和g(·)的小波估计 ^{^}β和^{^}g(·)的强相合性 ,并且得到了^{^}β和^{^}g(·)的强相合速度 .     

d8(C3v*)EPR理论与CsMgCl3:Ni2+的光、磁性质研究

本文给出了O_h点群表象中的d^2,8(C_3v^*)完全强场矩阵,并借助于这种矩阵的特征值和特征矢量,建立了CsMgX₃:Ni²⁺(X=Cl,B,I)类晶体的全组态混合EPR理论。应用这一理论,对CsMgCl₃晶体中的Ni²⁺杂质离子的光学吸收谱、基态零场分裂参量D、顺磁g因数、基态Zeeman分裂以及EPR条件(B,hv₀)进行了统一的计算。结果与观测非常一致,从而首次对CsMgCl₃:Ni²⁺的光、磁性质作出了统一的理论解释。     

ZnS∶Mn2+纳米晶钠硼硅玻璃复合体的EPR研究 *

用熔融法制备了ZnS∶Mn²⁺不同含量的钠硼硅玻璃 .发光和激发光谱测量发现Mn离子可能占据替位 (Mn²⁺) _sub和间隙 (Mn²⁺) _int两种格位 .进一步的电子顺磁共振(EPR)实验证实了这一判断 ,并从EPR谱确认了(Mn²⁺) _sub,(Mn²⁺) _int和Mn团 3种格位态的存在 .观测到g因子和超精细结构(HFS)常数随纳米晶粒径的减小而增大 .这可能是由于量子限域效应下ZnS的sp³ 和Mn的3d⁵电子态杂化和表面态所引起的 .     

用Coulomb爆炸实测4HeD＋的键长

用1.468 0 MeV ⁴HeD^＋在超薄无衬碳膜中的Coulomb爆炸,获得⁴HeD^＋的键长实测值为(0.097±0.003)nm.讨论了⁴HeD^＋的形成机理.介绍了⁴HeD^＋原始束中D₃＋污染的降低,及产物⁴HeD^＋＋和D^＋高分辨能谱测量中的粒子鉴别方法等.     

SL(2,R)上一类极大算子的(H∞,s1,L1)型

本文我们引入了函数类B_δ(G//K)={φ∈L¹(G//K)||φ(t)|≤Δ^-1(t)(1+t)^1-δ,δ>0),对f∈L^p(G//K),1≤p≤∞,和极大算子(?),证明了这类算子是(H_∞,s¹,L¹)型的.     

金属基底上离子束辅助法生长高温超导薄膜

用离子束辅助的脉冲激光法,在多晶的金属基底上制备出了较高质量的具有双轴取向的钇稳定氧化锆(YSZ)缓冲层,缓冲层的平面内取向的最小半高宽为19°,垂直于膜面的取向的最小半高宽为4.5°.在其上外延生长的YBCO高温超导膜的临界电流J_c为2.1×10⁵A/cm²,临界转变温度T_c为90K.在优化沉积参数时发现了一些未曾报道的新现象,并分析了其原因.     

多复变整函数与其关于全导数的微分多项式*

本文证明如下定理: 设f为Cⁿ上的一个非常数整函数,L_D(f) = a_kD^kf +a_k?1D^k?1f +· · · + a₁Df + a₀f,其中a_j ∈ C, a_k ≠ 0, D_j f是f的j阶全导数(j=1,2, · · ·,k).若f与L_D(f)两个有穷的CM分担值, 则f=L_D(f).     

激光晶体MgF2:Co2+的MS-Xα计算——Ⅱ.激光晶体的Xα研究

本文报道了具有D_2h格位对称性的过渡金属络离子(CoF₆)^4-的自旋非限制MS-X_α计算结果。给出了单电子本征值和本征函数。讨论了激光晶体MgF₂:Co²⁺的电子结构。用Slater过渡态方法计算了晶场分裂参数10D_q及电荷转移跃迁能量,结果与光谱及XPS实验值符合得很好,并且优于组态相互作用从头计算结果。由Case-Karplus电荷分配法得到了Co²⁺的自旋-轨道耦合常数λ。最后对两种调谐激光晶体MgF₂:Co²⁺和MgF₂:Ni²⁺的电子结构进行了比较。     

离子注入对YBa2Cu3O7-x薄膜超导性能的影响

本文报道了Ar和F离子注入对YBa₂Cu₃O_7-x超导薄膜电学性能及结构的影响,通过X射线衍射和电阻温度关系的测量研究了离子注入后YBa₂Cu₃O_7-x薄膜T_c,J_c和结构的变化。实验中发现,在低剂量注入情况下,T_c和J_c随着注入剂量的增加而下降。但是,上临界温度和X射线衍射谱却几乎保持不变。当Ar离子的注入剂量达到1.2×10¹³Ar/cm²时,样品发生金属一半导体相交。当注入剂量大于1.2×10¹³Ar/cm²时,样品的体超导性能基本上完全消失了,X射线衍射峰的强度也有所减弱,最终发生了晶态-非晶态相变,室温电阻率增加了好几个数量级。讨论了超导性能变化及金属一半导体相变的物理起因。     

一种DV—Xα计算d~N配位场谱的方法——对(CrF6)3-的应用

本文延伸通常的DV-X_α计算,应用Bird等人的配位场理论方法,提出一种理论计算过渡金属络合物的d^N配位场谱的方法。通过对(CrF₆)^3-的d³配位场谱的计算和与实验及其他理论结果的比较,表明该方法是方便而又有效的。