半无限一维六方准晶压电双材料中的螺型位错

研究了半无限大一维六方准晶压电双材料中的螺型位错问题,利用镜像位错法,获得了电弹性场的解析表达式,分析了含螺型位错半无限大准晶压电双材料中声子场应力,相位子场应力以及电位移的分布特征.基于广义Peach Koehler公式,得到了作用在位错上的像力,讨论了声子场-相位子场耦合弹性常数对作用在位错上像力的影响,为实际应用奠定了理论基础.为实际应用奠定了理论基础.     

夹杂与基体对界面层螺旋位错的干涉效应

研究圆形夹杂与基体对有限厚度界面层螺旋位错的干涉问题。结合复变函数的分区亚纯函数理论、施瓦兹对称原理与柯西型积分运算,发展了多连通域联结问题的一个有效分析方法,将3个区域应力函数的联结问题化归为界面层应力函数的函数方程,并求得了显式级数解。利用该结果,研究与讨论了界面层螺旋位错能与位错力。     

引力波孤立子的能量问题

本文用引力场具有第一类约束的正则形式讨论了Belinsky-Zakharov(BZ)引力波孤立子的能量问题。     

平面引力波空时中Dirac方程的平面波解

本文采用谐和条件下的平面引力波严格解度规作为背景空时的度规,对Dirac方程的解进行了讨论,发现它有一组简单的严格解可描述与引力波同方向运动的m=0中微子;并发现在这种情况下引力波对中微子的能态不发生影响。对于具有任意能量和动量的粒子,其解可展为级数形式。级数前四项的计算结果表明,零阶项为平直空时近似,一阶项为零,二阶项为Einstein弱引力波修正,三阶项和更高阶项为强引力波修正。     

低频声子的生物功能

本文指出,在生物高分子结合的过程中,伴随有低频声子的激发。这是生物高分子所特有的可塑性和内在运动的一种反映。本文还进一步以胰岛素-受体以及胰岛素-抗体作用为例,通过对所产生的低频声子熵的估计,满意地解释了尚未解释的实验结果。值得注意的是:按本文所估计的低频声子的能量,与实验测到的一些生物高分子中平均每个残基构象变化的热焓值,属于同一数量级。这说明低频声子很可能具有导致构象变化、传递生命信息的功能。     

立方准晶压电材料的半空间问题北大核心CSCD

考虑了立方准晶压电材料的半空间问题.给出了反平面机械载荷和面内电载荷作用下立方准晶压电材料弹性问题的控制方程,结合半无限区域表面边界条件,利用算子理论和复变函数方法获得了立方准晶压电材料半空间问题一般解的表达式.基于一般解得到了集中线力作用下,半空间问题的声子场和相位子场的位移、应力以及电位移的解析表达式.     

商空间几何性质注记

商空间性质的研究对处理一类优化问题所起的作用重大。本文对一般线性空间的子空间以及子空间的商空间的性质作了一些探讨，给出了空间维数与线性泛函的零（核）空间之间的等价关系。     

GaSb单晶空间生长

空间的微重力给晶体生长提供了一个消除自然对流、由纯扩散控制的生长环境,为提高晶体质量创造了条件,引起晶体生长研究人员的关注.中国科学院物理研究所和日本东京大学电子工程系合作,1992年在中国第14颗返回式卫星上成功地生长了一根φ6 mm×30 mm外形完整的GaSb单晶.对空间生长的晶体的研究显示：晶体在空间生长部分无Ⅰ类生长条纹,表明晶体生长时既无自然对流也没有Marangoni对流.位错密度测定表明,晶体在空间生长期间熔体未与坩埚器壁接触时生长的晶体位错密度接近于零,而熔体与坩埚器壁接触后位错密度迅速增高.详细叙述了该晶体的生长和研究,分析了微重力对晶体生长的影响,并对空间晶体生长的发展提出看法.     

半导体带间光学极化的超快退相

采用半经典理论,讨论了半导体带间光学极化的两种超快退相机制:载流子-光学声子散射(包括谷间散射和空穴-声子散射)和载流子-载流子散射.阐明了载流子-光学声子散射对退相率的贡献是电子-光学声子散射率与空穴-光学声子散射率之和的一半.引入反映动量交换的权重因子,描述了载流子-载流子散射退相率对散射角的依赖性.导出了半导体带间极化的总退相率的表达式和计算曲线,较好地解释了实验现象和报道的测量结果.     

横观各向同性压电空间中圆裂纹与合成点源的三维相互作用

研究了横观各向同性压电空间中的圆裂纹与包括力偶极子、电偶极子、点力矩、力张和力旋这些常见合成点源的相互作用．用初等函数的形式给出了在任意位置和方向的合成点源作用下,裂纹尖端3种应力强度因子和电位移强度因子的三维解．其中圆裂纹包括币形裂纹和外圆裂纹．这一系列的力电合成点源不仅其自身在工程中普遍存在,而且在某些情形下还可以模拟诸如微裂纹、空洞、夹杂和位错等缺陷．     

α螺旋蛋白质螺旋链模型的双孤立子效应

该文在α螺旋蛋白质一维直线模型的基础上，提出了α螺旋蛋白质的螺旋线模型．研究了分子螺旋链中的集体激发──双孤立子特征，并讨论了非耦合的双孤立子解．     

谐和条件下的平面引力波严格解

本文求得了谐和条件下的平面引力波严格解,该解不含奇点,且在弱场近似下可以得到Einstein解。文章对该解的物理意义进行了详细的讨论,并讨论了它与已知的两种典型的平面引力波严格解的关系。文章最后还在谐和条件下第一次得出了含有两个极化态的更普遍的平面引力波严格解形式。     

GaP∶N中束缚激子与声子的耦合

本文用光致发光的方法研究了15—80K范围内不同掺N浓度的GaP:N中束缚激子与声子的耦合问题。实验结果表明,NN_i中心的零声子线与相应的各条声子伴线具有相同的温度依赖关系,符合Huang-Rhys的多声子光跃迁理论,各种S因子是不随温度变化的。     

谐和条件下Einstein-Maxwell方程的平面波严格解

本文在谐和条件下得到了沿同一方向传播的平面引力波与平面电磁波的混合波严格解,以及与平面引力波同方向传播的圆形截面均匀光束的引力场的内部解与外部解,及多个平行光束的引力场的解。这些解将平面引力波的解和Tolman-Peres-Bonnor等人关于电磁波引力场的解在谐和条件下统一起来,并对他们的若干结论作了进一步的研究和扩展。     

单色弹性波谱的分裂

本文根据量子电动力学的类比,导出了弹性波-声子的Dirac方程,并研究了单色弹性波谱在外场作用下的分裂。     

GaP:N和GaAs1-xPx:中的束缚激子依赖于激子声子耦合的辐射复合的热猝灭

我们从实验中发现,在N掺杂的GaP和Ga(As,P)中,零声子辐射带与相应的声子伴带的热猝灭过程是不同的。声子伴带的热猝灭强烈地依赖于激子声子的耦合,呈现出一种相干的特性。     

有限空间的子空间计数

本文讨论了有限空间Vn 中包含给定l维子空间Vl 的m 维子空间的计数问题,以及给定子空间Vm 与Vn 相交恰为l维子空间的计数问题     

有限秩算子的表示（I）

定义了子空间格代数的（弱闭双边）模,对有限维Hilbert空间的强自反子空间格代数的模及原子Boolean格代数的模中的有限秩算子进行了讨论,得到了有限秩算子一定可以表示为秩1算子的和。     

有限秩算子的表示(Ⅰ)

定义了子空间格代数的(弱闭双边)模,对有限维Hilbert空间的强自反子空间格代数的模及原子Boolean格代数的模中的有限秩算子进行了讨论,得到有限秩算子一定可以表示为秩1算子的和.     

八次对称二维准晶Ⅱ型单边裂纹的动力学问题

依据准晶弹性-流体动力学模型,采用有限差分方法,探讨了八次对称二维准晶Ⅱ型单边裂纹的动力学问题.首先分析了相同载荷的不同加载时间、不同的加载位置以及不同的试样尺寸对裂纹尖端处声子场应力强度因子的影响;其次分析了不同的声子场相位子场耦合弹性常数对相位子场位移分量的影响;最后分析了板端加载与裂纹面加载对动态应力强度因子的影响.计算结果表明:大小相同的脉冲载荷,加载的时间越长,无量纲化的应力强度因子越大,其曲线逐渐趋近于阶跃载荷下的曲线;试样宽度越宽,应力强度因子由零到非零需要的时间越长,无量纲化的应力强度因子值越小,说明应力强度因子与试样的尺寸有关系;声子场相位子场耦合弹性常数越大相位子场的位移分量也越大,这是因为相位子场的边界没有载荷,相位子场位移的作用力来自声子场,声子场起主导作用;而裂纹面加载和板端加载是不等价的,前者的无量纲化应力强度因子的变化幅度比后者大,这与板端加载更容易导致材料断裂的事实相一致.