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用射频磁控溅射技术制备出纳米GaSb颗粒镶嵌在SiO2 介质中的复合薄膜 .透射电子显微镜观察表明 ,纳米GaSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2 介质中 .X射线衍射显示出GaSb ( 1 1 1 ) ,GaSb ( 2 2 0 )和GaSb ( 31 1 )典型的面心立方闪锌矿结构特征 .复合薄膜的室温光吸收谱表明 ,吸收边发生了较大的蓝移 ,并且 ,蓝移量随纳米GaSb的颗粒尺寸减小而增大 .复合薄膜的室温Raman光谱表明 :薄膜的Raman散射峰较块体材料的有较大的红移和宽化 .用量子限域理论和张应力效应对这些现象作了解释 . 相似文献
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测量了(YBa2Cu3O7)24/(PrBa2Cu3O7)2 多层膜在强磁场下的超导转变展宽 .这种YBa2Cu3O7层间具有耦合 退耦合的临界绝缘层PrBa2Cu3O7厚度以及由 3D向 2D过渡的YBa2Cu3O7层厚度的多层膜 ,其不可逆场遵守H ∝ ( 1-t)μ关系 ,其 μ值约为1 ,介于3D( μ =3/2 )和2D( μ =1 /2 )之间 .磁通运动的热激活能的结果表明 ,对于H∥c和H⊥J的磁场位形 ,遵守U∝lnH关系 ,即磁通涡旋处于2D区 .而对于H∥ab和H⊥J ,H∥ab和H∥J两种磁场位形 ,激活能U随磁场的增加而线性减小 ,表明磁通涡旋处于3D态 .讨论了上述维度变化的可能物理机制 . 相似文献
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本文研究了环R=F2+vF2上线性码的深度分布和深度谱.利用环R到F2加群的两个同态映射及R上线性码的生成矩阵,给出了环R上4k12k22k3型线性码的深度谱的上下界. 相似文献
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记Jn,kr为具有如下性质的n维未定向上协边类α构成的集合:存在α的一个代表元Mn及(Z2)k在Mn上的作用,其不动点集为常余维数r .记Jn,kr=∑nJn,kr,则Jn,kr为未定向上协边环MOn= 相似文献
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利用高分辨透射电子显微镜对高Tc YBa2Cu3O7/PrBa2Cu3O7(以下简称为YBCO/PrBCO)超晶格的微结构进行了系统的观察分析,高分辨电子显微象(HREM)表明YBCO/PrBCO超晶格层与层之间具有清晰的衬度,没有界面互扩散,通过HREM象观察,发现衬底表面的原子台阶和缺陷使薄膜最初1—2个晶胞层中出现层错等缺陷,但这些缺陷并没有向薄膜内部扩展,当薄膜厚度超过几个晶胞层后,其结构趋于完整。另外,在HREM照片上还可看出YBCO/PrBCO超晶格的调制周期存在波动,波动范围相当于一个晶胞层厚度,实验结果表明,利用YBCO/PrBCO超晶格研究CuO2面的二维超导电性时,临界温度Tc和临界电流密度Jc的变化不仅与二维CuO2面的失耦程度有关,还会受到各种晶格缺陷的影响,对YBCO/PrBCO超晶格和超薄YBCO膜的输运特性进行理论解释时,必须考虑衬底和晶格缺陷造成的影响。 相似文献
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铜氧化合物高温超导体正常态的电子输运一直是人们关注的焦点问题之一,根据最近研究的Bi2Sr2CuOy单晶a-b平面内电阻率随温度的变化关系,发现许多直接生长的晶体在高温呈金属性而低温下出现电子局域化现象,对低温呈强局域化行为的样品进行了磁阻测量,发现在较低温区的低场,样品具有正磁阻效应,而高场下,样品具有负磁阻效应,最大正磁阻对应的磁场则随着温度的升高向低场漂移,在高温区,无论是低场和高场,样品不再具有正磁阻效应而只存在负磁阻效应,同时还发现样品的磁阻效应随着温度的增加而变得不明显,通过对横向磁阻与纵向磁阻的比较,发现这种磁阻主要是轨道效应的贡献。把实验结果与强局域化区域轨道磁阻的理论工作进行了比较,对正、负磁阻的起源进行了讨论。 相似文献
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能带是决定固体特性的头等重要的因素。我们用光谱方法对单相YBa2Cu2Ox高T。超导体进行了研究,测量了样品的反射-吸收谱、Raman光谱和荧光光谱.其350和500nm吸收带以及390nm,560nm荧光峰来自晶格中Cu+发光中心,是跃迁过程1A1g(3d10)-1Eg和~3Eg(3d94s1)。其720nm和860nm荧光峰来自Cu2+发光中心,是由于自由离子光谱项2D在八面体晶场、正交晶系晶场中分裂为5个能级之间的跃迁。此外,还有一些光谱可能来自晶格中Cu3+发光中心,其481cm-1和551cm-1声子对说明了312cm-1处声子对与电子系统是强耦合。 相似文献
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本文提出了Si3N-Y2O3-La2O3三元系统的亚固(固相线下)相图。在此系统中,形成四个含固溶体的两相区和八个三相区。在富Si3N4区,发现存在一个新相:0.4Y2O3·0.6La2O3·3Si3N4,它于1550℃开始生成,随着温度升高,生成量增大,然而极难获得其纯单相。钇黄长石Y2O3·Si3N4可被La2O3取代形成有限固溶体,其固溶限为55mol%La_2O3,即0.45Y2O3·0.55La2O3·Si3N4。在Y-La-Si-O-N系统中,实验测得,具有同结构的三类含氮稀土硅酸盐,都分别形成连续取代固溶体。它们是:J相连续固溶体——2(Y,La)2O3·Si2N2O,K相连续固溶体——(Y,La)2O3·Si2N2O和H相连续固溶体——(Y,La)10(SiO_4)6N2。 相似文献
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用矩形单模TE10n(n=3,5)微波腔体成功地烧结得到了致密的Y-TZP陶瓷及Y-TZP/Al2O3复相陶瓷材料.材料的微波加热特性与其组分有关.Y-TZP含量高有利于提高样品的加热速率并降低加热所需时间.试样加热至600—800℃之后,需随时调整输入功率、短路活塞位置及可调偶合窗开启尺寸,以保持腔体谐振和最佳偶合状态,从而保持一定的升温速度和达到稳定的最终烧结温度.纯Y-TZP及含20Vol%Al2O3的Y-TZP/Al2O3陶瓷材料均可微波烧结至相对密度98%以上,而晶粒尺寸则分别不大于0.4和1.0μm.实验还发现,温度过高时,试样中心由于达到高于其表面的温度而发生过烧现象. 相似文献
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完全t部图K(n1,n2…nt)的色唯一性 总被引:4,自引:0,他引:4
本文使用比较两个色等价图的色划分数的方法,得出了完全t部图的色等价图类仍为完全t部图的一般形式数值条件,进一步得出了K(n1,n2,n3)和K(n1,n2,n3,n4)为色唯一图的一般形式数值条件。 相似文献
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M序列由于具有良好的统计特性经常被应用在信息安全领域.这使得寻找F2中M序列反馈函数成为一项有意义的工作.给出了由已知M序列反馈多项式得出新的与已知函数同次数的M序列反馈多项式的新方法.主要工作如下:1)用图形简单的给出了并圈法的逆过程所实现的操作过程.2)将并圈法的逆运算与并圈法先后应用在已有M序列状态图交叉排列的两对前共轭顶点对上,得到了由已知M序列反馈多项式生成新M序列反馈多项式的算法.3)证明了上述给出算法在二阶有限域F2中的正确性.4)用C语言实现了算法.实验结果表明当移位寄存器的阶不是很大时算法是有效的. 相似文献
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本文给出空间退化的弱(L1,L2)-BLD映射的定义.利用Hodge分解,弱逆Holder不等式等工具,证明了其正则性结果对任意满足0<L2lnl/2l2n+l×100n2[23l/2.(24l+n+1)](l-q1)<1的q1,都存在可积指数p1=p1(n,l,q1,L1,L2)>l,使得对任意退化的弱(L1,L2)-BLD映射f∈W1,q1
loc(Ω,Rn),都有f∈W1,p1 loc (Ω,Rn),即f为通常意义下的退化的(L1,L2)-BLD映射. 相似文献