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组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征 总被引:4,自引:4,他引:0
采用阶跃式 Ge H4 流量增加和温度降低的方法 ,在超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的 Si Ge缓冲层 ,并在其上生长出了驰豫的 Si0 .6 8Ge0 .32 外延层 .俄歇电子能谱证实缓冲层 Ge组份呈线性渐变 .Raman散射谱得出上表层应变驰豫度为 32 % ,与 X射线双晶衍射结果符合得很好 .腐蚀的样品观察到沿两个〈1 1 0〉方向规律性分布、大小和螺旋走向完全一致的位错团密度约为 5× 1 0 7/cm2 .分析了位错团产生的原因 相似文献
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生长温度对SiGe合金的性能有重要影响.在双腔超高真空化学气相淀积生长中,通常采用液氮冷却的方法.该生长模式下,通入乙硅烷时腔内的生长气压约为10-5Pa,SiGe的最低生长温度约为550℃.为了降低生长温度,文中采用了不用液氮冷却的模式.腔内生长气压约为10-2Pa,增加3个数量级,并且将牛长温度降到了485℃,远低于传统的牛长温度.DCXRD测试和TEM图像表明,生长的SiGe薄膜和SiGe/Si超品格具有良好的晶格质量.结果证明,在LJHV/CVD系统中,这是一种有效的实现SiGe低温生长的方法. 相似文献
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生长温度对SiGe合金的性能有重要影响. 在双腔超高真空化学气相淀积生长中,通常采用液氮冷却的方法. 该生长模式下,通入乙硅烷时腔内的生长气压约为1E-5Pa,SiGe的最低生长温度约为550℃. 为了降低生长温度,文中采用了不用液氮冷却的模式,腔内生长气压约为1E-2Pa,增加3个数量级,并且将生长温度降到了485℃,远低于传统的生长温度. DCXRD测试和TEM图像表明,生长的SiGe薄膜和SiGe/Si超晶格具有良好的晶格质量. 结果证明,在UHV/CVD系统中,这是一种有效的实现SiGe低温生长的方法. 相似文献
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应用Raman散射谱研究超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)生长的不同结构缓冲层对恒定组分上表层Si1-xGex层应力弛豫的影响.Raman散射的峰位不仅与Ge组分有关,而且与其中的应力状态有关.在完全应变和完全弛豫的情况下,Si1-xGex层中的Si-Si振动模式相对于衬底的偏移都与Ge组分成线性关系.根据实测的Raman峰位,估算了应力弛豫,结果表明:对组分渐变缓冲层结构而言,超品格缓冲层中界面间应力更大,把位错弯曲成一个封闭的环,既减少了表面位错密度,很大程度上又释放了应力. 相似文献
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应用 Raman散射谱研究超高真空化学气相淀积 ( UHV/CVD)生长的不同结构缓冲层对恒定组分上表层 Si1- x Gex 层应力弛豫的影响 .Raman散射的峰位不仅与 Ge组分有关 ,而且与其中的应力状态有关 .在完全应变和完全弛豫的情况下 ,Si1- x Gex 层中的 Si- Si振动模式相对于衬底的偏移都与 Ge组分成线性关系 .根据实测的 Raman峰位 ,估算了应力弛豫 .结果表明 :对组分渐变缓冲层结构而言 ,超晶格缓冲层中界面间应力更大 ,把位错弯曲成一个封闭的环 ,既减少了表面位错密度 ,很大程度上又释放了应力 相似文献
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HBT中基区内建电场的物理机制及其理论分析 总被引:1,自引:0,他引:1
计算了具有线性Ge 分布的SiGe 基区价带有效态密度和空穴浓度的分布,分析了基区内建电场的物理机制,分别采用Boltzm ann 统计和Ferm i Dirac统计给出了内建电场分布的表达式并进行了计算,最后讨论了基区重掺杂对电场的影响 相似文献
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C. Fulk T. Parodos P. Lamarre S. Tobin P. LoVecchio J. Markunas 《Journal of Electronic Materials》2009,38(8):1690-1697
We have investigated the glide of strain-relaxing dislocations in closely lattice matched, liquid phase epitaxially (LPE)
grown, HgCdTe. A generalized LPE heterostructure was modeled based on secondary-ion mass spectroscopy (SIMS) profile measurements.
Critical thickness was predicted using a force balanced method which expands upon the work recently developed by Ayers. The
behavior of dislocation dynamics is predicted with respect to exponentially and linearly graded metallurgical interfaces intrinsic
to the high- temperature LPE growth process. The extended Ayers model is compared against x-ray topography and cross-sectional
observations of misfit dislocations by the decoration of etch pits on cleaved HgCdTe/CdZnTe. The model predicts that, for
bulk Cd/Zn compositions which are nearly lattice matched, the Zn compositional profile plays an important role in determining
both the onset and distribution of misfit dislocations. 相似文献
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《微纳电子技术》1993,(4)
在不同类型的部分缓解性SiGe缓冲层上生长了n型调制掺杂Si/SiGe异质结构,采用这一材料系统是为了得到足够大的导带突变。对样品进行了各种测试分析,如二次离子质谱,x光摆动像分析,透射电子显微镜分析,卢瑟福背散射分析和变温霍尔测量。在750℃生长的厚的线性渐变SiGe缓冲层样品中得到了最高的霍尔迁移率为1.5K下173000cm~2V~(-1)s~(-1)。这一层序达到的室温迁移率约为1800cm~2V~(-1)s~(-1)。发现不管是用没有Ge组分渐变的一般缓冲层,还是直接用有源层是调制掺杂SiGe势垒开始以缓解应变了的Si阱层,主要是在低温下霍尔迁移率严重地下降。 相似文献
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