双面Schottky势垒型GaAs粒子探测器特性

双面肖特基势垒型 Ga As粒子探测器由半绝缘砷化镓材料制成 ,器件结构为金属 -半导体-金属结构 ,该探测器能经受能量为 1 .5Me V、剂量高达 1 0 0 0 k Gy的电子、50 0 k Gy的 γ射线、β粒子、X射线等粒子的辐照测试 ,辐照后器件击穿曲线坚挺 ,反向漏电流最低为 0 .48μA.器件的另一特征是其反向漏电流与 X射线的照射量呈线性关系 .该探测器在 2 4 1Am( Eα=5.48Me V) α粒子辐照下 ,其最大的电荷收集率和能量分辩率分别为 45%和 7% .在由 90 Sr( Eβ=2 .2 7Me V)发出的 β粒子辐照下 ,探测器有最小的电离粒子谱 .该探测器对光照也有明显的响应     

双面肖特基势垒型GaAs粒子探测器的电特性研究

研究了有源面积为９ｍｍ２的双面肖特基势垒ＧａＡｓ粒子探测器的电特性。器件工艺简单，结构新颖，反向耐压高于３００Ｖ，反向漏电流密度低（９１ｎＡ／ｍｍ２），该器件能经受能量为１．５ＭｅＶ、剂量为１０００ｋＧｙ的电子照射，电特性正常，是一种抗辐照的粒子探测器。     

Pt/CdS Schottky势垒紫外探测器的研制

介绍了Pt/CdS金属半导体接触Schottky势垒形成及In/CdS的欧姆接触工艺研究,由此制成了紫外探测器.测试了探测器的Ⅰ-Ⅴ特性,零偏下的光谱响应和器件的频率响应.观察了器件的反偏响应情况.获得的探测器在λ=440am处加两伏反偏时的响应率为0.17A/W,内量子效率最大可达64%.     

Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器的研究

Pt-GaAs肖特基势垒雪崩光电探测器已研制成功。器件制作在施主浓度为0.5～31015cm-3、厚度约为20m的GaAs外延层上。为防止边缘击穿,用能量为500keV、剂量为11015cm-2的质子轰击,在直径为150m的光敏区外形成高阻保护区。半透明的Pt肖特基势垒膜用特殊的蒸发法形成。器件的峰值响应波长随偏压的改变可以从8600()移动到8835(),截止波长可延伸到9700(),观察到明显的Franz-Keldysh效应。器件倍增可达100以上;暗电流仅几纳安;过剩噪声系数为7;上升、下降时间短于1ns。这种器件可与FET实现平面集成。     

3毫米GaAs肖特基势垒混频二极管

<正> 南京电子器件研究所已研制成3mm GaAs肖特基势垒混频二极管,其使用频率可达100GHz以上。混频管使用频率愈高,要求结电容C_j愈小。本器件C_j设计值为0.007pF(考虑边缘效应)。如此小的结电容必须通过减小势垒结直径来获得,而小的结直径将增加非线性电导固有变频损耗,增大串联电阻。 为降低器件的噪声温度比和变频损耗,提高高频优值,需要获得近乎理想的肖特基势垒,使理想因子n趋近于1,同时最大限度地降低串联电阻Rs,使Rs和C_j的乘积减至最小。因此适当提高GaAs外延层浓度,在满足击穿电压和烧毁的前提下,减薄外延层总厚度,提高外延层浓度的分布陡度以减小串联电阻Rs。     

具有势垒增强层的MSM光电探测器特性的模拟

无势垒增强型的金属－半导体－金属光电探测器（ＭＳＭ－ＰＤ）已有过理论分析，而对具有完全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭ－ＰＤ则缺乏理论分析，文章将具有安全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭＰＤ简化的为一维模型，并通过理论分析，得出了它的暗电流特性，其结果与实验的相符。     

氮离子注入对GaAs肖特基势垒性能影响的研究

本文利用离子注入方法,用不同剂量的氮离子对GaAs衬底进行注入实验。结果表明,氮注入明显地改善了Ti/n-GaAs肖特基势垒特性。     

均匀掺杂GaAs光阴极表面势垒特性研究

根据激活过程中光电流变化规律及原位光谱响应测试,模拟了GaAs光阴极表面势垒的形成过程,在光阴极表面双偶极子模型的基础上作了修正,建立了三偶极子模型。新模型认为,光阴极表面势垒由三个偶极层套构而成,第一偶极层由GaAs（Zn）-Cs+偶极子组成,第二偶极层由Cs2O偶极子组成,第三偶极层由GaAs-O-Cs偶极子组成,第二、三偶极层嵌入第一偶极层中。根据隧道效应与量子效率测试结果,确立了势垒中分段均匀的电势分布,计算得出势垒宽度为1.65 nm,有效电子亲和势为-0.44 eV。新模型的建立对理解光电阴极表面发射机理具有重要意义。     

GaAs微条粒子探测器的辐照特性

设计了一种能经受高能粒子辐照的 Ga As微条粒子探测器 .该探测器结构采用金属 -半导体 -金属结构 ,其主要几何尺寸是 :微条长度为 17mm ,宽度分别为 2 0、5 0、10 0、2 0 0、30 0μm .该探测器在经受电子、中子、γ射线、X射线等高能粒子辐照后 ,表面金属光亮无损 ,反向击穿电压最高可达 180 V,在反偏电压 80 V时 ,反向暗电流密度低达31n A/mm2 .探测器的最小条宽为 2 0μm.     

GaAs微条粒子探测器的设计

介绍了最新研制成功的 Ga As微条粒子探测器的芯片设计和工艺设计。每一微条长度均为 1 70 0 0μm,宽度分别为 2 0、5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm。微条间距有 5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm四种 ,芯片面积为 5 .95 mm×1 7.0 0 mm。微条粒子探测器的反向击穿电压最高达 2 40 V,反向漏电流密度最低为 0 .0 2 5 μA/mm2。它对光照有强烈的敏感性。微条粒子探测器的辐照特性见其它论文报道     

GaAs微条粒子探测器的辐照特性

设计了一种能经受高能粒子辐照的GaAs微条粒子探测器.该探测器结构采用金属-半导体-金属结构,其主要几何尺寸是:微条长度为17mm,宽度分别为20、50、100、200、300μm.该探测器在经受电子、中子、γ射线、X射线等高能粒子辐照后,表面金属光亮无损,反向击穿电压最高可达180V,在反偏电压80V时,反向暗电流密度低达31nA/mm2.探测器的最小条宽为20μm.     

GaAs粒子探测器的能谱特性

阐述了具有 M- S- M结构的 Ga As粒子探测器在α、β粒子、光子、X射线辐照下 ,在室温时测得的能谱特性。对2 41 Am 5.48Me V的α粒子 ,其电荷收集率 (CCE)和能量分辨率 (FWHM)的最好结果分别为 45%和 7%。对 5 7Co 1 2 2 ke V的 X射线能量分辨率约为 30 %。该探测器对 90 Sr2 .2 7Me V的β粒子有最小的电离粒子谱。探测器在累积照射量为 1 3 k Gy的光子 1 3 7Cs(662 ke V)辐照下 ,辐照前后的电荷收集率无明显变化。诸多实验结果表明 ,该探测器具有较强的抗辐射能力     

LaB_6/GaAs肖特基势垒研究

用电子束蒸发LaB_6单晶的方法,制备了LaB_6/GsAs肖特基势垒,经800℃高温退火后,势垒高度为0.70eV,理想因子为1.15～1.2。用俄歇能谱观察到LaB_6/GaAs界面有良好的热稳定性,以LaB_6为栅得到了初步的全离子注入的MESFET特性。结果表明,LaB_6有希望用于GaAs集成电路。     

八毫米GaAs梁式引线肖特基势垒混频管

基于Pucel平面电容器模型和Berger平面电阻器的传输线模型(TLM),借助CAD技术,优化设计了平面型八毫米粱式引线混频管的几何参数,确定了关系到器件性能的几个关键尺寸 L_g、W_g、L_o和 L_b对总电容和串联电阻的影响.采用了类似于GaAs MESFET的制作工艺,并严格控制器件的几何参数.研制的八毫米混频管,典型结果是,在35GHz下,单管双边带噪声系数为4.8dB.     

T形阳极太赫兹GaAs肖特基二极管的设计与制备

通过对平面形太赫兹肖特基二极管的结构与寄生参数的分析优化,设计并研制了适用于太赫兹频段的不同阳极直径的管芯。管芯为小尺寸设计,采用双层胶电子束直写技术制作T形阳极,阳极剥离后采用100nm的SiO_2介质进行钝化保护,比传统工艺约500nm的SiO_2介质大幅降低,有效降低了器件寄生电容,研制出截止频率f_T(C_(j0))8THz、f_T(C_(total))3.9THz的管芯。通过直流I-V测试和小信号S参数测试提取管芯参数,并分析对比了不同阳极直径管芯的性能参数。     

TiN/n-GaAs肖特基势垒特性

本文用俄歇能谱(AES)、电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)电学测量等方法,研究了反应溅射制备的TiN/n-GaAs肖特基势垒特性.经800℃高温热退火后,TiN/n-GaAs势垒具有良好的整流特性和高温稳定性,其势垒高度为0.80cV,理想因子n为1.07.同时还观察到许多有意义的结果:即随着退火温度的升高(从500℃到800℃),TiN/n-GaAs肖特基二极管的势垒高度增大,势垒电容减小和二极管反向击穿电压增大.我们认为这可能与溅射过程中GaAs衬底中掺氮有关,并用Shannon模型(即金属/P-GaAs/n-GaAs结构)解释了以上结果.研究结果表明,在自对准GaAs MESFET工艺中,TiN是一种很有希望的栅材料.